三星电子DS部门负责人全永铉最近访问了英伟达总部，讨论为GB300 Blackwell Ultra供应12层高带宽内存（HBM3E）。
据报道，全永铉上周访问了硅谷，与英伟达双方就12层HBM3E芯片的质量认证和明年的供应可能性进行了具体讨论。
一位知情人士透露：“三星强调，其基于第四代10纳米级DRAM（1a）的12层HBM3E存储器的质量并不逊色于竞争对手，并讨论了Blackwell Ultra的供货可能性，Blackwell Ultra将于明年量产。” 该消息人士补充道：“三星电子内部期待着积极的成果，因为其质量在数值上并不逊色，而且他们已经与包括AMD在内的其他公司达成了供货协议。”
近日，三星电子正式宣布为AMD的人工智能加速器MI350X系列提供12层HBM3E。随着MI350X系列表现出超出预期的性能，市场对AMD性能的期待值不断提升，而对三星电子12层HBM3E的疑虑也逐渐消散。因此，三星电子越来越相信英伟达的质量认证只是时间问题，并且其性能不会出现任何缺陷。此举被解读为强调了明年量产的可能性。
英伟达计划于今年年底开始出货已投产的Blackwell Ultra。Blackwell Ultra预计将于明年成为 英伟达的主力人工智能加速器，其12层HBM3E的初始供货合同已与SK海力士和美光敲定。（校对/赵月）
