随着工业 4.0 时代的到来，工厂基础设施不断升级，产能不断扩大，推动了该领域的快速增长。此外，家用电器也必须满足更高的效率和可靠性标准。英诺赛科凭借全球高可靠性的氮化镓，为电源系统设计人员提供了提高效率、减小尺寸和降低 BOM 成本的最有效方法。
全球领先的 GaN（氮化镓）功率半导体供应商英诺赛科推出了 700V INN700TK350B GaN，可轻松替代 MOS 或 IGBT 解决方案，并显著提高效率，可用于家用电器（冰箱、空调、洗衣机和高速吹风机）以及工业应用场景中所有类型的电机驱动和逆变器中。此次推出的 INNEMD310V3A1 评估板采用 INN700TK350B，可在台架测试中轻松评估高达 300W 负载的组件。
性能优势
低损耗
得益于氮化镓没有反向恢复的优异特性，加上超低的开通和关断损耗，对比同规格MOS/IGBT器件，高压氮化镓的损耗减少50%以上，可实现高性能、无散热器设计，节省BOM以及散热器装配工序成本。
高转速
采用氮化镓的电机驱动器，由于足够快的开关速度，PWM频率可以提升到100KHz，可以支持电机运行在更高的转速，并且获得更好的控制性能。
简化测试流程，配套无感FOC控制算法。
优化布局，实现最佳性能。
关键参数
输出功率：300W
电机转速：1200 rpm
应用产品：INN700TK350B*6
尺寸：160*100*33 (mm)
满载效率：98% @ 310 Vdc
温度测试（无风）：
U相GaN：上管：57.0℃，下管：68.8℃
V相GaN：上管：59.9 ℃，下管：72.1℃
W相GaN：上管：52.7℃，下管：64.0℃
应用案例
当前，英诺赛科针对电机驱动应用已推出500W 低压电机驱动方案、300W高压电机驱动评估板，3KW 电机驱动方案也即将发布，敬请期待！
