当传统制程微缩逼近物理极限，芯片巨头们正在另一条赛道加速冲刺——垂直方向。Counterpoint Research最新报告指出，混合键合（Hybrid Bonding） 技术已成为实现“单颗芯片一万亿晶体管”目标的关键跳板。当前先进封装虽提高了I/O密度，但愈发复杂的异构设计与Chiplet架构对I/O数量、延迟提出了更高要求，以满足AI、5G和高性能计算等应用。混合键合互连技术正成为关键突破口，它可显著降低能耗、扩大带宽、优化热管理，从而助力摩尔定律继续前行。
Counterpoint Research指出，随着半导体行业迅速转向3D集成，混合键合技术将成为推动下一代高性能计算（HPC）和AI加速器先进封装解决方案的主要驱动力。当前，混合键合技术已在3D Co-Packaged Optics、高带宽内存（HBM）和3D DRAM等领域展现出巨大潜力，通过提供超密集、低损耗的互连，显著提升性能、效率和微型化水平。
数据显示，目前市场上对混合键合技术的需求正急剧增长，特别是在AI、5G和HPC应用中，混合键合技术因其显著的节能、带宽增强和热管理优势，成为满足高I/O密度和低延迟需求的关键解决方案。预计未来几年，混合键合技术的市场规模将大幅扩张，成为支撑摩尔定律持续发展的核心力量。
Counterpoint Research此前预测，混合键合技术将在2025年前后实现广泛应用，推动半导体行业进入一个新的增长阶段。其他机构如国际半导体技术路线图（ITRS）也预测，混合键合技术将成为未来十年内半导体封装领域的主流技术之一，助力实现更高性能和更低功耗的芯片设计。
