摘要：
国产碳化硅产业链再传捷报！搭载芯粤能自主研发第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驱芯片的整车800V电驱总成成功下线，该芯片封装于芯聚能V2P功率模块，其性能指标全面对标国际竞品，可靠性、良率表现优异。芯粤能和芯聚能在新能源汽车主驱领域，已构建了从芯片设计、制造、到封测的垂直整合一体化产业模式。依托资深团队和先进工艺，双方协作创新，共同打造出具备卓越出流能力的碳化硅芯片及模块。展望未来，双方将持续深化合作，继续驱动国产碳化硅器件在性能与成本上实现双重跃升，加速碳化硅产业的国产替代进程，全面支撑“国芯国用”战略落地，持续为构建自主可控、创新引领的中国半导体产业链注入“芯”动力。
在新能源汽车、风光储等新能源产业蓬勃发展的强劲需求推动下，我国碳化硅产业迎来了飞速发展的黄金时期。未来，我国碳化硅产业有望加速推进从“跟跑”“并跑”到“领跑”的跨越。
近日，国产碳化硅产业链再传捷报。搭载芯粤能自主研发第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驱芯片的整车800V电驱总成成功下线，该芯片封装于芯聚能V2P功率模块。这标志着两家企业的芯片设计能力、晶圆厂制造工艺成熟度均达到车规级碳化硅芯片行业主流水准，成功跻身全球少数具备车规主驱碳化硅芯片供应能力的厂商行列，为我国新能源汽车产业的高质量发展注入了强劲动力。
主驱芯片性能卓越，关键指标表现优异
芯粤能已构建平面与沟槽碳化硅工艺平台，其近期量产上车的 1200V 16mΩ SiC MOSFET主驱芯片基于平面型第一代平台工艺打造，性能指标全面对标国际竞品，可靠性、良率表现优异，充分展现了公司在芯片设计、制造工艺及材料应用上的集成优势。目前，芯粤能已形成“生产一代、开发一代、预研N代”的格局。在技术路线上，第二代、第三代平面MOSFET工艺平台持续优化，并将分别在今年三季度和明年一季度推出；同时，第一代沟槽MOSFET工艺平台已于今年上半年顺利完成研发及可靠性考核。第二代沟槽MOSFET工艺平台的开发正稳步推进，预计将于明年初正式推出。
芯粤能 SiC晶圆芯片
芯粤能研发副总监曾祥表示，这款碳化硅芯片部分指标优于国际大厂主力出货的1200V 16mΩ SiC MOSFET产品。为确保第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET芯片顺利实现从0到1的上车跨越，芯粤能将可靠性置于首位。此外，曾祥强调，在客户高标准要求下，芯粤能秉持比国际厂商更严苛的验证标准，其产品寿命筛选标准提升至1500～2000小时，远超行业常规的1000小时。这款芯片在电驱及车厂验证中表现优异，数十项测试均一次性通过，获得客户高度认可，彰显了芯粤能产品在可靠性方面的优势。
高性能碳化硅芯片要成功实现上车应用，除了芯片本身的卓越性能外，还需要与之匹配的优秀模块设计与制造能力。在这一关键环节，芯聚能充分发挥其专业优势，基于芯粤能1200V 16mΩ SiC MOSFET主驱芯片，成功开发出V2P功率模块。整体来看，V2P功率模块在降低功率损耗、提高系统效率、提升散热性能以及支持高功率密度设计等方面均展现出显著优势，为新能源汽车的高效驱动提供了强大动力。芯聚能已有成熟的车规级认证体系，包括V2P在内的车规产品均顺利通过了模块级AQG324认证、电驱系统级整车验证，全流程满足车规级可靠性要求。未来将实现V2P功率模块的规模放量，为国产碳化硅器件在新能源汽车领域的广泛应用奠定坚实基础。
产业链融合布局，深度合作树立典范
事实上，项目团队创立伊始即确立“芯粤能+芯聚能”的产业链融合布局。芯粤能和芯聚能在新能源汽车主驱领域，已构建了从芯片设计、制造、到封测的垂直整合一体化产业模式，双方紧密协同合作，共同推动碳化硅产业发展。
芯粤能CTO相奇认为，要打造优秀的碳化硅功率器件，单独优化芯片或模块都很难达到最优效果。无论性能、可靠性还是成本，部分问题在芯片端解决能获得最佳效果，部分则在模块端才能实现最优解，还有部分需要两端同时协同才能让器件达到理想性能，这就需要前后端的密切配合与协作。在这个过程中，SDCO（System Device Co-Optimization，即“系统器件协同优化”）的理念发挥了至关重要的作用。
得益于芯粤能与芯聚能的紧密协同，研发过程中的多项工作得以并行推进，突破了传统需等待上一流程完成后才启动下一流程的串行模式。在该产品开发中，部分芯片验证与模块验证同步进行，显著缩短了车规认证周期。此外，V2P的成功上车也离不开电驱总成企业及主机厂的积极参与。芯粤能、芯聚能及威睿电动的通力合作对需求沟通与产品调优起到了关键作用。
芯聚能已在新能源汽车领域取得了显著成绩，碳化硅主驱模块累计交付量超过45万个，位居本土厂商前列。早期阶段，芯聚能在芯片选型上面临诸多挑战。正如芯聚能执行副总裁刘军所说：“芯聚能是吃百家饭长大，各家的优势和不足我们心里都比较清楚。”这种深度行业认知，为芯粤能产品的开发与性能优化提供了宝贵的思路与方案。
芯聚能 V2P功率模块
以芯粤能第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驱芯片为例，使用此款芯片开发的V2P功率模块展现出了全球领先的出流能力。这一优势离不开双方的紧密合作。刘军指出，性能指标不等于实际应用表现。为此，芯聚能与芯粤能携手，在产品定义阶段就严苛锚定高起点。依托资深团队和先进工艺，芯粤能和芯聚能共同打造出具备卓越出流能力的碳化硅芯片及模块，彰显了双方协同创新的优势互补。
在这个过程中，双方融合高效，测试数据实时共享、研发问题即时共解。相奇表示：“（双方）解决方案交流的速度是按小时算的，沟通效率非常快，合作效果非常好。”这种机制极大缩短了开发周期，提高了市场响应速度。
目前，双方不仅在第一代工艺上同步推进，更在第二代、第三代产品上并行预研，目标性能全面超越国际竞品并大幅降本。相奇认为：“研发驱动技术快速迭代，而技术迭代是降本的关键路径。”
加速技术迭代，支撑“国芯国用”战略
芯粤能与芯聚能通过芯片设计、芯片制造与模块应用的强耦合，双方不仅实现了核心技术的深度融合与资源高效共享，更显著加速了产品迭代进程，降低了全链条开发成本，共同构筑起强大的市场竞争力。
此次芯聚能基于芯粤能第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驱芯片打造的高性能V2P功率模块成功量产上车，标志着国产碳化硅器件在核心性能与可靠性上已跻身国际前列。这不仅是单一产品的突破，更是国产碳化硅芯片通过深度协同实现高质量、规模化上车的典范。
展望未来，双方将持续深化协同，依托第二代、第三代先进工艺平台的并行开发与快速导入，驱动国产碳化硅器件在性能与成本上实现双重跃升，为新能源汽车、风光储充、低空经济、AI数据中心等战略性新兴产业提供更具竞争力的“中国芯”解决方案。在“国芯国用”“国芯国造”的战略指引下，芯粤能与芯聚能的深度协作，将开启国产新能源汽车产业的“芯”征程，持续为构建自主可控、创新引领的中国半导体产业链注入“芯”动力。
