1.三星收购部分英特尔半导体专利权；
2.积塔半导体“失效测试电路及方法”专利公布；
3.中欣晶圆半导体“改善硅片背封外观的加工工艺”专利公布；
4.墨睿科技“一种高阻抗石墨烯导热膜及其制备方法”专利公布；
1.三星收购部分英特尔半导体专利权；
三星电子已获得英特尔公司半导体专利组合的广泛授权。业内分析认为，此举既是防范潜在诉讼的防御性策略，更是增强其全球技术竞争力的重要一步。
这些专利是从美国知识产权管理公司IPValue的子公司Tahoe Research处获得的。许可专利组合涵盖广泛的半导体技术领域，包括微处理器、逻辑芯片、存储器、制造工艺以及先进封装技术。
Tahoe Research此前从英特尔收购约5000项专利，这是这家美国芯片制造商持续精简知识产权资产并将非核心资产变现举措的一部分。英特尔的剥离操作使IPValue得以构建起强大的专利组合，该公司随后便利用这些专利向整个半导体行业授予技术许可。
通过这项新的许可协议，三星得以使用英特尔研发成果中的大量专利，这降低了其在产品开发和制造过程中未来可能遭遇知识产权纠纷的风险，同时也为该公司采用下一代技术提供了更大的灵活性。
值得注意的是，这并非三星与IPValue的首次交易。2025年5月，三星还与Marlin Semiconductor Limited签署了许可协议，该公司是IPValue的另一家子公司，于2021年从联电收购近480项美国专利。这些专利同样涵盖存储器、逻辑芯片和封装等关键领域。
在全球半导体竞争日益激烈、先进芯片需求飙升的背景下，三星电子正积极扩张其知识产权组合，以此作为抢占下一代技术的先发策略。
2025年2月，三星电子与中企签署了3D NAND“混合键合”技术的许可协议。
2025年2月至3月期间，三星还从美国非易失性存储器领域龙头企业闪迪（SanDisk）处收购113项专利。2025年4月，三星进一步拿下209项闪存专利，持续加码这一行业竞争最激烈的技术领域，巩固自身市场地位。
这些战略举措反映了三星在全球半导体军备竞赛中保持领先的整体努力。在塑造计算、存储和先进封装技术未来的过程中，专利限制已与芯片性能同等关键。
业界观察人士认为，三星近期的一系列专利授权动作是针对全球科技行业地缘政治与法律风险的未雨绸缪之举。尤其是在中美紧张局势加剧、非执业实体（NPE）维权攻势日益猖獗之际，此类行动更具战略意义。
随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和先进芯片封装等领域的竞争日益激烈，三星等企业正重新强化战略性的知识产权布局。分析师指出，在这场高风险的全球化创新竞赛中，此类举措已不再是可有可无的选择，而是维持技术优势的必要手段。（校对/赵月）
2.积塔半导体“失效测试电路及方法”专利公布；
天眼查显示，上海积塔半导体有限公司“失效测试电路及方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119619786A。
本发明提供一种失效测试电路及方法，失效测试电路包括：串联的待测器件及保护模块；其中，当待测器件发生二次击穿时，保护模块用于减小电流热效应对待测器件的影响，以保护失效位置的形貌。本发明可以使得加大电压或电流的步长更大，在保护待测器件的前提下可以更快到达测试需要达到的电压电流条件，同时，在发生二次击穿后可以更快的做出反应来断开电路，兼顾效率和准确性，实现对失效位置形貌的保护，且简单易操作，可以在一定程度减少cycle time，提高产出。
3.中欣晶圆半导体“改善硅片背封外观的加工工艺”专利公布；
天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司“改善硅片背封外观的加工工艺”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119615104A。
本发明涉及一种改善硅片背封外观的加工工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对完成双面抛光加工的硅晶片，进行APCVD加工前洗净。第二步：硅晶片进入机台进行SiO2成膜反应，传片速度为190～210mm/min；第三步：进行APCVD加工的三个反应喷头，温度分别设定T1=620～700℃；T2=560～640℃；T3=460～540℃。第四步：硅晶片背面镀上一层SiO2薄膜即LTO，薄膜厚为0.3～0.6μm。第五步：硅晶片背封后再次洗净。第六步：进行APCVD加工后的硅晶片用于后续抛光和洗净的加工。具有工艺操作便捷和背封成膜稳定性好的优点。通过对加工APCVD背封产品加工过程的工艺参数改善，避免晶片加工后表面附着的粉末状污迹，成膜均匀无其他外观异常。提升了产品的一次加工成品良率。
4.墨睿科技“一种高阻抗石墨烯导热膜及其制备方法”专利公布；
天眼查显示，广东墨睿科技有限公司“一种高阻抗石墨烯导热膜及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119613116A。
本发明公开了一种高阻抗石墨烯导热膜及其制备方法，所述高阻抗石墨烯导热膜中含有耐高温绝缘颗粒，所述耐高温绝缘颗粒的熔点大于等于1500℃；所述耐高温绝缘颗粒在粒度分布满足：D95≤3μm。制备方法包括以下步骤，用干的氧化石墨烯粉体和脱盐水混合配置碳氧比小于2.9的氧化石墨烯浆料，将氧化石墨烯浆料与耐高温绝缘颗粒均匀混合后涂布，获得高阻抗氧化石墨烯导热膜，所述高阻抗氧化石墨烯导热膜依次经过低温热处理、中温热处理、高温热处理和压延处理后，获得高阻抗石墨烯导热膜。本发明实现了工业化大规模制备可高阻抗石墨烯导热膜的制备，有利于石墨烯导热膜在发热器件上的应用。
