1.奥芯明亮相CSEAC 2025，解读功率模块市场机遇与技术革新；
2.海光信息开放CPU能力 助力国产AI算力生态发展；
3.三安光电：400G产品出货增 800G产品启动小批量出货；
4.英伟达又放大招！A股产业链应声疯涨；
5.特朗普：将对未在美建厂芯片企业加征关税；
1.奥芯明亮相CSEAC 2025，解读功率模块市场机遇与技术革新；
9月4日-6日，第十三届中国电子专用设备工业协会半导体设备年会（CSEAC 2025）暨核心部件配套新进展论坛在无锡召开。奥芯明半导体设备技术 (上海) 有限公司技术市场工程师曹沈炀在半导体设备与核心部件配套新进展论坛发表主题演讲，围绕 “功率模块的市场及技术发展” 展开深度解析，从产品定位、市场趋势、技术突破到企业解决方案，全面展现了功率半导体领域的发展图景与奥芯明的核心竞争力。
功率模块成新能源汽车“核心动力”
曹沈炀在演讲中指出，中国新能源汽车正经历“产品、技术、市场”三重变革，2025年新能源汽车销量预计将首次超越传统燃油车。作为新能源汽车“大三电”（电池、电机、电控）的核心组件，功率模块承担着将电池包直流电转换为电机所需三相交流电的关键功能，其性能直接决定了车辆的续航、功率与可靠性。
从技术路径看，当前功率模块主要依赖硅基IGBT与碳化硅（SiC）功率器件两大类产品。其中，SiC作为第三代宽禁带半导体，凭借更宽的禁带宽度、更快的电子迁移速率及更高的导热率，可承受更高电压与温度，显著降低功率损耗并缩小模块尺寸，成为国家政策与市场重点扶持的方向；而硅基IGBT因产业链成熟、成本更低，仍在光伏、家电、轨道交通等多领域广泛应用。目前市场上主流产品仍以硅基IGBT为主，但SiC功率模块因其更优异的性能，正在快速崛起。
奥芯明作为ASMPT 集团旗下专注半导体解决方案的中国品牌，已实现功率模块、分立器件、功率管理IC全品类解决方案覆盖，累计获得众多行业客户的认可与支持。
SiC成增长引擎，成本下探打开下沉空间
曹沈炀引用行业数据指出，2024年全球功率模块市场规模达100亿美元，其中IGBT占比71%，SiC MOSFET占比24%；预计到2030年，全球市场规模将翻倍至200亿美元，SiC模块以超过20%的年复合增长率（CAGR）成为最核心的增长动力。
从应用场景看，SiC功率模块的“主战场”集中在新能源汽车领域 —— 乘用车与商用车的应用占比超90%；而IGBT模块凭借成本优势，除新能源汽车外，还渗透至光伏、风电、家电等中低端市场。曹沈炀强调，“SiC替代IGBT的核心驱动力不仅是性能升级，更在于成本的持续下降”。
曹沈炀表示，2023年车规级SiC MOSFET芯片成本约80元/颗，单模块中芯片成本超3000元，加上封装后总成本达4000-5000元，大多应用于20万元以上车型；而随着技术迭代，6英寸车规级SiC衬底价格从2024年初的800美元降至年底的400美元，到2025年国产衬底报价甚至低至1500元人民币。行业预测，1-2年后SiC芯片成本有望降至20元/颗，单模块成本将下探至3000元以下，届时SiC模块将渗透至20万元以下车型，引爆新一轮产能需求。
市场竞争格局方面，国内功率模块市场集中度较高，前十名模块制造商占据超九成份额。随着SiC技术不断成熟，无论是国际领先企业如英飞凌、ST、安森美，还是本土创新力量如比亚迪、芯联集成、斯达半导等，都在积极推动产业链协同演进，共同加速SiC模块在新能源汽车、储能等核心场景中的规模化落地。
功率模块三大封装趋势引领行业升级
针对功率模块的技术发展方向，曹沈炀重点解读了当前最核心的三大封装趋势，均围绕 “高功率、高可靠性、低成本” 展开。
趋势一，从全桥模块向半桥模块转型。
传统HPD全桥模块虽成熟，但半桥模块凭借更紧凑的结构、更优的密封性能成为新主流。其采用“模压工艺”替代灌胶式封装，对芯片的机械应力防护与水汽阻挡效果显著提升，同时通过“系统烧结”工艺将模块与散热基板结合，散热性能进一步优化。以比亚迪为例，其最新推出基于半桥的SiC模块已实现支持最高1500V电压和1000A电流，结温最高达200℃，性能全面跃升。
趋势二，嵌入式封装提升集成效率。
嵌入式模块封装通过将芯片直接嵌入基板内部，能够有效降低系统电感与开关损耗，同时显著提升模块的可靠性与使用寿命，正逐步成为车规级功率模块的关键技术路径。奥芯明正与多家客户协作推进设备能力的适配与落地，助力新型模块结构在制造端的稳定导入。
趋势三：铜烧结替代银烧结降本增效
银烧结虽散热性能优异，但材料成本高昂；铜烧结的热导率（398 W/(m・K)）与机械强度接近银烧结，且成本更低，成为行业关注焦点。不过，铜烧结仍面临氧化控制、空洞控制、浆料稳定性等技术挑战，奥芯明已提前布局相关研发，探索产业化路径。
此外，新能源汽车超快充趋势也推动功率模块技术升级，例如比亚迪兆瓦闪充等产品。这些超级快充逐渐开始使用SiC芯片，进一步拉动SiC功率器件需求。
奥芯明链条布局，扎根中国赋能本土制造
作为ASMPT集团在中国半导体领域的核心布局，奥芯明自2023年成立以来，依托集团全球技术基因（超2000项专利、覆盖半导体封装全流程的设备能力），已构建起从晶圆切割、银膏印刷、芯片贴装、烧结、打线到模压等功率模块关键工艺的解决方案。
曹沈炀介绍，例如LASER1205UVP系列负责晶圆切割；DEK GALAXY系列负责银膏或锡膏的印刷；Force Vector作为MCM Bonder完成芯片贴片和预烧结；SilverSAM通过银烧结工艺，将芯片与基板粘结在一起；HERCULES LM 粗铝线Wedge Bonder负责模块的电互联；3Ge Series模塑系统完成模块塑封；MPHENIX切筋成型机把框架切成独立成品。除了这些功率模块的解决方案以外，还有应对功率分立器件的软焊料固晶机SD8312 Plus，和针对铜夹的eClip Line等等，可适配功率模块与功率分立器件的多样化生产需求。
在本土化布局上，奥芯明在上海临港设立近7000平米研发中心，研发人员占比超24%，全国布局10个服务点，与20余家本土企业深度合作，实现 “技术、人才、供应链” 三位一体的本土化支撑。
曹沈炀强调，奥芯明的使命 “连接全球技术与本土智造”，始终坚持以“先进科技，赋能中国芯”为使命，通过技术本土化、人才本土化和供应链本土化，深度参与中国半导体产业链建设，助力行业从“引进技术”走向“定义技术”。未来，奥芯明将继续与客户协同创新，共同推动中国半导体产业的高质量发展。
2.海光信息开放CPU能力 助力国产AI算力生态发展；
9月5日，有消息称，海光信息将开放CPU能力，向产业生态伙伴提供直连IP、开放协议及定制化指令集，实现与国内AI芯片的高效衔接，推动应用顺畅对接与调用。
此举有望进一步提升系统级资源利用效率，优化多样化应用场景性能，加快构建开放协同的国产AI算力生态，为我国智能计算产业创新发展注入新动能。
3.三安光电：400G产品出货增 800G产品启动小批量出货；
9月5日，三安光电在互动平台发布最新消息，公司在数据通信领域继续保持行业领导地位，与主要客户紧密合作，并积极布局人工智能、车载等热点领域。公告显示，三安光电的400G产品出货量持续增加，800G产品已开始小批量出货。
首先，三安光电强调其在数据通信领域的领先地位，通过与主要客户的紧密合作，公司在市场中的竞争力不断提升。其次，公司在人工智能、车载等新兴热点领域积极布局，进一步拓宽了业务范围。
在产品方面，三安光电的400G产品出货量持续增加，显示出市场对该产品的强劲需求。更为重要的是，800G产品已开始小批量出货，标志着公司在高端数据通信产品领域的又一重要突破。
三安光电此次公告的背后，是公司在技术研发和市场拓展方面的持续投入。随着5G、人工智能等技术的快速发展，市场对高速数据通信产品的需求日益增长，三安光电凭借其在技术和市场方面的优势，成功抓住了这一市场机遇。
此次400G产品出货量的持续增加和800G产品的初步投放市场，不仅提升了公司的市场竞争力，也为公司未来的业绩增长奠定了坚实基础。对于投资者而言，这一消息无疑增强了市场对三安光电未来发展的信心。
面对市场的快速变化和激烈竞争，三安光电表示将继续加大研发投入，提升产品技术水平和市场竞争力。同时，公司将进一步深化与主要客户的合作，拓展新兴市场，确保在数据通信领域的领先地位。
此外，三安光电还将密切关注市场动态，灵活调整产品策略，以满足不断变化的市场需求。通过持续的技术创新和市场拓展，公司有望在未来的数据通信市场中占据更为重要的地位。
综上所述，三安光电在数据通信领域的持续发力，特别是400G产品出货量的增加和800G产品的初步投放市场，将为公司带来新的增长点，值得投资者密切关注。
4.英伟达又放大招！A股产业链应声疯涨；
市场有传言称，英伟达正探索将 12 英寸碳化硅（SiC）晶圆应用于先进封装技术，旨在解决 AI 芯片愈发突出的散热难题并提升性能。受此消息影响，A 股市场中相关的 SiC 企业股价出现大面积上涨。
英伟达的 AI 芯片（如 H100、H200）采用台积电的 CoWoS 先进封装技术，通过硅中介层集成多个芯片和高带宽内存（HBM）。然而，随着算力提升，芯片功耗和发热急剧增加。例如，H100 的峰值功耗已超过 700W，而 HBM 堆叠层数的增加进一步加剧了散热压力。传统硅中介层的热导率已难以满足需求，而 SiC 的热导率是硅的 2-3 倍，成为替代材料的理想选择。
英伟达计划在下一代 Rubin 处理器的 CoWoS 封装中，逐步用 SiC 中介层替代硅基材料。SiC 不仅能提升散热效率，还可通过非直线高深宽比通孔设计优化布线密度，缩短互连长度，从而提升芯片性能和小型化水平。
目前该技术仍处于研发阶段。第一代 Rubin GPU 预计仍采用硅中介层，但台积电已联合设备厂商开发配套的激光切割设备。行业预计，最晚到 2027 年，随着设备到位和技术成熟，SiC 将正式导入量产。
此外，12 英寸 SiC 衬底的量产能力正在快速提升。中国厂商如天科合达、晶盛机电已实现 12 英寸 N 型 4H-SiC 衬底的量产，日本 DISCO 的激光切割设备和应用材料公司的工艺支持为技术落地提供了保障。尽管目前 12 英寸 SiC 衬底价格高达 2 万美元 / 片，但随着规模化生产，成本有望降至 8000 元人民币以内。
摩根士丹利预测，2025 年全球 CoWoS 封装需求将激增，而 SiC 中介层的应用将成为关键差异化因素。
尽管 AMD 在先进封装领域（如 MI300X 的 3.5D 封装）已实现技术突破，但其目前未明确提及 SiC 中介层的应用。英伟达的技术转向可能进一步巩固其在高端 AI 芯片市场的领先地位。
5.特朗普：将对未在美建厂芯片企业加征关税；
据央视新闻报道，当地时间9月4日，美国总统特朗普宣布，美政府将对未将生产转移至美国的半导体企业进口产品征收关税。他强调，若企业在美投资或有建厂计划，则可豁免关税。
特朗普称关税幅度将“相当可观，但不会过高”，并点名表示苹果CEO库克“不错”，因苹果已承诺未来四年在美投资6000亿美元。此前，台积电、三星与SK海力士均已宣布在美建厂。
特朗普频繁以关税施压，扰动全球市场，加剧经贸不确定性。特朗普8月6日曾宣称，美国将对进口半导体产品征收100%关税，这一税率将适用于“所有进入美国的芯片和半导体”，但不适用于已承诺或已启动程序在美国制造相关产品的企业。目前其关税政策已遭法律挑战，政府正就此要求最高法院介入。
此前在8月初，特朗普宣布输美半导体征收100%关税，不过在美设厂或正在设厂者可豁免。随后在8月15日，特朗普表示，他会在未来两周内制定半导体关税，税率有可能高达200%、甚至300%，象征他正准备加大力道迫使芯片制造业回流美国。（校对/赵月）
