2025年8月3日-4日，由中国科学院微电子研究所、先进微系统集成协会、西安电子科技大学、中国电子学会、中国电子材料行业协会、青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司共同主办的2025中国国际低温键合3D集成技术研讨会（LTB-3D 2025 Satellite in China）在天津盛大召开。作为国际半导体低温键合领域的重要会议，本届大会首次落地中国即引发行业瞩目，吸引了来自英国、新加坡、日本、奥地利、荷兰、德国等20余国的200余名顶尖专家及企业代表齐聚一堂，围绕低温键合3D集成技术展开深度交流，共同推动行业创新发展。
技术聚焦
低温键合引领半导体新趋势
本次大会围绕表面活化键合、混合键合与3D集成、新型低温键合工艺及材料等六大主题展开研讨，汇聚了全球顶尖研究成果：
国际权威分享：日本东京大学/明星大学须贺唯知教授、武汉大学刘胜教授等11位专家发表主旨报告，涵盖键合技术的历史、现状与未来展望。
产学研深度结合：来自牛津大学、东京大学、中国科学院微电子研究所等机构的30余个邀请报告及口头报告，展示了低温键合技术在材料、工艺、器件等领域的最新突破。
出席大会主要嘉宾
青禾晶元
与行业共成长
青禾晶元始终致力于推动低温键合技术的研发与应用，在此次与国内外专家的会议中，我们深入探讨了技术难点与市场机遇，并展示了公司在低温键合设备及材料工艺领域的深厚积累：依托自主创新，青禾晶元已在低温键合领域形成独特技术优势；同时通过与国际顶尖机构及企业的协作交流，持续完善技术布局，助力产业链协同发展。未来，青禾晶元将继续深耕低温键合技术，为行业提供更高效的解决方案。
展望未来
低温键合技术的无限可能
在AI算力爆发、先进封装、化合半导体第三波材料浪潮需求的三重驱动下，低温键合技术将成为延续摩尔定律的核心技术路径，催生新一代异质集成解决方案，为中国半导体产业向高端制造升级提供重要契机。
青禾晶元期待与更多合作伙伴携手，共同推动低温键合技术的创新与应用，为行业发展注入新动力。
