韩国计划2030年实现SiC半导体技术20%自给目标

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韩国政府制定了到2030年将可应用于电动汽车、数据中心等先进产业的碳化硅(SiC)功率半导体的技术自给率提高到20%的目标。

9月10日,韩国经济财政部在汉城政府办公大楼召开了“增长战略特别工作组暨产业竞争力强化长官会议”,在当天的会议上,韩国政府决定优先发展国家战略尖端材料及零部件领域的4个项目(SiC功率半导体、LNG储罐、石墨烯、特殊碳钢)和K-boom up领域的1个项目(K-food)。

 韩国政府计划到2030年将SiC功率半导体的技术自给率从目前的10%提高到20%。为了实现这一目标,韩国政府将积极支持SiC功率半导体从材料到器件再到模块整个供应链的核心技术发展,并培养功率半导体专业人才。SiC半导体是用于电动汽车、可再生能源、航空航天等未来尖端产业的新一代半导体。预计全球市场规模将从2024年的34亿美元增长到2030年的103亿美元,年均增长20%。

此外,韩国政府还将积极支持被称为“梦想材料”的石墨烯的技术开发。韩国虽然投入了大量资金,获得了原创技术,但在显示器散热材料等部分领域提供了原型,目前还处于商业化的初期阶段。韩国政府计划积极支持石墨烯商用化技术的开发,并为实现技术成果,开展供需企业之间的合作项目。(校对/李梅)

责编: 李梅
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