由于英伟达急于快速拉高GPU效能，芯片内连结存储器和GPU的中介层，材料将由硅转为碳化硅，这将是碳化硅产业的新机会。
今年5月，全球碳化硅龙头Wolfspeed宣布破产，但是，同一个月，环球晶董事长徐秀兰却表示，环球晶将和客户共同开发碳化硅新产品。加码碳化硅市场的不止环球晶，格棋化合物半导体公司董事长张忠杰也透露，目前公司正积极开发新产品，而这项产品可用于半导体先进制程。
如果把CoWoS封装做出来的IC比喻成一栋大楼，把英伟达的GPU比喻成大楼里的工厂，硅中介层的作用，就象是大楼的楼板，除了承载英伟达的GPU，还可以串连旁边的高性能存储器，让数据可以在GPU和存储器之间快速移动。目前，一块硅中介层里会配置一颗GPU和多颗存储器。
这栋大楼的基地，则是原有的载板，一块载板上的空间足以摆上好几栋这样的「大楼」，通过载板交换信号，最后再封装成一颗芯片。
张忠杰透露，目前半导体先进制程正在研究，要将原本用硅制造的硅中介层换成用碳化硅制造，因为未来高阶芯片计划的功耗高达1000V！相比之下，特斯拉快充时的电压，也只有350V。
业界人士观察，目前英伟达是最积极要采用这项技术的公司。因为英伟达的NVLink技术特性是，GPU和存储器距离愈近，传输速度愈快，GPU的功率愈高，效能也愈好，未来英伟达甚至计划要把GPU和存储器叠在一起，用极大的电流驱动，由于碳化硅的导热系数比铜还要好，能有效缓解大电流产生的高热，因此被英伟达看上。
不过，碳化硅如果拿来做中介层，要求和传统的碳化硅不同，业界人士分析，晶圆厂是把碳化硅当作中介层材料，因此，传统碳化硅产业在意的结构瑕疵，对制造中介层时影响并不大，但关键在切割技术，碳化硅硬度和钻石相当，如果切割技术不佳，碳化硅的表面会呈波浪状，无法用于先进封装。
此外，用绝缘的单晶碳化硅制造硅中介层，导热效果最好，且必须要和现有的硅晶圆一样大，由于目前碳化硅制造商多半只能制造6吋和8吋的碳化硅晶圆，因此投资制造更大的单晶碳化硅晶圆产线。
目前台积电邀集各国厂商共同研发碳化硅中介层的制造技术，但切割设备大厂如日本DISCO正在研发新一代激光切割机台，因此，英伟达的Rubin GPU第一代仍会采用硅中介层，等新设备到位，碳化硅中介层制造会更为顺利，但由于英伟达对效能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅。最晚后年，碳化硅就会进入先进封装。
