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上周，三星DRAM市场份额跌至十年低点；台积电美国封装厂开始整地，目标2028年启用；SK海力士量产321层QLC NAND闪存；英特尔连通爱尔兰两晶圆厂，加速芯片生产；欧洲芯片新星Axelera AI拟融资1.5亿欧元；初创公司Upstage获AMD、亚马逊投资；传台积电先进2nm芯片生产停用中国大陆设备；ChipScale在韩首产650V氮化镓功率半导体；谷歌Tensor G5首发台积电3nm N3P工艺；英伟达交付Jetson Thor AI芯片。
财报与业绩
1.三星DRAM市场份额跌至十年低点——根据三星电子发布的2025半年度财报，2025年上半年其全球DRAM市场份额降至32.7%，较去年同期的41.5%下降8.8个百分点，引发外界对其行业领先地位掌控力的担忧。数据显示，2014年三星DRAM市场份额为39.6%，而此次是其近十年来市占率首次跌破40%。该公司DRAM市占率曾在2016年达到48%的峰值，但此后便持续下滑。分析人士指出，业绩下滑与高带宽存储器（HBM）需求疲软直接相关，HBM是AI芯片的核心技术。
投资与扩产
1.台积电美国封装厂开始整地，目标2028年启用——台积电在美国布局持续加速，业界最新消息显示，台积电在美国规划的两座先进封装厂（AP1、AP2）已进入整地工程阶段，预计将于2026年下半年开始建设，目标在2028年正式启用。据悉，台积电在美国的制程规划中，AP1将导入最先进的SoIC及CoW技术，而AP2则锁定CoPoS技术，以满足当地生产AI和高性能计算（HPC）芯片的封装需求。其中，SoIC是目前台积电已量产的封装技术中、最为领先的，并会与后段CoWoS、甚至到未来的CoPoS进行整合。
2.SK海力士量产321层QLC NAND闪存——SK海力士25日宣布，已开发出321层2Tb（太比特，Terabit） QLC* NAND闪存产品，并开始量产。SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”公司为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。
3.英特尔连通爱尔兰两晶圆厂，加速先进制程芯片生产——近日，全球半导体产业巨头英特尔在其爱尔兰晶圆厂布局上做出重大调整，引发业界广泛关注。8月20日，英特尔爱尔兰官方在社交媒体平台宣布，随着Fab 34晶圆厂扩建工程接近尾声，下一步将连通Fab 34与邻近的Fab 10晶圆厂，以引入最新工艺。据悉，英特尔先进制程技术Intel 4/3的主要生产任务目前由位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34晶圆厂承担。
4.欧洲芯片新星Axelera AI拟融资1.5亿欧元——荷兰初创芯片制造商Axelera AI，在三星电子公司和欧盟的支持下，正与投资者进行谈判，计划融资超过1.5亿欧元（约合1.75亿美元），以增强欧洲的高性能计算能力。据知情人士透露，这家荷兰公司正在与现有和新投资者洽谈，计划在2025年底前完成本轮融资。目前尚不清楚新一轮融资将带来何种估值。Axelera AI发言人证实该公司正在筹集资金，并表示对进展“非常满意”，但拒绝提供细节。
5.初创公司Upstage获AMD、亚马逊投资——韩国AI初创公司Upstage从包括亚马逊和AMD在内的投资者处筹集4500万美元，用于加速其下一代模型的开发，并拓展美国和亚太地区的业务。Upstage表示，此次注资使公司总融资额达到1.57亿美元。现有投资者韩国产业银行（KDB）与这两家美国公司一起参与了B轮过桥融资。作为交易的一部分，Upstage同意使用亚马逊AWS作为其云服务提供商，用于构建和部署其基础模型。它还将利用AWS的机器学习基础设施和定制设计的人工智能（AI）芯片。
市场与舆情
1.传台积电先进2nm芯片生产停用中国大陆设备——多位知情人士透露，台积电正在其最先进的2nm芯片工厂中停止使用中国大陆芯片制造设备，以避免美国可能采取的限制措施扰乱生产。台积电2nm生产线将于今年投入量产。生产线计划首先在中国台湾新竹市投产，随后在中国台湾南部高雄市投产。台积电还在美国亚利桑那州建设第三家工厂，最终将生产此类芯片。三位知情人士透露，这一决定受到美国一项潜在法规的影响，该法规可能禁止接受美国资金或财政支持的芯片制造商使用中国大陆制造设备。
2.ChipScale在韩首产650V氮化镓功率半导体——韩国京畿道的半导体设计公司ChipScale近日宣布，在获得京畿道试验台利用半导体技术开发项目的研发支持后，已于2023年开始在韩国首次量产650V氮化镓（GaN）功率半导体。ChipScale作为京畿道一家代表性的无晶圆厂初创公司，凭借其单芯片设计能力，在高温（150度）下仍能稳定运行，并实现小型化和高速化，被业界评价为在半导体功率器件领域实现国产化和设计先进化的企业。今年6月，ChipScale成功量产650V氮化镓功率半导体，成为韩国首家实现这一技术的公司。
3.传英伟达暂停生产H20芯片——知情人士称，英伟达已要求部分零部件供应商暂停生产其专为中国市场设计的H20 AI芯片。据报道，英伟达已指示总部位于亚利桑那州的安靠科技本周停止生产H20芯片，并通知了三星电子。安靠科技负责该芯片的先进封装工艺，而三星电子则为该型号芯片供应高带宽存储器（HBM）芯片。另外，英伟达已要求富士康暂停H20 AI芯片的研发工作。富士康作为英伟达芯片的零部件供应商之一，负责后端加工工作。与此同时，英伟达发言人在一份声明中表示：“我们不断管理供应链，以应对市场形势。”
4.三星拟入股英特尔——消息人士称，韩国科技巨头三星电子正考虑对英特尔进行股权投资，这是特朗普总统为这家陷入困境的美国芯片制造商争取支持而做出的努力之一。英特尔似乎在特朗普政府巩固国内芯片生产的努力中发挥着关键作用，因为它是唯一一家能够在高端芯片生产领域运营的美国公司。据业内人士透露，三星已经重新审视对英特尔的投资计划，因为这些计划具有合法性和实际效益。然而，投资英特尔只是三星正在考虑的选项之一。消息人士补充说，三星还可能与美国封装公司安靠（Amkor）合作。
技术与合作
1.谷歌Tensor G5首发台积电3nm N3P工艺——8月23日，科技媒体WccfTech报道称，谷歌在其Pixel 10系列手机上搭载的移动芯片Tensor G5，采用了台积电最新的3纳米N3P工艺制造，成为全球首款基于该制程的量产芯片。此前，外界普遍猜测谷歌Tensor G5芯片将采用台积电第二代3纳米N3E工艺。然而，最新爆料显示，该芯片实际上基于台积电第三代3纳米N3P工艺生产。这意味着谷歌不仅在制程水平上追平了竞争对手，还率先发布了全球首款N3P芯片，提前占据了技术先机。
2.英伟达交付Jetson Thor AI芯片——英伟达终于交付其备受期待的Jetson Thor GPU芯片，该芯片专为嵌入式人工智能（AI）设计打造。该系列芯片包含两个不同功耗版本——T5000与T4000，主要面向人形机器人、图像处理及多模态边缘AI应用场景。T4000版本集成1536个Blackwell GPU核心，配备64个运行频率高达1.57GHz的第五代张量核心。搭载12个主频2.5GHz的ARM Neoverse V3AE汽车级核心，并配置64GB低功耗LPDDR5X内存。
