为进一步加强国际国内交流合作，展示最新科技成果，促进集成电路产业可持续健康发展，由中国国际光电博览会(简称CIOE中国光博会)与集成电路创新联盟主办、爱集微与深圳市中新材会展有限公司共同承办“SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展”将于2025年9月10—12日在深圳国际会展中心(宝安)举行。
与同期举办的“第26届中国国际光电博览会”形成双展联动之势，为行业搭建技术交流、成果展示的商贸平台。其中，功率半导体器件技术与应用创新发展论坛作为“SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展”的重要议程，将于9月11日下午在14号馆馆内会议室召开。论坛将集结产学研用领域顶尖力量，围绕新型功率器件研发、材料创新（如碳化硅、氮化镓等宽禁带材料应用）展开研讨，为这一“电力电子心脏”产业的高质量发展注入强劲动力。
功率半导体是电力设备“电能变换与控制”的核心器件，堪称现代电力电子系统的“心脏”，从新能源汽车电控系统、直流充电桩，到光伏储能逆变器、轨道交通电力控制，再到智能电网高效输电，其身影遍布战略性新兴产业关键环节，直接决定设备的能效、可靠性与成本竞争力。然而，产业高速发展背后仍面临挑战——宽禁带材料（碳化硅、氮化镓）应用适配性不足、功率模块封装可靠性待提升、核心零部件国产化替代亟待突破等问题，亟需技术创新与市场创新应用的协同破解。
本次论坛特邀来自高校、龙头企业及科研机构的专家，以主题演讲形式分享创新成果、拆解技术难题，为行业发展指明方向：
红与蓝微电子（上海）有限公司系统科学家李全春聚焦《基于氮化镓器件的小功率软开关逆变器》，解析氮化镓在小功率场景下的能效优势，提供可落地的逆变器技术方案；
浙江大学教授陈敏以《埋入式SiC功率模块集成封装技术》为主题，探讨如何通过封装创新提升碳化硅模块的可靠性与散热性能，突破功率器件的发展瓶颈；
英诺赛科（深圳）半导体有限公司高级产品应用工程师黄锋解读 《InnoGaN: 驱动下一代高性能电源革新》，分享英诺赛科在氮化镓技术上的突破，推动电源产品向“高效、轻薄”升级；
纳微半导体高级技术市场工程师戴凯奇直击“AI能耗困局”，阐述纳微半导体 GaN&SiC 器件如何推动数据中心电源能效进阶，为数字经济降本增效；
广东工业大学集成电路学院教授张紫辉聚焦《GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究》，从基础研发角度解析氮化镓器件性能优化路径；
陕西宇腾电子科技有限公司专案经理刘熠以《氮化镓外延原理及应用场景介绍》为主题，打通氮化镓材料研发与下游应用的认知壁垒，助力材料与场景精准适配；
内蒙古京航特碳科技股份有限公司产品经理牟乔乔聚焦《离子注入机石墨零部件的国产化替代与创新》，破解功率半导体核心设备零部件“卡脖子”难题，推动产业链自主可控；
国家第三代半导体技术创新（深圳）深圳平湖实验室主任助理左正从行业视角梳理《功率化合物半导体的发展，挑战与创新》，分析产业格局与未来技术路线，为企业战略布局提供参考。
会议议程
本次论坛不仅是技术分享的 “思想盛宴”，更是产业协同的 “对接窗口”，参会者在论坛结束后可直接移步展区，与国内外功率半导体材料、器件、设备及应用企业洽谈合作，实现“听论坛、看展品、找商机”的一站式产业对接，加速技术成果转化与供应链资源整合。
论坛时间：2025 年 9 月 11 日下午
论坛地点：14 号馆馆内会议室
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邮箱：mengying@ijiwei.com
