市场有传言称，英伟达正探索将 12 英寸碳化硅（SiC）晶圆应用于先进封装技术，旨在解决 AI 芯片愈发突出的散热难题并提升性能。受此消息影响，A 股市场中相关的 SiC 企业股价出现大面积上涨。
英伟达的 AI 芯片（如 H100、H200）采用台积电的 CoWoS 先进封装技术，通过硅中介层集成多个芯片和高带宽内存（HBM）。然而，随着算力提升，芯片功耗和发热急剧增加。例如，H100 的峰值功耗已超过 700W，而 HBM 堆叠层数的增加进一步加剧了散热压力。传统硅中介层的热导率已难以满足需求，而 SiC 的热导率是硅的 2-3 倍，成为替代材料的理想选择。
英伟达计划在下一代 Rubin 处理器的 CoWoS 封装中，逐步用 SiC 中介层替代硅基材料。SiC 不仅能提升散热效率，还可通过非直线高深宽比通孔设计优化布线密度，缩短互连长度，从而提升芯片性能和小型化水平。
目前该技术仍处于研发阶段。第一代 Rubin GPU 预计仍采用硅中介层，但台积电已联合设备厂商开发配套的激光切割设备。行业预计，最晚到 2027 年，随着设备到位和技术成熟，SiC 将正式导入量产。
此外，12 英寸 SiC 衬底的量产能力正在快速提升。中国厂商如天科合达、晶盛机电已实现 12 英寸 N 型 4H-SiC 衬底的量产，日本 DISCO 的激光切割设备和应用材料公司的工艺支持为技术落地提供了保障。尽管目前 12 英寸 SiC 衬底价格高达 2 万美元 / 片，但随着规模化生产，成本有望降至 8000 元人民币以内。
摩根士丹利预测，2025 年全球 CoWoS 封装需求将激增，而 SiC 中介层的应用将成为关键差异化因素。
尽管 AMD 在先进封装领域（如 MI300X 的 3.5D 封装）已实现技术突破，但其目前未明确提及 SiC 中介层的应用。英伟达的技术转向可能进一步巩固其在高端 AI 芯片市场的领先地位。
