常州晶讯聚震科技有限公司宣布在其完全自主知识产权，基于核心专利衬底的TF-SAW滤波器多款产品和单晶FBAR高频滤波器完成重大突破：
核心突破一：无侵权TF-SAW双工器/四工器量产，性能与成本双优
· 自主专利衬底，打破壁垒： 晶讯成功量产多款基于非Soitech POI衬底，自主生产6英寸COI TF-SAW双工器与四工器（覆盖B66/B25/B7/B25+66+70等关键频段），其衬底结构专利显著区别于村田(Murata)与Soitec，确保完全无IP侵权风险。
· 性能卓越，尺寸灵活： 量产产品尺寸为1.6mm x 1.2mm，并同时满足1.4mm x 1.1mm的客户需求。在量产性能和一致性上取得实现重大突破， Typical IL<-1.6db. （图一），温度漂移系数**<5ppm/℃**，满足车规级可靠性
· 成本优势显著： 晶讯自主生产的COI衬底在晶圆端实现了接近30%的成本递减，为终端客户提供更高性价比的射频前端解决方案，满足手机与物联网设备对高性能滤波器的爆炸性需求。
图1 .B25DPX实测新能
目前晶讯正努力的扩大产能，在2025年Q3满足更多终端客户的量产需求。
核心突破二：单晶FBAR UHF WiFi 6/7新能突破壁垒
·WiFi 6/7全覆盖：量产的单晶FBAR滤波器实现高频段全覆盖：
·WiFi 6FB：中心频率(f0 ):5503MHz， 带宽(BW):665MHz,
·WiFi 7FB：中心频率(f0) 6535MHz，带宽(BW) 1180MHz
·性能全面领先：在插入损耗(IL)、带外抑制及功率承载等核心指标上取得革命性突破
·卓越的功率承载： WiFi 7FB实测可承载高达36dBm功率（调制模式QPSK，带宽10MHz），满足最严苛应用场景。
·超低插损与高抑制： 显著优于国际竞品，完美解决多频段共存干扰难题。
·“无IP侵权”单晶高掺杂外延技术：专利的单晶高掺杂AlScN POI晶圆与独特设计，掌握从单晶外延、前道制程到封装的全流程自主技术，核心专利已获美国及多地区授权。
该系列产品可实现WiFi 6GHz全覆盖、将广泛应用于5G智能手机、可穿戴产品、CPE、近地轨道卫星通信、WiFi 6无线路由器、无人机、工业机器人、笔记本电脑等产品终端，两颗物料封装尺寸分别为1.4 mm*1.1mm和1.8mm*1.4mm(与国外主流品牌Pin脚兼容)，
图2 产品实物：WiFi 6 FB 1.4mm x 1.1mm（左）；WiFi 7 FB 1.8mm x 1.4mm（右）
图3 晶讯WiFi 6 FB滤波器实测性能
图4 晶讯WiFi 7 FB滤波器实测性能
同时为满足客户的更高功率的承载要求，CRT WiFi 7FB实际可承载功率为36dbm, 和国际大厂Q B83xx在客户端的实际测试对比详见下表
图5 测试条件：调制模式QPSK，测试带宽10MHz
晶讯聚震创始人兼首席执行官Dror Hurvits 表示：“晶讯聚震致力于让客户体验更完美的信号传输通讯，COI TF-SAW和WiFI 6&& FBAR性能上的突破，这代表了世界领先的滤波器工艺技术和先进封装技术！这两个系列的i滤波器均利用了晶讯聚震“无IP侵权”的专利术，掌握了从单晶外延片、前道制程、后端MEMS工艺和封装的全流程工艺技术，产品不仅全部中国制造，重要的是，它也是中国创造，所有自主专利已获美国和其他地区授权。同时，晶讯目前正在导入多家领先的WiFi SoC和OEM供应商提供高性能的WiFi6 FB & WiFi7 FB共存滤波器。“
截止目前晶讯已可以为海外和国内客户提供以下7款高频滤波器，满足客户需求 （图6）
图6-晶讯部分已量产的高频FBAR滤波器
晶讯聚创自成立以来持续迭代的单晶衬底技术和大量的专利授权，晶讯聚震已完成4大类的产品布局，
A. 用于Sub-3G以下频段的TF-SAW；
B. 超高频率的单晶XOI BAW；
C. Sub-6G的高频大功率 MCM-FBAR；
D. 5G&WiFI 频段的单晶 POI-FBAR。
图7 晶讯创新的单晶滤波器架构
晶讯聚震依托公司自有专利的单晶压电FBAR及COI材料、设计，制造先进的滤波器，公司位于天津的1600平方米晶圆厂专注于制造高性能压电外延，具备对以压电外延薄膜为基础制造的滤波器进行射频测试及调频的能力，常州工厂完成晶圆的最终加工，公司产品覆盖了中高频的滤波器、双工器、多工器以及混合滤波器。
