天眼查显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司“一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119626902A。
本申请提供了一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法，应用于半导体器件，该方法包括：将半导体器件置于载台上，半导体器件中具有开口，开口的侧壁表面镀有预设膜层；在预设膜层表面形成覆盖层；利用离子束对覆盖层进行刻蚀，去除覆盖层的部分区域，裸露预设膜层的第一部分，第一部分为预设膜层中位于预设位置朝向开口端口一侧的部分，离子束的入射角度和半导体器件所在表面呈第一角度，第一角度的取值范围为 90°～0°以及0°～90°，不包括端点值；去除预设膜层的第一部分；去除覆盖层的剩余部分。该方法在对覆盖层进行刻蚀的过程中，可以通过第一角度的设置，控制遮蔽效应所影响的区域，实现刻蚀位置的精确控制，提高刻蚀位置的准确度。
