总投资3.25亿元 通富微电半导体封装材料项目落户南通

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2006

据崇川在线官微消息,9月4日,通富微电半导体封装材料项目签约落户南通市市北高新区,项目计划总投资约3.25亿元,分三期建设封装材料生产线。

通富微电名誉董事长石明达表示,高性能封装材料作为芯片的“核心基石”,其技术突破与自主供应,关乎国家集成电路产业的命脉与安全。此次签约的项目旨在攻坚技术壁垒,实现高性能封装材料的自主研发与规模化量产。

通富微电近日公布的财报显示,该公司上半年营业收入达到130.38亿元,同比增长17.67%;归属于上市公司股东的净利润为4.12亿元,同比增长27.72%。

在技术研发方面,通富微电取得了多项重要进展。公司在大尺寸FCBGA开发领域取得显著突破,大尺寸FCBGA已成功进入量产阶段,而超大尺寸FCBGA也已预研完成,并进入正式工程考核阶段。通过产品结构设计优化、材料选型及工艺优化,公司有效解决了超大尺寸产品在翘曲和散热方面的问题,进一步提升了产品性能和可靠性。此外,通富微电在光电合封(CPO)领域的技术研发也取得了突破性进展,相关产品已通过初步可靠性测试。(校对/李梅)

责编: 李梅
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