【进展】三星平泽P4进展：PH1变身NAND/DRAM混合工厂；传谷歌Pixel 11将搭载台积电2nm版Tensor G6芯片；LG Innotek开发全球首个移动半导体基板用“铜柱”技术

1.三星平泽P4进展：PH1变身NAND/DRAM混合工厂；

2.跳过3nm，传谷歌Pixel 11将搭载台积电2nm版Tensor G6芯片；

3.台积电海外子公司拟发行100亿美元股票以应对外汇波动；

4.LG Innotek开发全球首个移动半导体基板用“铜柱”技术，尺寸缩小20%；

5.日月光：全球都会受到关税影响 但产业会找到出路；

6.英诺赛科顶部冷却En-FCLGA封装产品将彻底改变太阳能和储能应用

1.三星平泽P4进展：PH1变身NAND/DRAM混合工厂

据媒体报道，三星电子平泽第四园区工厂（P4）第二期（PH2）和第四期（PH4）的投资步伐正在加快。预计总投资约7万亿韩元的外部建设将于今年下半年正式启动。PH1最初设计为NAND闪存工厂，现已转变为同时生产NAND和10纳米级第四代（1a）DRAM的混合工厂，目前设备安装已进入收尾阶段。

三星电子内部仍在讨论是将PH2用作DRAM生产基地，还是将其改造成混合晶圆厂。

去年有消息称，平泽P4是一个由四个阶段组成的最尖端半导体生产工厂，包括代工和存储生产线。三星原本计划首先建设存储生产线PH1，然后是代工生产线PH2，接着是存储生产线PH3，最后是代工生产线PH4，以完成P4的建设。

2.跳过3nm，传谷歌Pixel 11将搭载台积电2nm版Tensor G6芯片

据报道，谷歌Pixel 10系列将成为谷歌首款更换芯片代工合作伙伴的旗舰智能手机系列。据称，为该系列提供支持的Tensor G5芯片将采用台积电第二代3nm工艺（也称为"N3E"）进行量产。

三星可能不再是谷歌未来芯片制造的首选，鉴于谷歌高层最近访问了中国台湾，并与全球最大的晶圆代工企业台积电签订为期五年的合作协议。这一协议预计会包括Pixel 11的Tensor G6芯片，值得注意的是，谷歌计划在2026年与竞争对手保持技术同步，因为据传其系统级芯片（SoC）将采用台积电的2nm制程技术。

台积电自4月1日起开放2nm订单，但尚未透露哪些客户将选用这项技术。业界推测，苹果可能会成为首个获得2nm晶圆的公司，因为它需要采用大量先进光刻技术的芯片，以维持在竞争中的领先地位。

谷歌决定跳过台积电第三代3nm工艺，直接采用2nm节点来生产Pixel 11的Tensor G6芯片。然而，这一决策对谷歌而言可能代价不菲，鉴于其智能手机的出货量远逊于苹果和三星等市场巨头，而且采用台积电的2nm工艺生产Tensor G6芯片，意味着高昂的生产成本。不过，谷歌有机会与三星重建业务伙伴关系，从而利用三星的2nm GAA工艺技术缩减成本。

尽管如此，考虑到台积电作为代工合作伙伴对众多客户的可靠性，谷歌可能会承担额外的晶圆成本。谷歌未来可能重新评估成本结构，或许最终选择更经济的台积电3nm N3P节点来生产Tensor G6，从而节省数百万美元开支。

3.台积电海外子公司拟发行100亿美元股票以应对外汇波动

据媒体报道，台积电海外子公司计划发行价值 100 亿美元的新股，以加强其外汇套期保值业务。

Robeco驻新加坡的亚洲主权债务策略师表示：“总体而言，外汇市场的波动加剧意味着银行可能会调整其保证金要求。发行新股并立即注入大量现金，或许能帮助企业应对现有及新套期保值业务的保证金要求。”

6月10日，台积电公布的财报显示，该公司5月营收3205.16亿元新台币，月减8.3%，年增39.6%，创历年同期新高。

4.LG Innotek开发全球首个移动半导体基板用“铜柱”技术，尺寸缩小20%

6月25日，LG Innotek宣布已成功开发全球首个面向移动半导体基板的铜柱(Cu-post)技术，并实现量产应用。

随着智能手机轻薄化竞争加剧，市场对既提升移动半导体基板性能又压缩尺寸的技术需求激增。LG Innotek预判这一趋势，自2021年就前瞻性开发了这款次世代移动半导体基板技术。

与传统通过焊球直接连接半导体基板与主板的方式不同，该技术采用铜柱结构缩小焊球间距与体积。此举不仅能实现半导体基板小型化，还可在同等面积上排布更多电路，电路密度提升有效助力智能机实现“瘦身”与高性能并行。应用此项技术后，半导体基板在性能不变前提下尺寸最多可缩减20%。

该技术不仅适配轻薄化设计，更优化了人工智能（AI）计算等需高效处理复杂海量电信号的高端功能。其散热性能同样提升，铜柱采用的铜材料导热系数达铅的7倍以上，可更快导出半导体封装内部热量。

铜柱技术有望巩固LG Innotek在射频系统级封装（RF-SiP）基板领域的全球霸主地位。LG Innotek CEO Moon Hyuk-soo表示：“这项技术并非简单的部件供应，而是基于深度思考为客户成功提供的支持” ，并强调“将通过创新产品改变基板行业范式，持续创造差异化客户价值” 。

5.日月光：全球都会受到关税影响 但产业会找到出路

6月25日，日月光集团CEO在回应关税议题时表示，全球都会受到关税影响，依产品类别、产业位置不同而有所差异，但中国台湾处于制高点，相信不管外部环境怎么变化，产业都会找出最适合自己的出路。

吴田玉表示，受美国发动关税战影响，尽管国际半导体产业协会（SEMI）尚未修正原预期2030年全球半导体产值将突破1万亿美元的预估值，但业界已保守预估要延至2032至2033年才会达到达1万亿美元，不过这也不脱未来十年，全球半导体产值突破1万亿美元的长线目标。

吴田玉强调，面对特朗普政府多次点名中国台湾，要拿中国台湾芯片开刀，课征重税，以特朗普政府的个性，中国台湾恐怕无法获得零关税豁免，但应该也不会如特朗普所言会达到100%那么高的税率。在无法避免下，他相信每家公司都因产业位置不同而有所差异，但相信不管外部环境怎么变化，产业都会找出最适合自己的出路。

6.英诺赛科顶部冷却En-FCLGA封装产品将彻底改变太阳能和储能应用

100V 新品发布

两款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD 使用与之前发布的产品INN100EA035A相同的封装（双冷En-FCLGA 3.3X3.3），这是业界首款硅场效应晶体管 (SFET) 的点对点 (P2P) 替代品，可立即提升效率并提高功率密度，在36V 至 80V 的输入条件下，系统功率损耗可降低 50% 以上。

英诺赛科领先的 Dual-Cool En-FCLGA 封装与传统的单冷却封装相比，导热率高出 65%，从而显著提高系统热性能、降低工作温度、提高效率并实现更高的功率密度（降低 BOM 成本）。