【放弃】闪迪放弃密歇根州550亿美元半导体项目投资

1.美国商务部对中国石墨征收93.5%反倾销税，总关税达160%

2.亚马逊AWS云计算部门裁员至少数百人

3.英伟达恢复对华H20销售始末：黄仁勋如何说服特朗普的？

4.闪迪放弃密歇根州550亿美元半导体项目投资

5.正式官宣！新思科技完成对Ansys的收购

6.魏哲家：台积电美国三厂已开始建设，将采用2nm与A16技术

7.移动HBM引爆“内存战争”，手机大厂卷入昂贵的游戏？

1.美国商务部对中国石墨征收93.5%反倾销税，总关税达160%

美国商务部初步决定对来自中国的石墨产品征收93.5%的初步反倾销关税，理由是这些关键电池材料被“不公平补贴”。

这是在去年12月美国活性负极材料生产商协会提出申诉后作出的裁定，此前得出结论认为这些材料是电动汽车电池的关键部件，以低于公平市场价值在美国销售。据一份商务部情况说明书显示，所有中国生产商的单一反倾销幅度和现金存款率为 93.5%。

加上此前已有的关税，这一决定将使对华石墨总税率达到160%。

石墨是电动汽车电池的主要材料，专门用于阳极，美国大部分石墨依赖进口。去年，美国进口了约18万吨石墨，其中三分之二来自中国。

发起此次申诉的贸易组织指责中国企业向美国市场倾销石墨，并削弱了当地供应商的竞争力。美国商务部的初步裁定附带警告：最终裁定将于12月5日前做出。

为此，汽车制造商将不得不做出一些艰难的抉择。价格正在上涨，利润率却在下降。除非有人能迅速找到石墨的替代品，否则这项关税将改写美国电动汽车的生产规则。

2.亚马逊AWS云计算部门裁员至少数百人

据两位消息人士称，亚马逊周四在其亚马逊网络服务 (AWS) 云计算部门裁员至少数百人。就在一个月前，首席执行官安迪·贾西 (Andy Jassy) 曾警告称，采用生成式人工智能工具将导致裁员。亚马逊发言人证实已裁员，但未透露具体数字。

截至 3 月底，亚马逊在全球拥有 160 万名全职和兼职员工，如今，它已加入微软、Meta、和 CrowdStrike等越来越多的公司宣布今年裁员的行列。

许多公司越来越多地使用人工智能为其软件编写代码，并采用人工智能代理来自动化日常任务，以节省成本并减少对人力的依赖。

亚马逊发言人在一封电子邮件声明中表示：“我们做出了艰难的商业决策，将在AWS特定团队中裁减部分职位。这些决策是必要的，因为我们将继续投资、招聘和优化资源，为客户提供创新。”

AWS第一季度销售额同比增长17%，达到293亿美元，营业收入增长23%，达到115亿美元。

多名员工提到，他们在周四早上收到了电子邮件，告知他们已被解雇，电脑也将被停用。

虽然无法确定裁员的具体范围，但至少有一个被称为“专家”的团队受到了影响。专家们与客户合作，帮助创造新的产品创意并销售现有服务。

亚马逊表示，AWS 内部的多个团队也参与了裁员。

亚马逊一直在进行零散的裁员，最近裁减的是图书、设备和服务部门以及 Wondery 播客部门。贾西正在减少他所说的公司过度官僚主义，包括裁减管理人员。

3.英伟达恢复对华H20销售始末：黄仁勋如何说服特朗普的？

凤凰网科技讯 北京时间7月17日，美国政府本周态度大反转，突然允许英伟达恢复在中国销售H20芯片。这背后究竟发生了什么？《纽约时报》周四发文，披露了其中的内幕。

不情愿的说客

英伟达CEO黄仁勋(Jensen Huang)今年62岁，他一开始并不情愿做说客。据两名要求匿名的英伟达前员工透露，这位科班出身的电气工程师曾认为政府事务无关紧要。

但是，由于英伟达的AI芯片卷入了全球政治漩涡，他不得不投身华盛顿的政治事务。拜登政府对英伟达的对华AI芯片销售实施了出口管制。特朗普政府则承诺将进一步收紧管制。

在特朗普就职典礼结束后，黄仁勋造访了白宫，并首次与特朗普会面，谈到了AI政策和半导体相关事宜。但是会后，特朗普向记者表示，他无法确定是否会进一步禁止英伟达对华销售芯片。和拜登政府的官员一样，特朗普的顾问们担心这些芯片会帮助中国企业追上美国的AI技术。

H20被禁

据四位知情人士透露，今年4月，特朗普政府警告英伟达称，计划叫停该公司在中国销售的最后一款AI芯片：H20。

知情人士称，负责监管出口限制的商务部长霍华德·卢特尼克(Howard Lutnick)邀请黄仁勋前往海湖庄园，与特朗普会面并作最后的陈情。在一场每位宾客需支付100万美元才能上桌的烛光晚宴的间隙，黄仁勋试图说服特朗普不要限制对华芯片销售。他解释说，H20的性能远不及该公司在其他地区销售的产品，失去中国市场不但会损害美国企业的利益，还会帮助中国竞争对手。

然而，后来听取这次对话简报的美国政府官员认为，黄仁勋刻意淡化了芯片的性能。H20芯片配备了高性能内存，能够处理复杂的运算请求，而中国客户正投入数十亿美元采购它。

两周后，美国政府向英伟达发出了一封信，正式叫停这款芯片在中国的销售。

另一关键人物

不过，两位知情人士透露，资深硅谷投资人、现任白宫AI负责人大卫·萨克斯(David Sacks)比美国政府内的其他人更容易接受黄仁勋的对华立场。萨克斯不喜欢拜登政府的另外一项规定，该规定对AI芯片在全球的销售进行了管控。他还对华盛顿的一个共识提出了质疑，即向国外销售AI芯片会对美国不利。

知情人士称，黄仁勋开始与萨克斯以及在美国政府从事AI工作的斯里拉姆·克里希南(Sriram Krishnan)定期沟通。在华为宣布推出名为CloudMatrix 384、性能可媲美美国产品的AI系统后，黄仁勋对于华为的担忧开始引起萨克斯的共鸣。

今年4月，在华盛顿的一场会议上，黄仁勋敦促美国政府放宽对芯片销售的限制。“中国并不落后。他们领先我们了吗？中国就紧跟在我们身后，差距非常非常小。”他表示。

随后，黄仁勋与特朗普一同出现在白宫，宣布英伟达将向美国制造业投资5000亿美元。

黄仁勋当时笑着说：“坦白说，如果没有总统的领导、他的政策、他的支持，尤其是他强有力的推动，我是说他那种强有力的推动，美国制造业不会以这样的速度加快发展。”特朗普则在一旁得意地笑。

据英伟达高管后来说，黄仁勋的这段话是事先没有安排好的即兴发言。

第二天，黄仁勋在负责监督对外芯片销售限制的众议院外交事务委员会作证。他批评了拜登政府限制芯片销售的规定，并警告称，禁止对中国销售芯片会伤害美国，而不是帮助美国。

两名熟悉听证会情况的国会助理透露，当被问及中国创业公司DeepSeek是否使用了英伟达技术时，黄仁勋巧妙回避了这一问题。今年年初，DeepSeek发布的一款AI系统性能堪比美国产品，震惊了整个科技行业。

英伟达总法律顾问蒂姆·泰特(Tim Teter)陪同黄仁勋参与了此次华盛顿之行。他表示：“黄仁勋的目标始终是从根本上向政策制定者或华盛顿圈内的其他人提供他们需要或想要听到的信息，并回答他们的问题。他确实做到了这一点。”

据四位知情人士透露，在接下来的几周里，萨克斯协助废除了拜登政府对英伟达在全球各国的芯片销售数量设限的规定。此举为萨克斯帮助英伟达向沙特和阿联酋销售芯片扫清了道路。

今年5月，黄仁勋与特朗普一同前往中东。此时已成为黄仁勋盟友的萨克斯谈成了一笔重磅交易：英伟达将每年向阿联酋提供数十万颗当今最先进的芯片，用于建设全球最大的数据中心枢纽之一。

重返中国市场

据两位知情人士透露，在推进芯片销售的过程中，萨克斯与黄仁勋开始采用同一套说辞来为AI芯片销售辩护。他们主张：美国政府若要赢得AI竞赛，就应鼓励各国采购美国技术，而非迫使他国转而购买中国的同类产品。

特朗普在此次行程中将黄仁勋称为“朋友”，这在英伟达内部被视为重大突破。

然而，黄仁勋并不满足于拿下中东市场，他还希望重返中国市场。

在与阿联酋敲定数十亿美元的交易后不久，黄仁勋前往中国台湾地区参加一年一度的台北电脑展。他在展会间隙接受记者采访时表示，华盛顿对中国芯片销售的管制只会让中国企业变得更强大。

“总的来说，出口管制是一次失败。”黄仁勋称。

上周，黄仁勋再次回到华盛顿，与智库领导人、政治记者和白宫官员会面。他传递的信息与他和萨克斯在中东之行后所宣传的内容类似：全球各国都应该被鼓励在美国的芯片和软件基础上构建AI系统。

黄仁勋在华盛顿与智库“特别竞争研究计划”(SCSP)录制的一档播客节目中表示：“美国的技术栈应该成为全球标准，就像美元是所有国家赖以构建经济体系的标准一样。”

特朗普改变态度

据两位知情人士透露，上周，黄仁勋在椭圆形办公室向特朗普传递了同样的信息。萨克斯坐在一旁表示支持。在将近一小时的会谈结束时，特朗普表示，英伟达的芯片可以恢复在中国销售。

几天后，黄仁勋前往北京并举行新闻发布会。他向客户宣布，英伟达已经恢复在华业务。

黄仁勋如今已是全球第六大富豪，他和记者们亲切地聊起他与特朗普的交情，气氛十分欢快。

周三，黄仁勋在北京亮相并为粉丝签名，但他淡化了自己对特朗普决定的影响。黄仁勋说：“我不认为我改变了他的想法。我的职责是向总统传达我非常熟悉的事务，也就是科技行业、AI以及全球AI发展情况。”

4.闪迪放弃密歇根州550亿美元半导体项目投资

美国密歇根州州长惠特默（Whitmer）在周三（7月16日）的一份声明中表示，一家原本选择在蒙迪镇（Mundy）建厂的公司取消了计划，导致价值550亿美元的半导体制造项目交易失败，该项目曾预计将为杰纳西县（Genesee）带来多达10000个就业岗位。

惠特默在接受采访时证实，总部位于加州的Sandisk（闪迪公司）已放弃在蒙迪镇先进制造区建造大型芯片制造厂的计划。该工厂被视为密歇根州引领下一代美国半导体生产的潜在支柱。

据悉，美国密歇根州州政府官员和经济开发商在幕后工作了一年多，以确保这项投资成为密歇根州历史上最大的投资之一。

“这对我们地区的工薪家庭来说是一记重击，”民主党众议员克里斯汀·麦克唐纳·里维特（Kristen McDonald Rivet）说道。“特朗普放弃长期投资和混乱的关税政策不仅增加了成本，还扼杀了1万个高薪工作岗位。这本来可能会彻底改变密歇根州中部的经济格局。我们需要切实可行的解决方案，而不是混乱和失调，这会让我们错失一代人难得的机会。”

弗林特和杰纳西县经济发展办公室（The Flint & Genesee Economic Alliance）从密歇根州经济发展公司获得了超过2.6亿美元的资金，用于收购和清理一块占地1300英亩的土地。承包商在2025年的大部分时间里都在拆除房屋、教堂和商业建筑，为Sandisk工厂的建设做准备。

今年春天，随着联邦激励谈判陷入僵局，以及围绕《芯片法案》的政治言论愈演愈烈，该协议开始瓦解。

今年3月，特朗普总统批评这项由拜登总统签署的法案是“可怕的事情”，并称企业将会在美国建厂以避免关税。

5.正式官宣！新思科技完成对Ansys的收购

新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）今日宣布完成对Ansys的收购。该交易于2024年1月16日宣布，旨在整合芯片设计、IP核以及仿真与分析领域的领先企业，助力开发者快速创新AI驱动的产品。在扩大至310亿美元的总潜在市场（TAM）中，新思科技已经做好了充分准备，迎接胜利。

前Ansys总裁、首席执行官兼董事会成员Ajei Gopal和前Ansys董事会成员Ravi Vijayaraghavan将加入新思科技董事会，立即生效。

新思科技始终致力于帮助开发者创新，缩短产品上市时间、降低成本，并提升产品质量，为他们提供前所未有的产品实际性能洞察。与Ansys携手后，新思科技现在可以为半导体、高科技、汽车、工业等行业的开发者提供全面的系统设计解决方案。

新思科技预计将于2026年上半年推出首套集成功能，将多物理场融合到整个EDA堆栈中，包括多芯片先进封装。技术整合方案还包括集成解决方案，旨在推进汽车和其他行业复杂智能系统的测试和虚拟化。

此次收购也将增强新思科技强劲的财务状况，预计利润率将有所提升，无杠杆自由现金流也将有所增加，从而能够在两年内快速实现去杠杆。Ansys普通股将不再在纳斯达克股票市场上市交易。

6.魏哲家：台积电美国三厂已开始建设，将采用2nm与A16技术

7月17日，台积电董事长暨总裁魏哲家在法说会上表示，台积电美国第二厂已完成，将导入3nm制程生产，且鉴于客户对此制程需求迫切，正加速量产进度；美国第三座晶圆厂已开始建设，将采用2nm与A16技术，计划也将按照AI需求加快生产时程。第四座晶圆厂将运用2nm和A16技术，第五与第六座将采用更先进制程，这些晶圆厂的建设与量产时程将依客户需求调整。

魏哲家称，台积电的扩张计划将使台积电在亚利桑那拥有千瓦级晶圆产能集群，支持美国主要客户在智能手机、AI及高性能计算领域的需求。台积电还计划新增两座先进封装厂和一个研发中心，完备AI供应链。完工后，约30%的2nm及更先进制程产能将位于亚利桑那，形成美国境内独立的领先半导体制造集群。

对于台积电日本熊本厂进展，魏哲家指出，位于熊本的第一座特殊技术厂已于2024年底开始量产，且良率表现优异。第二座特殊技术厂建设计划预定于今年稍晚启动，视当地基础设施建设进展而定。

在欧洲建厂方面，魏哲家表示，台积电已获得欧洲委员会以及德国联邦、州和城市政府的强力支持，目前正顺利推进在德国德勒斯登建立一座特殊科技厂的计划。运行时间表同样会根据客户需求与市场条件来制定。

魏哲家强调，台积电在中国台湾计划在未来数年内建设11座晶圆制造厂及4座先进封装设施。公司正准备在新竹与高雄基地分阶段推动2nm制程的厂房建设，以满足客户在结构性需求上的强劲增长。

7.移动HBM引爆“内存战争”，手机大厂卷入昂贵的游戏？

高频宽存储器HBM（High Bandwidth Memory）作为当前热门的内存技术，具有高带宽、大容量、低延迟的DDR DRAM组合阵列，相比于传统内存，可提供极高的数据吞吐量，在AI服务器领域大杀四方。现今，存储巨头与手机厂商又一拍即合，意欲将HBM这件“算力利器”发挥得淋漓尽致，使其从数据中心转入移动设备市场，夺取下一阶段的商业化胜利。

此前，业界长期流传着苹果公司将在20周年纪念版iPhone上使用HBM内存的消息，而最近国内手机厂商似乎也开始面向HBM展开竞逐，隐有赶超苹果之势。在手机需求疲软的当下，这场“内存战争”既充满了变数，又带给消费者诸多期待。

头部厂商“尝鲜”，移动HBM落地节点

2007年，苹果公司在旧金山发布初代iPhone，该产品的问世被视作手机的再次“发明”，打破传统功能机的固有格局。随着20周年的临近，苹果似乎有意愿复刻辉煌。有媒体报道，苹果计划在2027年推出具有纪念意义的iPhone产品，不仅在外形设计上追求突破，更计划导入HBM技术。倘若消息属实，继而结合苹果AI架构，将有望实现大型语言模型（LLM）于装置本体运行，在兼顾低耗电与低延迟的同时，将iPhone推入全新性能层级。

据悉，苹果已委由三星电子与SK海力士分别研发移动HBM，并预计于2026年启动量产，以赶上“iPhone 20周年”。两大存储巨头或采用不同先进封装工艺，各自为苹果公司量身打造高密度、低耗电解决方案。目前业界所讨论的移动HBM，即为针对手机等移动设备单独设计的“类HBM”，其目标是在保留高资料传输率的同时，降低功耗与存储器芯片面积。

计划将HBM搬上手机的并不只有苹果。社交平台博主“数码闲聊站”7月1日曾发布一条讯息，称“除了折叠比例抢先苹果，AI功能和定制化内存方案也会领先苹果，某厂会先于苹果落地HBM DRAM”。按照时间表（2027年之前），有能力且产品价格支撑得起HBM的大厂，大概不会很多，有几家厂商的溢价能力能够支撑呢？

在一些行业人士的分析中，“遥遥领先”大厂或抢先成为推出搭载移动HBM的手机的厂商，原因是其具备几方面的必要能力：其自研的SoC芯片可定制HBM所需的内存控制器、自研的操作系统支持HBM所需的字节级内存调度，其散热专利可解决HBM功耗高问题，这“三位一体”的技术闭环有助于其在技术创新领域实现抢跑。而战略层面，该厂商也有足够的意愿通过端侧AI体验来进一步突破高端手机市场。

“2026年末至2027年初可能成为移动HBM落地手机端的临界点，三星电子、SK海力士就计划于2026年实现移动HBM的商业化，以支持AI应用，” 得一微电子同时观察到另一种高带宽内存方案，该公司首席市场官罗挺表示，3D DRAM技术正取得显著进展，有望成为当前替代HBM进入手机的更优方案。

据悉，业界已有AI芯片公司创造性地设计了独立NPU，集成高带宽3D DRAM，更有灵活性和可行性，或最早在2025年至2026年完成样机验证，有望比HBM更快在手机端侧应用。得一微电子也同步为AI手机提供高带宽UFS存力芯片，顺应移动HBM手机需求，以便扩展更大的模型。

“既生瑜何生亮”，LPDDR败北

为什么在当下移动HBM开始爆火，是传统内存方案技穷了吗？业内某ODM大厂技术人员章成（化名）介绍，目前中端手机内存主流方案是LPDDR4，旗舰手机为LPDDR5甚至LPDDR5X。集微网向其了解“目前主流内存方案能够满足AI手机需求吗”？其表示，近年来，手机硬件经过持续的迭代升级，性能实质上已接近顶峰。

但凡事怕比较，当LPDDR遭遇移动HBM，一切都不够看了。目前，HBM3E使用支持1024位的数据总线宽度，而LPDDR5X则是64位总线，这使得LPDDR5X的带宽为8533Mbps（1066.6MB/s），而HBM3E传输速率却达到了惊人的9.6GB/s，可提供1.2TB/s带宽，相当于前者的1180倍。

HBM“碾压式”的带宽（达TB级），超低的数据延迟，可彻底解决AI训练等数据瓶颈，其3D堆叠技术还可缩小占地面积50%以上，非常适合高集成度芯片。这些性能优势大到足以蛊惑有志于AI手机的厂商下决心用上移动HBM。因此，似乎不能简单地将手机厂商青睐HBM归因为产品硬件升级的结果，倒更像是头部厂商的技术前探。

假设移动HBM在手机端实现应用，最重要的革新之一便是可支持端侧大模型的落地与应用，其超高带宽可承载百亿级参数大模型在手机端运行，彻底摆脱云端依赖。用户可在离线状态下实现AI绘图、实时文案生成、多语言翻译等复杂任务，彻底颠覆手机端AI功能体验。

“端侧大模型在手机端的落地可保证敏感数据的本地化闭环，规避数据泄漏风险；同时，透过手机端HBM的本地预处理减少云端计算量，可有效降低服务器负载与通信成本；最后，HBM能将手机应用启动、多任务切换延迟可降低至毫秒级，手机AI助手的Token生成速度更是可以提升5-10倍以上。”罗挺说。

力推移动HBM，存储巨头争分夺秒

HBM的制造远比传统DRAM芯片更为复杂。其一般采用先进的3D堆叠技术，通过硅通孔（TSV）将多个DRAM芯片垂直连接。这种独特的设计，能够充分满足AI运算对海量数据的快速处理需求，有效减少数据传输的延迟，大大提高了训练效率。

与HBM一样，移动HBM具有相同的堆叠概念，但后者采用阶梯状堆叠LPDDR DRAM的方式，再用垂直电线将其连接到基板；此外，移动HBM作为定制产品，在批量生产之前需针对客户产品作优化设计，以满足特定需求，这种趋势有望为整个行业带来更为灵活高效的解决方案。

“倘将AI芯片上的HBM直接移植到手机这样的小尺寸终端上，首先将面临尺寸大、散热难和成本高等问题，显然不是个好办法，”有业内人士指出，目前讨论在手机上搭载移动HBM，属于“类HBM”技术，譬如LLW DRAM/LPW DRAM方案。

集微网了解，LLW （Low Latency Wide I/O）DRAM与LPW（Low Power Wide I/O）DRAM实际上是同一种技术的不同叫法。首先被业界熟悉的是LLW DRAM——2024年7月有消息爆出，苹果Vision Pro头显所采用的R1芯片搭载的是由SK海力士供应的LLW DRAM，该内存不仅提供256GB/s带宽，还以1GB的容量和相较于传统内存8倍的I/O引脚数，展现其在数据传输速度上的巨大优势。围绕LLW DRAM，三星电子亦积极备战，于2023年11月发布公告，称针对设备端本地运行AI的需求，特别研发LLW DRAM，其性能优于现有的LPDDR解决方案。

据悉，三星电子、SK海力士均计划在2026年前后推出采用新型“类HBM式”堆叠结构的移动内存，以应对日益增长的智能设备端侧AI处理需求，前者以“VCS（Vertical Cu post Stack）”为名开发该技术，后者则以“VFO（Vertical wire Fan-Out）”为名开发该技术，采用不同的封装技术。

三星电子采用VCS技术，将从晶圆上切割下来的DRAM芯片以台阶形状堆叠，用环氧材料使其硬化，然后在其上钻孔并用铜填充。今年2月，三星电子DS部门首席技术官 Song Jai-hyuk 在IEEE ISSCC 2025会议上表示，首款针对设备端AI应用优化的LPW DRAM内存产品将于2028年发布。三星电子宣称，LPW DRAM带宽可达200GB/s以上，较现有LPDDR5X提升166%；功耗降至1.9 pJ / bit，比LPDDR5X低54%。

SK海力士开发的VFO的技术则选择铜线而非铜柱。DRAM以阶梯式方式堆叠，并通过垂直柱状线/重新分布层连接到基板。其使用铜线连接堆叠的DRAM，然后将环氧树脂注入空白处以使其硬化，实现移动DRAM芯片的堆叠。数据显示，SK海力士2023年的VFO技术验证样品在导线长度上仅有传统布线产品的不到1/4，能效提升4.9%。虽然该方案带来了额外1.4%的散热量，但封装厚度减少了27%。

挑战堆高成本，昂贵的AI手机

过去一年里，绝大部分手机厂商都适时推出AI手机，被业界广泛视为“AI手机元年”。但据集微网观察，当前生成式AI大模型仍以云端、端云协同部署为主流方案。想要实现“每台手机都是AI终端”的目标，除了大模型在轻量化、高性能上的持续优化，移动HBM的上机势在必行，这足以让手机获得更强、更安全的端侧大模型能力。

但移动HBM在手机端的应用，尚面临诸多挑战：

首要问题就是制造工艺的良率。当前，HBM依赖的TSV技术制造工序相当复杂，良率仅40%～60%，这也导致其复杂的研发制造技术高度集中在极个别存储大厂手中；HBM还需进行KGD（已知良品芯片）和KGSD（已知良品堆叠）双重测试，且堆叠后芯片的物理访问受限，需开发非接触式测试技术，这使得测试与封装成本上升，进一步堆高移动HBM总体成本——有博主表示，LLW DRAM相较LPDDR，成本要高出3~4倍。

此外，移动HBM在手机应用端也存在挑战，其在硬件层面需重构内存子系统，比如HBM的1024位宽总线需要SoC中的内存控制器重新设计，在系统层，现有页式内存管理（4KB粒度）需支持 HBM的字节级访问等；同时，手机不同于PC机和服务器，其散热条件有限，高功耗会极大影响手机整体续航。当前HBM功耗远超手机被动散热极限，这也是HBM在手机端应用前必须解决的问题。

市调机构Canalys最新研究显示，2025年第二季度，全球智能手机市场同比下滑1%，这是该行业连续6个季度以来的首次下跌。面对疲软的市场，业界还是期待移动HBM的参与能够提振消费电子市场，通过AI手机的硬件革新引爆消费者购机欲望。

手机搭载移动HBM可视为AI技术驱动与手机产业升级双重作用的结果，其落地标志着AI手机从概念验证迈向实质进化的关键转折点。罗挺说：“一方面AI端侧技术的刚性需求驱动HBM落地手机端，实现端侧大模型、零延迟交互、数据隐私闭环三位一体；另一方面，手机AI能力将成为高端机型‘分水岭’，头部厂商寄望于HBM构建技术代差。”

但构建技术代差是有代价的，移动HBM的使用必将推升整体制造成本，使得手机厂商在积极引入移动HBM时面临一个灵魂拷问：担下更多成本or旗舰机增配涨价？届时，市场将用消费者的投票给予回答。