编者按：一直以来，爱集微凭借强大的媒体平台和原创内容生产力，全方位跟踪全球半导体行业热点，为全球用户提供专业的资讯服务。此次，爱集微推出《海外芯片股》系列，将聚焦海外半导体上市公司，第一时间跟踪海外上市公司的公告发布、新闻动态和深度分析，敬请关注。《海外芯片股》系列主要跟踪覆盖的企业包括美国、欧洲、日本、韩国、中国台湾等全球半导体主要生产和消费地的上市公司，目前跟踪企业数量超过110家，后续仍将不断更替完善企业数据库。
上周，恩智浦Q2营收下降6.4%至29.3亿美元；台积电Q2营收9337.9亿元新台币，年增38.6%；三星加速美国德州芯片厂建设；台积电中科1.4nm厂或年底动工；韩国AI芯片创企FuriosaAI斩获LG大单；韩国芯片设计公司Semifive启动IPO预审；低功耗芯片厂商Ambiq Micro启动美股IPO；AMD新一代Zen 6或采用台积电N2制程；尼康光刻机DSP-100发布，专为先进封装设计。
财报与业绩
1.恩智浦Q2营收下降6.4%至29.3亿美元——芯片制造商恩智浦半导体公布第二季度营收下降6%，主要原因是在整体市场疲软的背景下，通信和基础设施部门的业绩疲软。根据伦敦证券交易所汇编的数据，恩智浦第二季度营收下降6.4%，至29.3亿美元，但仍略高于分析师预期的29亿美元。第二季度每股收益为2.72美元，高于预期的2.68美元。
2.台积电Q2营收9337.9亿元新台币，年增38.6%——7月17日，台积电公布的财报显示，该公司第二季度营收9337.9亿元新台币，季增11.3%，年增38.6%，税后纯益约3982.7亿元新台币，季增10.2%，年增60.7%，每股盈余为15.36元新台币，年增加60.7%。若以美元计算，台积电第二季度营收为300.7亿美元，年增44.4%，季增17.8%。
投资与扩产
1.三星加速美国德州芯片厂建设——据外媒报道，三星电子已派遣具备芯片制造各领域专业知识的员工前往其位于美国德克萨斯州的工厂，此举可能是为了加速泰勒工厂的建设，并暗示美国公司可能对向三星下芯片订单表现出兴趣。此前，三星推迟了泰勒工厂的启动，主要是由于难以确保其芯片产量的客户。根据三星C&T（负责该项目的三星电子建设部门）的文件显示，截至3月，该工厂的建设进度已达91.8%。尽管最初计划于2024年4月完工，但提交给韩国金融监管机构的文件显示，截止日期现已延长至2025年10月底。
2.台积电中科1.4nm厂或年底动工——据媒体7月19日报道，台积电中科1.4nm厂预计年底动工，首座厂预计2028年量产。今年4月，台积电释放生产据点规划消息，中科二期计划编号为晶圆25厂，业界传出将兴建四座1.4nm晶圆厂，首座厂预计2027年底完成风险性试产，2028年下半年正式量产，将导入2nm以下制程，初期月产能规划约5万片。台积电本规划中科第一座2nm制程最快在2024年投产，后续更改为导入2nm以下制程。
市场与舆情
1.韩国AI芯片创企FuriosaAI斩获LG大单——韩国AI芯片创企FuriosaAI致力于设计芯片与英伟达竞争，在拒绝Meta Platforms的8亿美元收购要约数月后，终于签下首份重要合同。经过七个月的严格评估，这家初创公司的AI芯片RNGD最终获得LG AI Research的批准，该芯片涵盖性能和效率。FuriosaAI CEO June Paik表示，LG将使用该芯片为其Exaone大型语言模型提供支持。
2.英伟达H20芯片供应对华解禁——根据《The Information》周六（19日）报导，美国芯片巨头英伟达已告知中国客户，其H20人工智能（AI）芯片供应量有限。H20为目前美国允许英伟达对中国出口的最高阶AI芯片。报导引述两位知情人士指出，美国政府于4月下令禁止H20芯片出口至中国，使英伟达被迫取消原先的客户订单，并撤销在芯片代工大厂台积电的制造产能预约。英伟达本周正式表示，将恢复向中国销售H20芯片，但依据现行美国出口政策，仍需事前取得授权许可。
3.韩国芯片设计公司Semifive启动IPO预审——韩国芯片设计公司Semifive已在首尔提交首次公开募股（IPO）预审申请，寻求刺激增长，以满足人工智能（AI）等领域对半导体日益增长的需求。Semifive表示，此次申请启动了在韩国科斯达克上市的程序。三星证券公司和瑞银集团担任联席主承销商。主要合作伙伴包括韩国AI芯片初创公司FuriosaAI和Rebellions。
4.低功耗芯片厂商Ambiq Micro启动美股IPO——Ambiq Micro是一家为人工智能（AI）应用生产超低功耗半导体的制造商，该公司正寻求通过首次公开募股（IPO）筹集高达8500万美元的资金。该公司计划在纽约证券交易所上市，股票代码为AMBQ，预计将于7月29日纽约股市收盘后定价。根据该公司向美国证券交易委员会提交的文件，这家总部位于奥斯汀的公司计划以每股22~25美元的价格发行340万股股票，投资者包括Arm。
技术与合作
1.AMD新一代Zen 6或采用台积电N2制程——有媒体19日报道，AMD新一代Zen 6架构处理器传出将采用台积电N2制程，即AMD所有服务器与高阶消费级处理器，几将全数采用台积电N2P（2nm加强版）制程。法人机构表示，AMD是台积电N2制程的首批客户，其第六代服务器处理器 EPYCVenice 成为业界首款在台积电N2制程下完成设计定案（tape out），并通过初步验证的高效能运算（HPC）处理器，并同时采用SoIC和CoWoC-L封装制程，取代苹果成为N2制程首发客户，但其对整体N2制程的贡献度在六大客户中相对最小。
2.Rapidus成功研发2纳米芯片原型——日本Rapidus公司近日宣布，已成功开发出一种先进芯片的原型，标志着这家受政府支持的初创公司在巨额公共资金支持下，取得了重要的早期创新成果。Rapidus总裁小池淳昨日向媒体透露，该公司上周采用2纳米环栅工艺技术在晶圆上成功印刷电路，但未透露生产的功能芯片数量。Rapidus自今年4月起使用ASML Holding NV的极紫外（EUV）光刻设备开发晶圆，目标是在明年3月前为客户提供芯片。
3.三星突破10纳米级DRAM制程，力攻HBM4市场——三星电子近日宣布，已成功突破10纳米级第六代（1c）DRAM制程的良率门槛，良率超过50%，并计划在下半年导入第六代HBM（HBM4）进行量产。这一突破标志着三星在高端存储器领域的重大进展。1c DRAM制程节点约为11～12纳米，相较于目前主流的第4代（1a，约14nm）和第5代（1b，约12～13nm）DRAM，1c DRAM具备更高密度、更低功耗和更薄的晶粒厚度，有利于在HBM4中堆叠更多层次的记忆体，从而大幅提升容量与频宽密度。
4.尼康光刻机DSP-100发布，专为先进封装设计——随着先进封装技术发展，电路图案日益微细化，封装尺寸也不断扩大。预计采用树脂或玻璃基板的面板级封装需求将进一步增长。尼康（Nikon）宣布将于2025年7月起，正式接受面向半导体器件制造后道工艺的数字光刻机“DSP-100”的订单，预计2026年内正式上市，该设备专为先进封装领域设计，能够支持最大600mm见方的大型基板，并具备1.0μm（L/S）高分辨率。
