日本NAND大厂铠侠（Kioxia）宣布，将在今年度内量产被称为“第9代”的下一代存储产品，并已开始进行样品出货。
铠侠表示，采用第9代BiCS FLASH 3D 闪存技术的512Gb TLC产品已开始进行样品出货，预估将在本财年内（2026年3月底之前）进行量产。
铠侠表示，新产品采用基于第五代BiCS FLASH技术和最新CMOS技术的120层堆叠工艺的存储单元技术。与上一代产品相比，写入性能提升了61%，读取性能提升了12%，写入功耗提升了36%，读取功耗提升了27%。此外，引入了Toggle DDR6.0接口，实现了3.6Gb/s的传输速率。
据报道，铠侠新产品将利用铠侠四日市工厂生产，预估将应用于智能手机等领域。（校对/赵月）
