展位信息
爱德万测试：A14
展会地点：上海嘉定喜来登大酒店
(嘉定区菊园新区嘉唐公路66号）
展会时间：2025年8月5-7日
随着3D先进封装芯片内部结构日益复杂，密度高、结构精细的特征使封装级失效点隐蔽多样，增加了封装级失效分析难度。
ESD电容引起的强衰减，信号幅度降低，失效难以识别，无法直接检测Die内部失效
爱德万测试TS9001TDR创新性地融合时域反射技术与仿真分析，精准定位封装级失效，推出两大核心检测方法：
波形归一化(Normalization)
与良品波形进行归一化，消除ESD影响，突显失效点的时域反射
近芯片校正(Near-Die Correction)
焊球到微凸点之间路径长度不一致，工艺公差导致波形幅度/时间偏移
定义KGR(已知良区)，进行如下最小二乘校正
校正后再归一化→消除样本差异，提高识别精度
