天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司“一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119630038A。
本发明提供了一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法，在设有漏极金属层的碳化硅衬底上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底进行离子注入，形成多个缓冲区；去除阻挡层，在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成变掺杂区、P型阱区、P型源区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成栅介质层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，在器件内部构建了缓冲区，可以有效降低器件的反向恢复过冲的上升沿，降低器件的对外干扰。
