氮化镓（GaN）半导体需求持续成长，英飞凌宣布其在12英寸晶圆上的可扩展GaN生产进度正按计划进行，预计2025年第四季度将向客户提供首批样品，有望扩大客户基础，进一步巩固在GaN的市场竞争力。
英飞凌专精于三种材料的相关技术，包含硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。 凭借更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，氮化镓半导体可实现更精简的设计，从而减少智能手机充电器、工业和人形机器人，以及太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。
英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示，英飞凌全面扩大的12寸GaN生产规模将协助我们更快地为客户提供更高价值的产品，同时推动Si和GaN同类产品的成本接近性。
英飞凌生产策略主要依据IDM模式，即拥有从设计、制造和销售最终产品的整个半导体生产流程，公司的内部生产策略是市场上的一个关键差异化因素，具有多重优势，如能提供更高质量的产品、更快的产品上市时间以及出色的设计和开发灵活性。
