星钥半导体8英寸Micro-LED芯片中试线在武汉通线

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据中国光谷官微消息,9月8日上午,星钥半导体微型发光二极管(Micro-LED)生产线在武汉光谷正式通线,成为国内首条8英寸硅基氮化镓Micro-LED芯片中试线。

据悉,Micro-LED是下一代显示技术的重要方向,核心是将第三代半导体材料氮化镓的发光单元微缩至微米级乃至纳米级,并高度集成阵列,具有响应速度极快、对比度与色彩饱和度卓越、稳定性高和寿命长等特点,适合近眼显示应用。

资料显示,星钥半导体于2024年10月落户光谷,仅用8个月时间完成了厂房建设、设备搬入,知识产权数量突破百件。星钥半导体采用8寸硅基氮化镓LED外延技术,因成熟的无损去硅技术可以实现极佳良率,同时与8寸CMOS半导体芯片工艺高度兼容,产品可应用于AR/MR眼镜。(校对/李梅)

责编: 李梅
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