三星电子正加紧恢复位于韩国京畿道的平泽第五工厂（P5）的建设，旨在确保下一代高带宽存储器（HBM）的抢先产能。
据报道，三星电子平泽园区第五工厂的工人们正忙着搬运钢结构并接受安全培训，这表明全面开工的准备工作正在紧锣密鼓地进行。该公司计划最早于10月破土动工，恢复投资。三星电子最初计划去年开工建设第五工厂，但由于半导体市场状况恶化而推迟了建设。
三星电子通过P5工厂的奠基，旨在扩大HBM的供应。HBM是一种高性能内存，通过垂直堆叠多个DRAM，显著提升数据处理速度。目前市场领先的是第五代产品HBM3E，广泛应用于英伟达的Blackwell芯片中。据悉，三星电子有望在本月通过英伟达的HBM3E资格认证测试。
在向英伟达大规模供应HBM3E后，三星电子计划在第六代HBM4市场上占据优势。HBM4将搭载于英伟达下一代AI加速器图形处理单元（GPU） Rubin上。尽管三星的HBM开发速度较竞争对手SK海力士落后约三个月，但公司计划通过加强生产能力迅速迎头赶上。
英伟达预计将于明年第一季度完成HBM4质量验证，并最终确定其将于下半年发布的下一代AI GPU Rubin系列的HBM4供应商和数量。
为提前向英伟达供应HBM4，三星电子计划将10nm级第六代（1c）DRAM工艺引入平泽P4工厂的空余生产线。这一战略举措旨在利用业界最先进的工艺大规模生产用于HBM4的DRAM。三星电子已完成HBM4的内部量产审批，并准备进行样品生产，以便与客户进行供应讨论。
半导体行业相关人士表示，“预计明年起存储器市场将逐步复苏，HBM需求将进一步增加”，并补充道，“这被解读为三星为不错过机遇而提前确保产能的策略”。
KB证券研究员Kim Dong-won分析称，“三星电子将通过明年第一季度平泽园区的新扩建，扩大2026年在HBM市场的份额”，“很有可能从第四季度开始进行HBM4的初期生产”。（校对/赵月）
