8月5日，璞璘科技在其微信公众号中宣布，其自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备已顺利通过验收并交付国内特色工艺客户。这一里程碑事件标志着我国在高端半导体装备制造领域迈出坚实步伐，成功打破国外厂商在该领域的技术垄断。
据悉，PL-SR系列设备实现了多项关键突破。该设备攻克了步进硬板的非真空完全贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等核心技术难题，可支持线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺。值得注意的是，这一技术指标已超越国际巨头佳能同类产品FPA-1200NZ2C（支持14nm线宽）的水平。设备配备自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统等核心模块，展现出强大的自主创新能力。
相比传统EUV光刻技术，纳米压印技术可降低60%的设备投资成本，并将耗电量控制在EUV技术的10%。特别在存储芯片制造领域，该技术因适合重复性图形结构而展现出独特优势，为国内存储芯片厂商突破制程瓶颈提供了新的技术路径。目前，该设备已完成存储芯片、硅基微显等多个领域的研发验证。
此次突破具有重要的战略意义。佳能同类产品此前明确对中国禁运，PL-SR系列的成功交付不仅打破了这一技术封锁，更为我国半导体产业链自主可控提供了关键装备支撑。虽然纳米压印技术在复杂逻辑芯片制造上仍有效率瓶颈，但在存储芯片等特定领域已展现出替代潜力，有望助力国内厂商提升市场竞争力。
