1.美国参议员向即将访华的黄仁勋发出警告
2.iPhone 17 零部件抵达富士康印度工厂
3.英伟达市值破4万亿 CEO黄仁勋连续减持
4.半导体大厂竞逐3D IC
5.中国证监会原发行监管部副主任李筱强被开除党籍
6.诺基亚制造商计划退出美国市场
1.美国参议员向即将访华的黄仁勋发出警告
美国共和党参议员吉姆·班克斯（Jim Banks）和民主党参议员伊丽莎白·沃伦（Elizabeth Warren）在周五致信英伟达首席执行官黄仁勋，就他访华事宜发出警告，要求黄仁勋在中国期间避免与那些同中国军方、中国情报机构关系密切的企业代表接触。
此外，这两位参议员还要求黄仁勋避开那些受到美国芯片出口管制的中国公司，以防破坏美国的芯片出口管制。
他们写道：“我们担心您的中国之行，可能成为对那些与中国军方密切合作或者那些讨论美国出口管制中可利用漏洞的企业的认可。”
黄仁勋计划周五访问中国。英伟达的一位发言人表示，当美国的技术树立“全球标准”时，“美国就赢了”，而中国拥有世界上最大的软件开发者群体之一。这位发言人表示，人工智能软件“应该在美国的技术栈上运行得最好，从而鼓励世界各国选择美国”。
2.iPhone 17 零部件抵达富士康印度工厂
据报道，海关数据显示，苹果供应商富士康已开始从中国向印度进口零部件，用于组装即将推出的iPhone 17。
业内专家表示，鉴于迄今为止进口的零部件数量只是老款机型的一小部分，它们可能用于试生产。海关数据显示，显示屏组件、盖板玻璃、机械外壳和集成后置摄像头模块等各种零部件和子组件已于上个月开始抵达印度。6 月份，
富士康（正式名称为鸿海精密工业股份有限公司）从中国进口的零部件中，用于即将推出的 iPhone 17 手机型号的零部件约占 10%。大多数零部件用于 iPhone 14 和 iPhone 16 机型，预计苹果将在节日期间在印度销售更多这两款手机。
专家表示，试生产将于本月开始，预计8月开始量产。iPhone 17预计将于9月上市。
这是由于特朗普政府对中国征收的高额关税。苹果公司没有回复电子邮件询问。
标普全球市场情报显示，3 月份苹果公司从印度向美国的 iPhone 出口量同比增长了 219%。尽管美国政府不断施压，要求其在美国本土生产 iPhone，以促进美国制造业的发展，但苹果公司仍计划到 2026 年将其在美国市场的 iPhone 采购全部从中国转移到印度。该公司一直在逐步缩小中国和印度之间的生产差距。虽然 iPhone 14 在印度的组装时间比在中国晚六周，但 iPhone 15 几乎在两国同时生产。到 2024 年，印度将开始参与苹果公司 iPhone 16 基本型号的新产品引入 (NPI) 流程，结束中国独占的局面。苹果公司高管表示，苹果计划在 iPhone 17 中延续这一发展轨迹。然而，他们表示，随着大量中国熟练工程师离开富士康的印度工厂，且中国正努力限制向包括印度在内的竞争对手制造中心进行技术转让，扩大 iPhone 17 的量产将面临挑战。
关键环节
一位追踪苹果在印度制造业增长的业内高管匿名表示：“中国工程师至关重要，因为iPhone 17的制造涉及许多小零件的复杂精密加工，即使1毫米的差异也可能导致产品无法通过质量测试。他们需要培训员工掌握复杂的装配流程和零部件专用模具。”
3.英伟达市值破4万亿 CEO黄仁勋连续减持
英伟达公司近日股价屡创新高，其CEO黄仁勋在此时连续减持公司股份，引发市场关注。根据美国证券交易委员会（SEC）7月11日披露的文件，黄仁勋最新减持公司股票约22.5万股，价值约3640万美元。当日美股收盘，英伟达股价报164.92美元，上涨0.50%，总市值达到4.02万亿美元。
此次减持并非黄仁勋首次出售公司股票。自6月20日起，黄仁勋已累计减持22.5万股英伟达股票，总价值近3320万美元。具体来看，6月20日至25日，黄仁勋分别出售了5万股、5万股、5万股和7.5万股英伟达股票，价值分别为721万美元、719万美元、736万美元和1144万美元。
这些交易均源于黄仁勋在今年3月制定的10b5-1售股计划，该计划允许美股企业高管在不违反内幕交易规则或扰乱股价的情况下出售股票。根据该计划，黄仁勋在2025年总共可以减持600万股股票。若以7月11日的股价计算，黄仁勋通过这一计划最多可套现9.85亿美元。
黄仁勋的财富大幅增长。据最新彭博亿万富翁指数显示，黄仁勋净资产达到1440亿美元，成功超越“股神”沃伦·巴菲特的1430亿美元，位列全球第九。目前，黄仁勋通过直接和间接方式，在不同的合伙企业和信托中仍持有超过8.58亿股英伟达股票。
华尔街多家投研机构对英伟达未来走势持乐观态度，预测股价将进一步上探至185—190美元甚至更高。分析师认为，随着人工智能需求的持续扩张，公司估值仍有上升空间，这将继续提振黄仁勋的财富水平，可能进一步拉大与巴菲特之间的差距。
在6月25日的股东大会上，黄仁勋表示，英伟达未来不只是一家芯片公司。除了当前火爆的人工智能领域，机器人将成为英伟达下一个强劲的增长引擎，基于AI训练/推理系统的完全自动驾驶汽车有望成为该技术的首个重大商用应用。
4.半导体大厂竞逐3D IC
半导体行业几十年来一直依靠平面缩放来提高性能，但这种方法已经面临物理极限。随着人工智能应用需求不断增长，英特尔、台积电和三星等主要晶圆厂正在研发全面解决方案，为下一代计算设备提供支持，3D IC成为半导体大厂布局的重点。
AI应用加速3D IC开发进程
3D IC是通过垂直堆叠芯片并利用 TSV（硅通孔）实现更高密度的三维集成技术。与当前主流的先进封装技术，如 2.5D 封装、Chiplet、扇出型封装等，同属于后摩尔时代提升芯片性能的关键技术。3D IC 是先进封装技术中垂直集成的极致体现，通常面向更高性能的计算场景。其他技术相对更注重灵活性与成本平衡。
一直以来，各大半导体厂商都在开发3D IC相关技术。不过近年来掀起热潮的AI大模型却是真正意义上的全芯片堆叠技术蓬勃发展的最重要契机。台积电业务发展与全球销售高级副总裁张晓强表示：“晶体管技术和先进封装集成必须齐头并进，才能为客户提供完整的产品级解决方案。3D架构技术组合对我们而言已经变得至关重要。”
英特尔代工高级副总裁兼总经理Kevin O’Buckley也表示：“每个人都在谈论内存墙问题。随着我们不断增加内核数量，并将计算性能推向更高水平，首要任务就是满足数据处理的需求。3D就是一个例子，我们可以利用芯片面积的很大一部分来放置SRAM，而无需牺牲那些仍然需要用于计算的芯片面积。”
解决工艺材料核心问题
3D IC是利用垂直方向的空间来堆叠和互连多层电子元件。这种方法固然显著缩短了元件之间的物理距离，从而提高了芯片性能，降低了功耗，并缩小了尺寸。但是子系统的需求也更加复杂，在制造工艺、材料科学和设计方法都面临新的挑战。
TSV是3D堆叠的重要技术方向之一，其工艺直接影响互连密度与良率，需要突破更高的深宽比极限。在刻蚀工艺上，更先进的等离子刻蚀技术不断涌现，能够实现更高的深宽比和更精确的孔形状控制，满足日益小型化芯片的需求。在填充材料方面，除了传统的铜，新的低电阻、高可靠性导电材料正在研发与应用，如一些合金材料和碳纳米管复合材料等，有望进一步降低信号传输损耗。
芯片对芯片键合技术对于实现 3D 集成中芯片间的可靠性连接也至关重要。当下，芯片对芯片键合技术的研究重点集中在提高键合精度、速度与可靠性上。键合技术实现芯片间物理与电气连接，向无凸点、高密度演进。
台积电：基于 SoIC 的系统级整合
台积电一直在积极开发3D-IC的各种集成策略，近年来逐渐形成以SoIC（System-on-Integrated-Chip）为核心、结合CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和硅光子技术的完整技术体系，覆盖从逻辑堆叠到异构集成的全链条。
作为 SoIC 首发客户，AMD 将 MI300 的 CPU、GPU 和 HBM 通过 SoIC 与 CoWoS 结合，实现带宽超 5TB/s 的 AI 芯片。台积电业务发展和全球销售高级副总裁Kevin Zhang强调：“晶体管技术和先进封装集成必须齐头并进，才能为客户提供完整的产品级解决方案。3D fabric技术组合对我们变得非常重要。”
台积电正开发SoIC 2.0，目标将互连节距从当前的9μm 进一步缩小至5μm，并引入背面供电（BSPDN）技术，提升电源效率和散热能力。
台积电还在研发将硅基光电子集成到3D-IC设计中，以提高信号效率。台积电的COUPE（紧凑型通用光子引擎）平台可将电子芯片与光子芯片垂直堆叠，通过硅光子技术实现光信号直接输入芯片，功耗较传统电互连降低10 倍以上。
英特尔：Foveros 3D 封装的量产与升级
英特尔在 3D IC 领域的开发进展已形成以Foveros为核心、结合EMIB和PowerVia技术的完整技术体系，覆盖从逻辑堆叠到异构集成的全链条。Foveros 通过混合键合（Hybrid Bonding）和TSV（硅通孔）实现芯片垂直堆叠，支持逻辑芯片、存储芯片及光子芯片的高密度集成。
2024 年，Foveros 产能从 2023 年的2000片/月提升至4000-5000片/月，并计划 2025 年达到8000片/月。苹果已进入 Foveros 试产阶段，计划 2025-2026 年在Mac和iPad中量产，利用 3D 堆叠降低功耗和成本。
英特尔正开发Foveros 2.0，目标将互连节距从当前的 9μm 进一步缩小至5μm，并引入背面供电技术，提升电源效率和散热能力。英特尔也在积极开发光连接技术，以增强3D IC产品的性能。
三星：X-Cube架构持续推进
三星在 3D IC 领域的开发以X-Cube为核心，覆盖从逻辑堆叠到异构集成。X-Cube 通过硅通孔和混合键合实现芯片垂直堆叠，支持逻辑芯片、存储芯片及光子芯片的高密度集成。TCB（热压键合）方面，25μm 微凸块间距已实现量产，I/O 密度较传统方法提升 2 倍，热阻降低 5%。HCB（混合铜键合）的4μm 微凸块间距已完成验证，I/O 密度提升 70 倍，功率降低 33%，计划用于未来的SF4/5节点的HPC芯片。
三星正在开发光学 I/O 技术，通过硅光子技术实现光信号直接输入芯片。其光子介质层集成，即在封装中介层嵌入光子链路，连接逻辑芯片与 HBM，已完成样品验证。
在热管理技术方面，三星正在开发微流体冷却技术，在芯片内部嵌入微米级冷却通道，散热效率较传统风冷提升3倍。
三星计划将 3D IC 与下一代制程（如 SF4X、SF2P）结合，以实现更好的协同效果。
5.中国证监会原发行监管部副主任李筱强被开除党籍
据中央纪委国家监委驻中国证券监督管理委员会纪检监察组、江苏省纪委监委消息：日前，经中央纪委国家监委批准，中央纪委国家监委驻中国证券监督管理委员会纪检监察组与江苏省苏州市纪委监委对中国证监会原发行监管部副主任李筱强严重违纪违法问题进行了纪律审查和监察调查。
经查，李筱强理想信念扭曲，初心染垢变质。利用监管公权力谋取个人利益，严重破坏资本市场秩序。从证监会离职后仍不知止，是政商“旋转门”腐败的典型。对党不忠诚不老实，与他人串供对抗组织审查，从事封建迷信活动；违反中央八项规定精神，违规收受礼品、消费卡，违规接受宴请，长期无偿接受管理和服务对象提供的车辆接送服务，将应由本人支付的费用由他人支付；组织观念淡漠，隐瞒不报个人有关事项；廉洁底线失守，违规持有非上市公司股份，长期借用他人账户违规买卖股票。以“业务咨询”“投资入股”等名义非法收受财物，数额巨大。
李筱强严重违反党的政治纪律、中央八项规定精神、组织纪律、廉洁纪律，构成严重职务违法并涉嫌受贿犯罪，在党的十八大乃至二十大后仍不收敛、不收手，性质严重，影响恶劣，应予严肃处理。依据《中国共产党纪律处分条例》《中华人民共和国监察法》《中华人民共和国公职人员政务处分法》等有关规定，经中央纪委国家监委驻中国证券监督管理委员会纪检监察组研究，决定将李筱强违纪问题移交所在单位党委处理，给予其开除党籍处分；收缴其违纪违法所得；经江苏省苏州市监委研究，决定将李筱强涉嫌犯罪问题移送检察机关依法审查起诉，所涉财物一并移送。（证券会）
6.诺基亚制造商计划退出美国市场
芬兰公司HMD Global，作为诺基亚手机的制造商，近日宣布将缩减在美国的营运规模。外界普遍解读为其准备退出美国市场。HMD自2016年取得Nokia品牌授权，但随着该授权将于2026年3月结束，公司从2023年开始逐步启动「去Nokia化」，已停止推出Nokia智能型手机，全面聚焦发展HMD自有品牌。
根据HMD提供的官方声明，当前充满挑战的地缘政治和经济环境是公司做出这一决策的主要原因。声明中强调，HMD的首要任务是确保用户和合作伙伴能顺利过渡，公司将继续履行所有承诺，包括既有产品的保固与服务，并透过全球团队提供完整支援。此外，HMD对受到此次变动的美国员工表示感谢，并保证在过渡期间提供必要的支援。
尽管声明中仅使用了“缩减营运”的表述，但外界普遍认为HMD正在准备退出美国市场。事实上，HMD在美国的在线商店已经关闭，官网产品介绍页面的「Where to buy」按钮也无法点击。尽管在Amazon等电商平台上仍可见HMD手机的销售，但推测这仅是在清理库存。分析人士指出，HMD退出美国市场对其整体经营影响有限，该公司目前仍以欧洲、印度等市场为主力。
此次HMD的决策与美国总统特朗普的对等关税政策不无关系。该政策对HMD在美国市场的运营带来了显著影响，迫使公司重新评估其市场战略。尽管退出美国市场，HMD在其他地区的业务依然稳健，特别是在欧洲和印度市场，公司仍保持着较强的竞争力和市场份额。
7.普华永道：2035年全球三分之一芯片生产或面临铜供应中断
7月8日，咨询公司普华永道在一份报告中称，到2035年，全球约32%的半导体生产可能面临与气候变化相关的铜供应中断，这一比例将是目前水平的四倍。
智利是世界上最大的铜生产国，已经在努力解决水资源短缺问题，这导致生产放缓。普华永道表示，到2035年，供应芯片产业的17个国家中的大多数将面临干旱的风险。
上一次全球芯片短缺，是由疫情驱动的需求飙升引发的，当时工厂关闭，令汽车行业元气大伤，其他依赖芯片的行业的生产线也暂停了。
普华永道项目负责人Glenn Burm在报告中援引美国商务部的数据称：“美国经济的GDP增长损失了整整一个百分点，德国损失了2.4%。”
普华永道称，来自中国、澳大利亚、秘鲁、巴西、美国、刚果、墨西哥、赞比亚和蒙古的铜矿商也将受到影响，全球芯片制造地区无一幸免。
铜被用来制造每个芯片电路中的数十亿根细导线。即使正在研究替代品，但目前在价格和性能上还没有任何产品可以与之匹敌。
普华永道表示，如果材料创新不能适应气候变化，而且受影响国家没有开发出更安全的供水系统，这种风险只会随着时间的推移而增加。
报告称：“无论世界减少碳排放的速度有多快，到2050年，每个国家大约一半的铜供应都将面临风险。”
智利和秘鲁已采取措施，通过提高采矿效率和建设海水淡化厂来确保供水。普华永道表示，这是一个典范，但对于无法获得大量海水的国家来说，这可能不是一个解决方案。
普华永道估计，智利目前有25%的铜产量面临中断的风险，10年内这一比例将升至75%，到2050年将达到90%至100%。
