英特尔一位董事近日表示，随着晶体管设计的演进，未来高端半导体制造可能会降低对先进光刻设备的依赖，转而更多地依靠刻蚀技术。
这位不愿透露姓名的英特尔董事指出，环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)等新型晶体管设计将改变芯片制造的技术重心。虽然ASML公司的极紫外(EUV)光刻机目前是先进芯片制造的关键设备，但未来的制造工艺可能会减少对这类昂贵设备的依赖。
在传统芯片制造流程中，光刻是将设计图案转移到晶圆上的第一步，随后通过沉积和刻蚀等工艺将这些设计固定下来。目前主流的FinFET晶体管设计正逐渐向更先进的结构演进，其中GAAFET设计将栅极包裹在晶体管周围，而CFET设计则将晶体管组堆叠在一起以节省晶圆空间。
该董事解释，由于这些新型晶体管设计需要从多个方向"包裹"栅极，因此横向去除晶圆上多余材料的刻蚀工艺变得尤为重要。相比增加晶圆在光刻机上的时间以减小特征尺寸，芯片制造商可能会将更多精力放在通过刻蚀技术去除材料上。
这一观点暗示了半导体制造设备领域可能出现的技术重心转移，对于芯片制造设备供应链和工艺开发方向可能产生深远影响。
