据报道，三星电子7月向英伟达发送的第六代高带宽存储器（HBM4）样品已通过可靠性测试，并将于8月底进入最后的预生产阶段。如果最终测试进展顺利，HBM4最早可能在今年底开始量产。
三星电子的HBM4样品已于7月交付给英伟达。据报道，该样品已通过初步原型测试和质量测试，并将于8月底进入“预生产”阶段。一位业内人士表示：“据我了解，它在包括良率在内的质量方面获得了积极评价，并且已经进入预生产阶段。”他补充道：“如果通过预生产阶段，它将在11月或12月实现量产。”
预生产是半导体量产前的最终验证程序。三星电子7月提供的HBM4原型是“工程样品”，用于确认其功能。预生产阶段将测试其与客户图形处理器（GPU）的兼容性，并验证其在特定温度条件下是否符合高质量标准。一旦通过此阶段，即可开始量产。
HBM4将应用于英伟达的下一代AI加速器“Rubin”。
此外，据悉，三星电子的12层HBM3E产品也将于8月底通过英伟达的质量测试并开始交付。
如果三星电子成功向英伟达供应HBM3E和HBM4，预计明年AI内存市场的格局将发生重大变化。今年上半年，三星电子在HBM市场的份额从去年同期的41%下降至17%。同期，SK海力士的份额从55%增至62%，美光则从4%增至21%。金融投资业界预测，三星电子明年HBM销售额的增长率有望翻一番以上。
为了配合HBM销售额的扩大，三星电子也有可能在美国进行大规模的追加投资。一种方案是将韩国平泽工厂的DRAM出口到美国，并在当地进行HBM封装，以规避美国关税。因此，有预测称，三星电子可能在8月25日韩美峰会前后宣布对其位于得州泰勒厂进行大规模追加投资的计划。
与此同时，针对HBM4的供应问题，三星电子表示：“关于与客户相关的事宜，我们目前还没有可以确认的信息。”（校对/赵月）
