1、世界先进发放9000万元新台币辛勤奖金，基层员工最高获3.5万元新台币
2、联电评估进军6nm制程，或与英特尔深化合作
3、艾为芯助力霍尼韦尔CK67，打造移动计算“新旗舰”！
4、赛微电子拟3.24亿元收购赛莱克斯北京9.5%股权
5、阿尔特：整车开发周期已由38个月缩短至22至24个月
1、世界先进发放9000万元新台币辛勤奖金，基层员工最高获3.5万元新台币
晶圆代工厂世界先进6月28日在桃园埔心牧场举办野餐家庭日活动，董事长方略送出红包，对基层员工每人发放1万~3.5万元新台币（约合人民币8624元）不等的辛勤奖金，总金额约9000万元新台币（约合人民币2218万元）。
方略表示，2025年对全球半导体是非常具有挑战的一年，美国总统特朗普上任以后，推出对等关税、半导体关税等，为公司运营带来极大挑战。今年上半年在所有员工努力下，运营仍有不错表现，营收与获利同步增长。下半年因关税影响，景气存在不确定性，不过预期今年仍有望健康增长。
方略表示，2024年12月31日以前进入世界先进的基层员工，将于2025年7月25日发放辛勤奖金1万~3.5万元不等，总金额约9000万元。其中基层员工每人发放1万元新台币辛勤奖金 ，20~30职级每人1.5万元新台币；31~32职级每人发放2万元新台币，33~34职级每人发放3.5万元新台币，35职级（即经理级）以上，则还要继续努力。
至于新加坡厂进展，方略表示，2024年第四季动土，工程进展顺利，甚至有超前情况，客户需求积极，希望建厂进度保持，2025年6月初举行上梁典礼，预计2025年第四季装机，2026年下半年送样客户，2027年上半年量产，进度不排除提前。
2、联电评估进军6nm制程，或与英特尔深化合作
“日经亚洲”（Nikkei Asia）消息，联电（UMC）作为我国台湾地区第二大晶圆代工业者，正在评估进军先进制程生产的可行性，而先进制程生产领域目前主要由台积电、三星和英特尔主导。
据4名人士透露，联电正在探索未来的成长动能，其中可能包括6纳米制程芯片生产。6纳米制程适用于制造用于Wi-Fi、射频（RF）和蓝牙的先进连接芯片、应用于多种场景的人工智能（AI）加速器，以及用于电视和汽车的核心处理器。
多个消息来源称，联电也在探索合作选项，比如扩大与美国芯片制造商英特尔（Intel）在12纳米制程生产的合作。双方计划于2027年之前在美国亚利桑那州开始合作，涵盖6纳米技术。
联电财务长刘启东向日经亚洲表示，联电持续探索更先进的制程技术，但他也指出，要取得有意义的进展，将取决于伙伴关系和合作，以减轻财务负担。
刘启东拒绝评论联电是否会在目前的12纳米制程之外，扩大与英特尔的合作。英特尔也拒绝回应日经亚洲的置评请求。
3名消息人士说，扩大先进制程封装业务是联电正在探索的另一个领域。
联电是世界第四大晶圆代工厂，随着中美紧张关系加剧，联电面临着来自中国大陆的压力，因为中国大陆推动半导体生产本地化以及扶持中芯国际（SMIC）等本土企业。
从营收来看，中芯国际已超越联电成为世界第三大晶圆代工业者，且其市值是联电的3倍，这得益于中国大陆的内需和雄厚的资金。
1名供应链主管表示，联电已经意识到成熟制程半导体领域竞争日益激烈，为了保持市场地位与竞争力，它迫切需要寻找新的成长催化剂。
这名主管还表示，由于中国大陆推动半导体生产本地化，联电的一些芯片开发商客户将订单转移到当地晶圆代工业者。这种趋势使得联电更加迫切需要探索新的机会。
然而，许多业界高层认为，联电进军6纳米生产的最大障碍是需要庞大的资本支出。另外，找到足够的客户来使用这些额外产能也将是一项挑战。
刘启东说，如果进军先进制程，公司将采取更“轻资产”（asset-light）的模式，寻求合作伙伴分担负荷，而不是自行投资额外设备。
由于成熟制程半导体的需求回升速度低于预期，联电今年的资本支出仅为18亿美元。而中芯国际的资本支出则维持在70亿美元以上。
联电是成熟制程半导体的主要制造商，服务对象涵盖各类客户、产业及应用领域，其客户包括高通（Qualcomm）、联发科、瑞昱、英飞凌（Infineon）和德州仪器（Texas Instruments）等全球芯片开发商。（中央社）
3、艾为芯助力霍尼韦尔CK67，打造移动计算“新旗舰”！
霍尼韦尔的智能工业科技业务拥有50年以上的深厚历史，提供领先的传感器技术，促进供应链自动化，其中移动数据终端产品因智慧物流、仓储的需求趋势而被广泛采用。随着应用需求和系统方案的演进，移动数据终端也提出了越来越丰富的方案需求。例如：
可靠读码效果：满足不同距离、不同亮度环境下的稳定读码需求。
数据互联：通过 USB 接口连接个人电脑等设备，快速完成数据传递。
大电流充电方案：采用Pogo pin + Type-C接口，支持大电流充电及端口隔离保护。
充电指示灯：配备充电指示灯，实时显示电池过放状态及充电进度。
音效系统：大音量，搭载喇叭防烧保护算法。
屏幕显示性能：采用6英寸高亮度屏幕，实现高精度均匀背光显示。
GPIO 扩展能力：支持功能模块扩展，满足平台GPIO接口的灵活配置需求。
图1 霍尼韦尔移动数据终端产品CK67示意图
艾为凭借17年在模拟芯片领域的深耕经验，针对移动数据终端等行业应用的特性与需求，开发出一系列产品，并量身定制应用解决方案。以下是对艾为移动数据终端应用系统框图的详细说明：
图2艾为移动数据终端（PDA）整体方案
可靠读码效果
针对不同距离、不同亮度环境下的稳定读码需求，艾为闪光灯驱动产品可提供等级丰富的补光电流。
图3 艾为闪光灯/红外灯驱动产品应用图
双通道、独立可配置2A恒流源LED驱动
Flash: 3.91mA~2.0A, 256级，7.83mA/级
Torch: 0.98mA~500mA, 256级，1.96mA/级
Flash Timeout: 40ms~1.6s, 16级
Flash/Torch/IR模式
效率高达82%（Flash模式）
400kHz I²C总线
封装：FCQFN 1.6mm×1.2mm×0.55mm -10L
数据互联
艾为限流保护开关（OCP）助力提升USB接口连接可靠性。
图4 为限流开关（OCP）产品应用图
输入电压范围：2.5V~5.5V
0.4A~2.5A可配置输出限流阈值
Rdson：65mΩ（典型值）
限流精度±9%@1A（典型值）
多重保护：反向电流保护（RCP）、过温保护（OTP）、UVLO
封装：SOT23-6L
大电流充电
Pogopin+Type-C接口。大电流、端口隔离保护方案。
图5 艾为背靠背（B2B）隔离OVP产品应用图
输入电压范围：3.1V~28V
5A 持续过流能力
Rdson：20mΩ（典型值）
可配置OVP阈值，VP引脚外部RSET配置
快速OVP关断，响应时间：80ns（典型值）
浪涌保护：±100V（IEC61000-4-5）
ESD保护：±8kV（IEC 61000-4-2 接触）
多重保护：反向电流保护（RCP）、过温保护（OTP）、UVLO
封装：
WLCSP 2.19mm×1.75mm×0.64mm_max-20B
充电指示灯
图6 艾为三通道呼吸灯驱动产品应用图
3通道恒流LED驱动
电流等级：4*16*256档（全局电流/直流配置/PWM亮度占空比）
自主呼吸模式，降低主控功耗
支持电池过放时的快速充电指示：CHRG引脚拉高后立刻使能LED1通道电流输出
LED电流精度&匹配度: ±3%
输入电压范围：2.5V~5.5V
封装：QFN 1.5mm×1.5mm×0.45mm-8L
音效系统
大音量，搭载喇叭（防烧）保护算法。
图7 艾为数字音频功放产品应用图
集成SKtune™音效算法
喇叭保护功能
Smart BOOST 架构，效率高达 84%
RF噪声抑制，消除TDD噪声
Low noise: 14μV
THD+N: 0.01%
I²S/TDM接口
支持超声应用（TDM/I2S速率采用96kHz）
VDD范围: 2.9V~5.5V，DVDD范围: 1.65V~1.95V
芯片多重保护：短路、过温、欠压和过压保护等
封装：WLCSP 2.60mm×3.13mm×0.543mm-42B
屏幕显示
高亮度、高精度均匀背光显示。
图8 艾为三通道高精度背光驱动产品应用图
电流匹配度：±1%
电流精度：±3%
效率高达91%
LED驱动电流：29.6mA/string（背光模式），79.9mA/string（Flash模式）
调光模式可选：I2C、PWM
可配置OVP阈值（17.5V, 24V, 31V, 38V, 41.5V）
LED开路/ 短路保护
封装：WLCSP 1.64mm x 1.24mm-12B
GPIO 扩展
艾为GPIO扩展芯片系列，支持6~16通道GPIO扩展，助力移动数据终端系统方案实现。
图9 艾为16通道GPIO扩展产品应用图
16通道GPIO扩展，每个通道可独立配置为输入/输出
双电源引脚，支持VDD(P)、VDD(I2C-BUS)采用不同电压
1MHz I2C接口，AD引脚可配地址
VDD范围：1.65V~5.5V
封装：BGA 3.0mm × 3.0mm × 0.86mm - 24B
艾为深耕模拟半导体领域17年，累计发布超1400款物料，覆盖 “声光电射手” 五大产品线、40 多个子类。此次与霍尼韦尔（Honeywell）达成全面合作，不仅彰显了艾为产品矩阵的完整性与品质可靠性，更以标杆案例推动 “艾为芯” 在工业市场的规模化应用。未来，艾为将紧密围绕工业应用场景需求，依托核心技术优势持续研发优质物料，为工业 5.0 进程与工业自动化发展注入强劲动力。
4、赛微电子拟3.24亿元收购赛莱克斯北京9.5%股权
6月30日，赛微电子发布公告称，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（以下简称“大基金”）拟在取得其国资主管部门批准后通过在产权交易所挂牌的方式转让其持有的公司控股子公司赛莱克斯北京9.5%股权。截至目前，国 家集成电路基金尚未取得其国资主管部门的审批。
前述股权挂牌后，赛微电子全资子公司赛莱克斯国际有意向以不高于32,370.96万元的价格通过产权交易所进场摘牌。本次交易完成后，公司将合计持有赛莱克斯北京81%的股权。
据悉，大基金持有赛微电子8.75%股份，为公司第二大股东且持有公司5%以上股份，同时公司董事张帅先生由国家集成电路基金委派，故大基金为赛微电子关联方。
根据中长期经营计划和发展战略，赛微电子将继续推动旗下MEMS业务资源的融 合，由赛莱克斯国际统筹公司MEMS业务资源；北京8英寸MEMS国际代工线已建成运营，在公司出售瑞典Silex Microsystems AB控制权后，公司将集中资源重点发展并深化运营位于北京的MEMS晶圆工厂，持续打造更加聚焦、更加自主可控且产能持续扩张、更具发展潜力的境内MEMS工艺平台及产线，把握住中国半导体产业崛起的市场机遇。
赛莱克斯北京作为公司在境内MEMS代工领域的核心骨干企业，近年来，赛莱克斯北京持续加大研发投入，自主积累基础工艺，积极探索各类MEMS器件的生产诀窍，积极推动公司在本土形成和提升自主可控的MEMS生产制造能力。2021 年6月至今赛莱克斯北京已实现硅麦克风、BAW滤波器、微振镜、超高频器件的 量产，正在进行小批量试产气体、生物芯片、惯性加速度计、惯性测量单元、温湿度等MEMS器件，同时对于压力、硅光子、振荡器、3D硅电容、超声波换能器、喷墨打印头、磁传感器等MEMS芯片、器件及模块，正积极从工艺开发向验证、 试产、量产阶段推进。未来，赛莱克斯北京有望持续推进产能爬坡、良率提升及规模量产，逐步成为公司收入和利润的重要来源。
一方面，赛微电子坚定看好赛莱克斯北京的发展前景，收购其少数股权有助于进一步统筹发展旗下MEMS业务，提升公司在中长期的营收规模及盈利能力；另一 方面，大基金在基金存续期、退出收益、协同其他项目等方面存在统筹安排。基于此，公司拟通过赛莱克斯国际收购国家集成电路基金持有的部分赛莱克斯北京股权，从而提高对赛莱克斯北京的持股比例。
赛微电子表示，若本次交易完成，公司对赛莱克斯北京的持股比例由71.50%上升至81.00%，提高控制比例，公司的综合竞争实力将进一步增强，进一步提高经营效率，应对不断变化的市场竞争，巩固和提升公司在MEMS代工领域的市场竞争力，在中长期实现公司、股东、债权人、企业职工等利益相关方共赢的局面。
5、阿尔特：整车开发周期已由38个月缩短至22至24个月
近日，阿尔特在接受机构调研时表示，当前，汽车产业正在发生剧烈变革，汽车产品的生命周期大幅缩短，导致上游研发设计周期也需对应提速。传统整车开发周期长达38个月，但目前已逐步缩短至22至24个月。这一方面是因为整车生命周期从传统的10年缩短到当前的3-5年；另一方面也因为市场竞争加剧，使得整车厂需要对市场反馈进行快速响应。
阿尔特认为，因此，更加开放、柔性、敏捷、高效、可靠的汽车研发设计体系成为汽车产业能够持续高质量发展的关键。在这一产业背景下，公司正在探索将AI技术深度融入汽车研发全流程，建立“汽车研发数智系统”，推动汽车开发效率提升。
阿尔特基于过去二十年在汽车研发设计过程中积累的数据以及行业knowhow，从2023年开始启动AI赋能汽车研发设计战略。公司定位为AI驱动工业设计的全球引领者，并致力于定义AI时代的汽车研发新范式，重构传统汽车设计工作流。
公司采取战略合作的策略，积极构建开放的合作生态，目前已于英伟达、智谱华章、清华大学智能研究院等领先的半导体、人工智能企业与学术机构建立了深度合作关系。其中，公司已于2024年6月成为英伟达在全球汽车设计领域唯一的解决方案顾问合作伙伴，双方在软硬件、技术、仿真平台等多个领域展开合作，系统推进汽车设计技术创新。
其中，阿尔特的AI+汽车造型产品“TAI”（太乙）已于2025年3月正式发布面世，其具备文生图、线稿渲染、多视角生成、背景重绘、局部生图、2D转3D等多种功能，目前正面向行业开展商业推广工作。
截至目前，阿尔特已为国内外80余家客户合计开发了近500款车型，下游客户包括本田、日产、丰田、一汽、东风、奇瑞及多家新势力企业。理想one、东风本田e:NS1、广汽本田e:NP1、一汽红旗H5、一汽红旗E-HS9、猛士917、猛士M50、岚图FREE、岚图梦想家等车型公司均有深度参与。
