1、AMD MI350 AI加速器涨价70%，需求激增引关注
2、三星李在镕赴美支持关税谈判，携巨额投资与特斯拉合作
3、青禾晶元键合技术突破GeOI产业化瓶颈：散热效率提升40%、键合面积提升至95%以上！
4、VSAP岘港启动7000万美元先进封装项目
5、市场竞争激烈致业绩下滑 复旦微电上半年营收微增净利润预减39%-48%
1、AMD MI350 AI加速器涨价70%，需求激增引关注
7月29日，韩国媒体援引汇丰银行研究报告指出，AMD对其Instinct MI350 AI加速器进行了价格调整，售价从15,000美元上调至25,500美元，涨幅高达70%。此次价格调整引发了业界的广泛关注。
AMD Instinct MI350 AI加速器在性能上对标英伟达的B200，但其价格优势一直备受市场青睐。此次大幅涨价，AMD方面暗示市场需求显著增加，可能是导致价格上调的主要原因。据悉，MI350加速器在人工智能和高性能计算领域具有广泛应用，其高性能和较低的价格使其在市场上具有较强的竞争力。
回顾过往，AMD在AI加速器市场的布局已久。Instinct系列作为其主打产品线，一直在不断迭代升级，以满足日益增长的市场需求。此次MI350的价格调整，虽然短期内可能会对部分用户的采购计划产生影响，但从长远来看，市场对高性能AI加速器的需求依然旺盛，AMD有望继续在这一领域保持领先地位。
值得一提的是，汇丰银行的研究报告还指出，随着AI技术的不断发展和应用场景的拓展，AI加速器的市场需求将持续增长。AMD此次涨价或许正是基于对未来市场前景的乐观预期。此外，报告还提到，AMD在技术研发和产品创新上的持续投入，是其能够在激烈的市场竞争中保持优势的关键因素。
2、三星李在镕赴美支持关税谈判，携巨额投资与特斯拉合作
三星电子会长李在镕近日启程前往美国华盛顿，旨在支持与美国的贸易谈判。此次行程正值韩美贸易谈判进入关键阶段，双方在关税问题上展开激烈博弈。李在镕的此次出行，是其自7月17日最高法院宣判无罪后的首次公开活动。
李在镕于当天下午3点50分抵达金浦机场，随即前往美国。在美方相互关税生效前三天，李在镕此行很可能将提出扩大对美半导体投资和先进人工智能（AI）半导体领域的技术合作，作为韩方的谈判底牌。
三星电子在美国得克萨斯州奥斯汀已运营一家代工工厂，并计划到2030年在美国当地投资超过370亿美元（约合54万亿韩元），建设半导体生产基地。目前，该公司正在德克萨斯州泰勒市建设一家铸造厂，预计明年开始运营。
值得一提的是，三星电子在前一天与特斯拉签署了一份价值22.8万亿韩元的代工供应合同，这是该公司有史以来最大的合同之一。根据合同，三星将从明年开始在泰勒的工厂生产特斯拉的下一代人工智能芯片AI6。业内人士分析，这份合同不仅符合美国政府重振半导体产业和招商引资的政策，也将为韩美贸易谈判增添有力筹码。
3、青禾晶元键合技术突破GeOI产业化瓶颈：散热效率提升40%、键合面积提升至95%以上！
技术背景与优势
锗拥有高折射率特性，当光线从一种介质进入锗材料时，会发生较大角度的偏折，这一特性使得锗在操控光线方面具有强大的能力，能够精准地改变光线的传播路径，为光学器件的设计和应用提供了丰富的可能性。
GeOI（Germanium on insulator, 绝缘体上锗）衬底技术作为新一代半导体材料的关键解决方案，凭借其独特性能，在高频电子器件、光电子集成及量子计算等领域展现出显著优势。该技术通过在绝缘层上集成锗薄膜，结合了锗材料的高载流子迁移率和硅基工艺的成熟特性。目前，全球范围内GeOI技术正处于从实验室研发向产业化过渡的关键阶段。
产业化面临的主要挑战
在实际应用推广过程中，GeOI技术主要面临三大技术瓶颈：
热管理难题
锗材料的热导率仅为58 W/m·K，远低于硅材料的150 W/m·K。这一特性导致高功率器件工作时产生严重的热积累问题，采用传统高温键合工艺的GeOI器件，在高负载工况下温升可达100℃以上。但通过采用低温SAB（Surface Activated Bonding）键合工艺，将锗薄膜直接键合于高阻硅衬底，无中间氧化层，能够减小温度变化引发的热应力，降低界面开裂风险，有效提升散热，显著提升器件的性能与可靠性。
界面缺陷和键合强度
Ge表面易形成不稳定的氧化层，该氧化层不仅易挥发，且与SiO₂界面的结合力较弱；同时，键合界面可能存在微空洞或污染物，这些因素共同导致键合强度下降。通过特殊工艺，对键合界面进行处理，能够有效去除自然氧化层，实现Ge和Si的直接键合，提高键合表面洁净度，减少污染，提升键合界面强度。
产品成本挑战
一方面，全球锗材料年供应量仅200吨，受此限制，高纯锗材料的市场价格高达硅材料的10倍以上；另一方面，现有硅基产线无法直接兼容多种尺寸的GeOI衬底，需要针对性改造，包括光刻、蚀刻等关键工艺参数的重新优化，这将使设备改造成本增加30%-50%。使用多尺寸兼容设备，可以降低改造成本；在产线中集成晶圆回收模块，实现Ge 重复利用，也可以降低产品成本。
关键技术突破
针对上述挑战，青禾晶元SAB61超高真空常温键合系列设备提供了创新解决方案：
在热管理方面
设备采用常温键合技术，通过超高真空（10⁻⁶Pa）条件下的等离子体活化实现原子级结合。这一工艺完全避免了传统高温键合带来的热应力问题，实测显示器件散热效率提升40%。
在键合强度方面
通过清洗工艺或等离子体活化去除自然氧化层，提升键合表面洁净度，提高键合界面强度。
在量产成本方面
设备支持2-12英寸晶圆的混线生产，并集成H-cut回收模块。这种设计使锗材料利用率提升80%以上，8英寸GeOI衬底的单片生产成本从200美元降至75美元。
GeOI技术产业化的新纪元
未来，随着锗回收工艺的持续优化、异质材料常温键合集成技术的突破，以及太赫兹通信、量子计算专用器件等应用方向的深入探索，GeOI技术将在更广阔的领域发挥关键支撑作用。产学研协同创新将成为推动技术落地的核心动力，而国产设备的突破，则为中国半导体产业在全球竞争中赢得了重要的技术话语权。
GeOI技术的产业化进程，不仅是材料科学领域的一次重要突破，更是半导体制造能力的全面跃升。在5G/6G通信、高性能计算、光电集成等前沿领域的持续推动下，GeOI衬底有望成为下一代半导体器件的核心基石，进而开启全新的技术时代。
4、VSAP岘港启动7000万美元先进封装项目
7月28日，位于越南岘港市第二软件园区的VSAP先进封装技术实验室项目（Fab - Lab）正式宣告启动，这一项目的落地标志着当地半导体领域迎来新的里程碑。
据悉，该项目总投资高达1.8万亿越南盾，折合约7000万美元。如此庞大的资金投入，充分展示了项目各方对先进封装技术研发的坚定决心和强大信心。先进封装技术作为半导体产业链中的关键环节，对于提升芯片性能、降低功耗以及实现系统级集成等方面具有至关重要的作用。
VSAP先进封装技术实验室的选址经过综合考量，最终落户岘港市第二软件园区。该园区拥有完善的基础设施和良好的产业生态，而岘港市在人才和科研实力方面也表现突出，为项目的推进和研发奠定了坚实基础。该实验室将专注于前沿封装技术的研究，涵盖系统级封装（SiP）等多个领域，有望取得自主知识产权的成果，为半导体产业提供强有力的技术支撑。项目的启动将对当地经济发展具有显著带动作用，建设和运营过程中还将创造大量就业机会，吸引高端人才，研发成果的转化将进一步推动产业升级和结构优化。
值得一提的是，岘港市在半导体产业领域的布局已久，此次VSAP先进封装技术实验室的启动，无疑是该市在这一领域迈出的重要一步。未来，随着项目的深入推进，岘港市有望成为全球半导体产业的重要节点，也预示着越南在全球半导体产业中的地位有望进一步提升。
5、市场竞争激烈致业绩下滑 复旦微电上半年营收微增净利润预减39%-48%
7月29日，复旦微电（688385.SH）发布2023年上半年业绩预告，预计实现营业收入18.2亿元至18.5亿元，同比增长1.44%至3.12%；实现归属于母公司所有者的净利润1.8亿元至2.1亿元，同比下降39.67%至48.29%。
报告期内，复旦微电的研发投入、总资产、负债及经营活动产生的现金流净额等财务指标具体情况尚未披露。
关于报告期内业绩变动的原因，复旦微电说明称，公司各产品线所面对的市场竞争激烈，尽管公司积极拓展新产品和新市场，巩固或扩大市场占有率，但归母净利润仍出现较大幅度下滑。报告期内，除非挥发存储器外，集成电路设计板块各产品线均取得增长，致营业收入有所提升；综合毛利率水平同比基本稳定。
在运营方面，复旦微电持续加大研发力度，推动产品技术创新，积极应对市场变化。公司通过多产品线的均衡发展，努力提升市场竞争力，尽管面临诸多挑战，但仍保持了营业收入的稳步增长。
