1.vivo X200s 拆解：精致工艺下的性能猛兽
2.从High-NA到Hyper-NA，ASML光刻技术如何突破物理极限？
3.高通Vinesh Sukumar博士：AI发展重心正向边缘终端转移
4.甬矽电子H1营收为19亿元-21亿元，同比预增16.6%到28.88%
5.国芯科技抗量子密码卡新产品内测成功，已向多家客户送样
6.存储界新风暴！顺络新型钽电容助力eSSD断电数据保护
1.vivo X200s 拆解：精致工艺下的性能猛兽
2025年年4月，vivo正式推出了新一代直屏旗舰X200s。这款被用户誉为“最强苹替”的手机，一上市就引爆了市场热情——预售首日销量直接冲到上一代同期的277%，多种时尚配色机型更是一机难求。当人们津津乐道它果味十足的设计、天玑9400+的强悍性能，或是打破iOS/安卓壁垒的“破壁流转”功能时，我们也想知道在这些耀眼的标签之下，X200s的“内功”修炼到了何种境界？今天，我们就亲手拆开这台现象级旗舰，一探它火爆销量背后的硬核构成。
vivo X200s采用直屏设计，机身纤薄，仅7.99mm，屏幕尺寸为6.67英寸，握感舒适。背面则采用了简洁的“饼干头”镜头DECO设计，搭配滚花对焦纹理；后盖采用玻璃材质，经过AG磨砂工艺处理，手感顺滑。手机外观外观简洁大方，整机一体感强。
下面开始拆解，关机后，取出SIM卡托。
对后盖进行加热，使用薄撬片，撬开手机后盖。
DECO内侧是黑色塑料内衬，通过螺丝和粘胶固定。三颗镜头外沿设缓冲泡棉圈，主摄开孔内增加泡棉胶，提高密闭性。副板对应位置有3块长条形缓冲泡棉。
主摄周围有NFC线圈，右上角双LED闪光灯，中间黑色方块是环境光传感器。长焦镜头下方有激光对焦和Flicker防闪烁传感器（激光对焦外有橡胶套）。三颗摄像头都有金属防滚架，盖板有限位框固定。左侧黄色FPC对应电源键，左下黑色FPC对应无线充电线圈，右下白色同轴线连接副板。电池仓有大块散热膜，覆盖无线充电线圈、主板和底部扬声器。
接下来看看X200s搭载前后四摄：
主摄：5000万像素，索尼IMX921，OIS光学防抖，蔡司T镀膜，f/1.57光圈
长焦：5000万像素，索尼IMX882，蔡司T镀膜，f/2.57光圈
前置：3200万像素
超广角：5000万像素，三星JN1，等效15mm焦距，f/2.0光圈
右上角的圆孔，对应降噪麦克风。大部分屏蔽罩上都贴有铜箔，核心区外沿一圈薄泡棉。
撕开所有铜箔，拆开屏蔽罩，清理散热材料，我们就能清晰的看到这款手机使用的绝大部分芯片：
在芯片中，除了联发科、三星等常见芯片供应商。我们也看到了慧智微、南芯、易冲等国产芯片供应商的身影。
其中国产芯片中最大的一颗是慧智微提供的是S55051 Phase8L NSA L-PAMiD射频前端模组芯片，这是一颗覆盖Sub-3GHz全频段的高集成射频前端模组芯片，也是拆机中第一次见到国产厂商可以提供类似的芯片。
另一家科创板上市公司南芯科技为X200s提供了两颗充电芯片SC8550，在过往手机拆机中，也已经看到过多次南芯科技充电芯片的身影。
无线充电IC则由来自成都的易冲半导体提供。根据官网显示，CPS4041是一款高效、符合Qi标准的单芯片无线充电TRx。它在Rx模式下支持高达60W(最大3A)的容量，在Tx模式下支持高达20W的容量，特别适用于手机和便携式设备应用。
另外在芯片中，我们也找到了vivo自研影像芯片V3的身影。自研影像芯片可通过与SoC芯片的配合，为vivo X200s手机实现更好的成像效果。
下面是整理出的一些芯片：
再来看看下方，麦克风在中间，外面有一层金属罩。USB接口尾端做了封胶处理，外沿包裹有红色防尘防水橡胶。
振动单元粘在框架上，来自瑞声科技，采用0809规格。
指纹模组在屏幕和中框之间，X200s采用的是超薄屏幕指纹方案。框架上有一处镂空，露出的芯片就是触控IC，它来自新思科技，型号为S3905。
左侧上下有两块金属导电泡棉对应降噪麦克风。方形镂空对应前置环境光等感应器，内部有缓冲泡棉。扬声器区域：有不规则泡棉，缓冲和提升音质，防止漏音。左侧中间4个触点对应电源键和音量键。主摄和长焦镜头有CNC限位角固定。长焦镜头及主板核心区下方有大面积镂空，露出VC均热板。
采用单电芯双接口方案，电池为新一代蓝海电池，容量达到6200mAh。X200s支持90W有线快充，并且支持40W无线快充。
到这里，vivo X200s的拆解就基本完成了。
这款手机延续了vivo X200的设计，整体风格更加简约，平整的玻璃后盖搭配多彩的配色，颜值升级经过对 vivo X200s 的拆解，其内部展现的精工细作也令人印象深刻。布局精密、工艺考究，散热系统也相当扎实，可以说是细节处理诚意满满的一部手机。
在电池和芯片使用上，X200s不仅使用6200mAh容量的新一代蓝海电池，还使用了vivo自研V3影像芯片、联发科最新天玑9400+处理器芯片、最新Phase8L NSA L-PAMiD高集成射频模组芯片等，共同支撑起手机的卓越体验以及紧凑布局。X200s的内部元器件的使用，也完美对得起这款手机的旗舰定位。
2.从High-NA到Hyper-NA，ASML光刻技术如何突破物理极限？
荷兰半导体设备龙头ASML在极紫外（EUV）光刻领域占据主导地位，该技术是生产尖端半导体芯片的关键。随着行业为推动人工智能、5G和下一代计算技术而不断追求更小制程节点，问题随之而来：ASML的EUV技术还能走多远？
市场主导与技术垄断并存
根据Research and Markets、Future Market Insights及路透社的数据，ASML控制着全球75%-80%的EUV光刻设备市场，其技术无竞争对手能及。该公司为台积电、三星电子和英特尔等所有主要芯片制造商供货，实际垄断了EUV系统领域——这一业务板块为其创造了近四分之一的总收入。
2025年第一季度，ASML净销售额达77亿欧元（约合89亿美元），毛利率为54%，积压订单达39亿欧元。由于对EUV系统的强劲需求和对深紫外工具日益增长的兴趣，其全年销售额预计将达到300至350亿欧元。
技术路线图：从标准EUV到高数值孔径（High-NA）及更前沿
标准EUV（0.33NA）
自2016年推出以来，ASML的0.33NA EUV系统（使用13.5nm光源）已实现2nm制程节点，相比193nm浸没式光刻可减少多重曝光步骤。其优势在于：分辨率提升、良率提高、工艺简化。
High-NA EUV （0.5 NA）
ASML的High-NA EUV系统（0.5NA）目标是在2029年前实现1nm级制程的生产。据Tech in Asia和TrendForce集邦咨询报道，英特尔计划将其用于14A节点，但台积电因成本和复杂度问题，在A16/A14节点中选择放弃采用该技术。
High-NA EUV需要在光学、激光和晶圆系统等方面实现重大突破。其更小的视场和浅景深要求配备新型光刻胶、超平坦晶圆以及重新设计的掩膜台。
Hyper-NA EUV（超高数值孔径EUV）（0.75 NA）及前景
ASML正研发0.75NA的Hyper-NA EUV系统，目标是在2030年代初实现0.5nm以下制程。但技术障碍巨大，例如需要制造具有原子级精度的米级反射镜，以及需要管理复杂的光学系统。
ASML技术高级副总裁Jos Benschop指出，尽管高数值孔径和超高数值孔径技术可能延续摩尔定律，但量子隧穿效应和原子间距等物理极限，可能在本世纪中叶前制约技术进步。
战略合作伙伴关系：创新的支柱
ASML的创新引擎依赖于与关键企业的深度合作：
卡尔蔡司SMT（Carl Zeiss SMT）
自2016年ASML收购其24.9%的股份以来，双方始终保持紧密合作。蔡司生产的多层反射光学系统对高数值孔径（High-NA）和超高数值孔径（Hyper-NA）系统至关重要。蔡司可制造具有原子级精度的米级反射镜和高反射率涂层（反射率约71%）。
阿姆斯特丹先进计量与光刻研究所（ARCNL）
作为部分由ASML资助的机构，ARCNL专注于极紫外（EUV）光源、涂层技术及纳米级计量技术研究。这种合作模式效仿了飞利浦的NatLab模式，将基础科学与商业创新相结合。
这些合作伙伴关系构建了高壁垒的创新生态系统，为ASML持续保持技术领先奠定了基础。
EUV光源：功率瓶颈与替代方案
ASML的EUV设备依赖于激光产生的等离子体（LPP）光源，使用30kW的CO2激光器在真空中以每秒50,000滴的速度撞击锡液滴，产生13.5nm的EUV光。功率已从2015年的100W提升至如今的500W，但由于镜面能量损失和等离子体不稳定，规模化仍然困难重重。
美国、中国和日本的研究团队正在探索自由电子激光器（FEL）EUV光源，其优势在于波长可调且功率更高。然而，由于依赖大型加速器，它们对大多数晶圆厂来说缺乏实用性。ASML因尺寸和可靠性问题放弃了FEL的开发，但像Xlight这样的初创公司计划在2028年前集采用FEL光源。
对面临ASML设备出口限制的中国而言，EUV-FEL技术可能成为获取先进光刻能力的战略性替代方案。
人工智能与互联技术推动市场增长
受人工智能、云服务、5G及汽车技术等领域芯片需求激增的推动，全球EUV光刻市场规模预计将从2025年的115亿美元增长至2030年的近200亿美元。
ASML的顶级客户台积电、三星和英特尔均为全球芯片资本支出规模最大的企业，持续支撑着对EUV系统的需求。5G网络的普及以联网设备的激增（全球预计达400亿台），进一步提升了对先进芯片制造的需求。
ASML的目标是到2025年将EUV设备产量翻倍，实现每年70台的出货量，并计划扩招20%的员工以满足不断增长的市场需求。
挑战与物理极限
根据新浪、ICsmart、GuruFocus和Eightify等平台的信息，尽管ASML占据领先地位，但其仍面临重大挑战。
技术障碍对高数值孔径和超高数值孔径系统构成困扰，这些技术要求在光学元件、掩膜和光刻胶领域达到极高精度。
成本高企使问题雪上加霜，每台High-NA设备成本超过4亿美元，而更小的视场又让设计和制造流程更为复杂。
由于量子效应和原子尺度间距可能会阻碍晶体管尺寸缩小到1nm以下，因此物理极限显得十分重要。
地缘政治紧张局势进一步加剧了局势的复杂性，因为出口禁令（尤其是对中国的出口禁令）扰乱了供应链并加速了竞争对手的技术发展。
更广泛的半导体生态系统影响
ASML的EUV系统不仅简化了光刻步骤，提高了良率并降低了成本，还通过集中需求于超先进设备，重塑了设备市场格局。其主导地位创造了极高的进入壁垒，巩固了其在全球芯片供应链中的核心地位。
ASML拥有庞大的全球供应网络和每年40亿欧元的研发投入，彰显了其无与伦比的规模和影响力。
ASML的EUV征程还要走多久？
ASML的EUV技术重塑了芯片制造业，并且很可能在未来至少10到20年内保持关键地位。在光学、光源和材料方面的持续进步可能会在本世纪30年代初实现1nm甚至更小的节点。
但物理和成本限制最终将减缓规模化发展，从而促使人们转向先进的封装和新材料。
凭借无可匹敌的市场份额、与蔡司和ARCNL等关键伙伴的合作，以及持续不断的创新，ASML仍将是行业的主导力量，直至硅基材料与光学技术触及物理极限。
参考链接：https://www.digitimes.com/news/a20250616VL203/asml-euv-high-na-dutch-equipment.html
3.高通Vinesh Sukumar博士：AI发展重心正向边缘终端转移
6月18日，GSMA 2025 MWC上海正式拉开帷幕。在大会首日举办的“代理式人工智能峰会”上，高通技术公司AI/生成式AI产品管理副总裁Vinesh Sukumar博士发表主题演讲，分享了对于AI发展新趋势的看法。
Vinesh Sukumar博士指出，AI发展正在进入全新阶段，AI发展重心正在向边缘终端转移。当前，AI正在向智能体AI领域转型，高通相信AI将成为新的UI，并覆盖广泛终端。与此同时，为实现这一愿景，高通公司已经构建了覆盖广泛边缘终端的硬件和软件技术，为智能体AI体验在终端侧的发展打造了坚实基础。
纵观AI的发展历程，早期AI技术主要集中在分割、检测、分类、图像增强等感知AI领域，为赋能智能手机体验奠定了基础。但随着时间的推移，上述体验也在快速进行演变，类似技术扩展到了汽车、PC等市场，以及XR和工业网络等新兴领域。
在这些领域中，行业探讨的重点从感知数据到多模态数据的转变，多模态数据可以是文本、图像或视频形式，且全部都基于提示（prompt）生成。将这些技术匹配到不同的应用赛道上，从而帮助在生产力、游戏甚至内容生成领域打造全新的用户体验。而高通正在将这些知识积累应用到所有相关领域。
Vinesh Sukumar博士强调，高通非常重视生成式AI和智能体AI，是最早展示大模型可以完全在边缘运行的芯片平台厂商之一。
对于AI未来的发展方向，Vinesh Sukumar博士表示，高通非常重视与众多的模型开发者合作，致力于推动大型基础模型向更加垂直行业或任务专用型模型转变，并助力实现边缘终端运行。这些行业专用模型可能会非常庞大，参数量可能达到70-100亿，高通已经开始推动这些模型在不同形态的终端上运行。
“在模型领域，过去人们通常认为更大的模型意味着更好的质量，但纵观大模型的发展过程，从通义千问、Meta、Google或微软推出的模型中可以看出，小模型的质量正在快速提升并追赶大模型的能力。以模型智能指数对比为例，众多的小语言模型（SLM）已经达到了Llama 3 700亿参数大模型的水平。”Vinesh Sukumar博士说。
为何边缘模型正在变得愈发重要和关键？Vinesh Sukumar博士指出，这是因为它们能够在生产力或内容创作领域为用户提供丰富的体验。过去，模型会面临如何真正实现终端侧部署的挑战。针对这一挑战，高通提供了高通AI软件栈，能够支持模型完全在边缘平台部署。高通始终致力于为包括开发者在内的生态系统合作伙伴提供机会，让应用能够实现云端训练，并在高通平台赋能的终端上运行。
在过去的12到18个月里，高通在边缘AI领域实现了诸多关键用例的商业化应用，每年赋能大约200到300个AI应用。在过去的12个月里，高通更加重视生成式AI领域。在消费领域，边缘AI已经能够支持内容创作、照片编辑、图像修复、图像扩展等诸多应用；在企业领域，包括代码生成等更多应用。
“在过去，生成式AI已经带来了诸多助力，但其仅支持单一模态。现在，我们正在向所谓的智能体AI领域转型。我们相信，AI将成为新的UI（用户界面），并覆盖广泛终端。”Vinesh Sukumar博士表示。
那么，如何实现这一目标？Vinesh Sukumar博士指出，首先取决于期望打造什么样的用户体验。为此，高通致力于融合多种数据模态。这些数据模态可能基于图像、音频、文本、语音甚至视频。基于这些模态支持，可以理解用户意图，并匹配连接多个应用以调用AI处理能力，从而满足用户需求。这催生了AI智能体概念。智能体AI侧重于解读需求并采取行动，从而走向自动化。虽然实现智能体体验颇具挑战性，但高通正在不断强化基础技术构建，为这些智能体AI用例筑牢根基。
“我们可以推动包括娱乐、电商、礼宾服务、地图导航甚至音乐等多种领域的智能体AI用例发展。为了实现这些目标，需要广泛的边缘侧布局，能够理解用户需求且将其转化为恰当操作的强大软件栈。”Vinesh Sukumar博士说。
据Vinesh Sukumar博士介绍，在将用户意图转化为恰当的操作时，总会出现某一设备可能无法回答或响应用户查询（query）的情况。这时如果用户需要进行设备间通信，可以通过高通AI软件栈来实现。高通的产品覆盖广泛的边缘终端，涵盖从手机到PC、XR等多种产品形态，因此这对高通而言来说更容易。此外，凭借在这些终端上收集到的海量用户数据，也能更成功地解读用户意图并采取行动。
Vinesh Sukumar博士还指出，智能体AI在进行商用部署时也面临许多挑战，比如智能体AI的准确性、可预测性、一致性表现，否能够精准匹配用户需求等。为此，拥有必要的软件栈支持至关重要。而高通AI软件栈非常强大，经过长期技术积累，可以支持针对特定任务的多种小语言模型。
其次，要实现更好的服务质量意味着当用户提出特定提示（prompt）时，AI能够以最快速度响应，这需要在硬件方面大力投入。为实现这一目标，高通打造了CPU、GPU等通用计算单元，以及Hexagon NPU这样的专用加速器。
最后是如何实现规模化扩展，为开发者社区提供灵活性。这一关键在于提供必要的工具和软件支持，使开发者可以更轻松适应不同的环境和情况。
“而我们已经为这些需求打造了技术基础设施。各位将在未来6个月内，看到更多来自高通的发布，将助力推出更丰富的面向消费者的应用。”Vinesh Sukumar博士说。
此外，在向AI推理时代迈进之时，会面临边缘平台因性能受限而无法解决用户查询（query）的问题。在这种情况下，如何确保用户体验不受影响？
Vinesh Sukumar博士表示，高通已经将边缘推理进行了跨多个终端的分布式部署。如果某些查询无法通过终端侧算力解决，就转而使用基于高通平台的本地边缘服务器来继续查看、理解和回答查询；如果本地边缘平台无法解决，AI会获取用户的上下文信息，然后将任务转移到中央云子系统，根据用户的个人知识图谱来处理查询，然后给出更合理的回复。
4.甬矽电子H1营收为19亿元-21亿元，同比预增16.6%到28.88%
6月18日，甬矽电子发布2025年上半年度主要经营数据为初步核算数据，预计2025年半年度实现营业收入190,000万元到210,000万元，较上年同期增长16.6%到28.88%。
关于H1业绩与增大原因，甬矽电子说明如下：
1、2025上半年，随着全球终端消费市场出现回暖，集成电路行业景气度明显回升，在AI“创新驱动”的周期下，新应用场景渗透率提升，下游需求稳健增长。
2、公司核心客户群竞争力持续增强，市场份额逐步提升，公司伴随客户一同成长；此外，公司客户结构持续优化，海外大客户拓展、部分原有客户的份额提升使得公司营收规模持续增长。
3、公司晶圆级封装、汽车电子等产品线持续丰富，“Bumping+CP+FC+FT”的一站式交付能力不断提升；先进封装产品线稼动率持续上升，成熟产品线稼动率饱满，整体稼动率稳中向好。上述因素共同导致2025年上半年公司营业收入实现同比增长。
5.国芯科技抗量子密码卡新产品内测成功，已向多家客户送样
6月18日，国芯科技发布公告称，公司研发的抗量子密码卡新产品CCUPHPQ01于近日在公司内部测试中获得成功。
国芯科技研制的抗量子密码卡CCUPHPQ01是一款基于抗量子密码算法与经典国密算法相结合，以公司自主设计研发的CCP1080T安全芯片为主控芯片，外加一颗国产FPGA芯片而设计完成的高性能密码安全产品。
该产品遵循国家密码管理局关于密码模块、PCIe密码卡等相关技术规范，支持SM1、SM2、SM3、SM4等国密算法，同时支持主流的抗量子密码算法，如Kyber512/Kyber768/Kyber1024加密算法、Dilithium2/Dilithium3/Dilithium5数字签名算法等，其中：抗量子密码算法Kyber512密钥生成速度达到2700次/s，加密速度达到2300次/s，解密速度可达到1800次/s；Dilithium2算法密钥生成速度达到860次/s，签名速度达到190次/s，验签速度达到600次/s。
该产品支持抗量子密码算法更新，能够很好地跟进抗量子密码算法的迭代及标准化推进过程。该新产品的随机源采用CQWNG10量子随机数芯片，该随机数芯片的随机性源自于量子物理原理，并可采用物理熵理论严格证明其随机性，具有更高的安全性和更快的随机数生成速度。
该抗量子密码卡新产品可以同时支持抗量子密码算法和传统密码算法应用，采用抗量子密码卡的安全产品或设备可以通过抗量子密码算法和传统密码算法共存方式，逐步进行抗量子密码算法应用迁移，在保障原有业务不受影响的情况下开展抗量子密码算法在新业务中应用，既满足现有业务系统密码应用，又能有效抵御量子计算攻击，进而增强了安全产品或设备抗量子计算攻击的能力。
该抗量子密码卡新产品能够为各类安全平台提供多线程、多进程处理的高速密码运算服务，满足其对数字签名/验证、非对称/对称加解密、数据完整性校验、真随机数生成、密钥生成和管理等功能的要求，保证敏感数据的安全性、真实性、完整性和抗抵赖性。该抗量子密码卡产品可以适配龙芯、飞腾、海光等主流平台，支持UOS、麒麟、Linux等主流操作系统，可广泛应用于签名/验证服务器、安全网关/防火墙等安全设备以及安全数据传输、可信计算等领域，可广泛应用于金融、通信、电力、物联网等有高安全要求的信息安全设备中。
另据介绍，目前国芯科技已向多家客户送样，多家客户已在基于抗量子密码卡新产品CCUPHPQ01进行信息安全产品的应用开发。
6.存储界新风暴！顺络新型钽电容助力eSSD断电数据保护
图片来自顺络内部
eSSD介绍
eSSD是企业级固态硬盘（Enterprise Solid State Drive）的缩写，是面向企业级应用和数据中心环境设计的存储设备，旨在满足企业对数据存储在性能、可靠性、可扩展性和管理性等方面的严格要求。相较于消费级SSD，eSSD具有更高的读写速度，更低的延迟，更大的存储容量以及更高的可靠性，并且具有断电保护功能。
为实现其断电保护功能，eSSD通常会配备大容量的电容。在正常供电时，电容会充电储能。当检测到断电瞬间，电容释放储存的电能，为控制器和闪存芯片提供短暂的电力，使控制器有足够时间将缓存中尚未写入闪存的数据安全写入，避免数据丢失。
产业背景
当前用于eSSD断电保护的电容有液态铝电解电容、固体聚合物钽电容以及超级电容。但随着eSSD朝着更高密度存储、更快读写速度、更小体积的方向演进，系统对储能电容提出了更高的要求：
①更大的电容量，以满足毫秒级甚至更长时间的供电要求。以20W功率的eSSD为例，要满足10ms以上的供电时间，则需要总电容量500μF，且再留50%~100%的余量，即750μF~1000μF。若要达到1000μF，使用47μF的电容需要22pcs，但使用100μF的电容则仅需10pcs,数量减少55%。
②更高的体积利用率，适合eSSD高存储密度需求，满足高密度贴装，在相同功率下进一步薄型化。例如E3.S（2U short）eSSD在同样的功率40W下高度从16.8mm进一步降低至7.5mm，对应电容的高度则会限制到1.5mm以下；
③在较宽的温度范围内保持性能稳定，大部分eSSD工作温度范围需达到-40℃~85℃，电容则需要在更宽的温度范围内保持性能稳定（-55℃~125℃）；
Sunlord针对上述痛点需求，推出高性能聚合物钽电容TP系列，实现eSSD更加可靠的断电保护。
产品优势
与目前eSSD使用的液态铝电解电容相比，Sunlord新型固体聚合物钽电容器TP系列具有如下优点：
更大电容量
①高介电常数
钽电容的介质是五氧化二钽（Ta₂O₅），其介电常数（ε）远高于传统电容材料（如铝电解电容的氧化铝介电常数约8～10，而Ta₂O₅可达27～30）。
②超薄介质层
钽电容的介质层通过阳极氧化工艺形成，厚度可控制在微米级（如1～5μm），远薄于铝电解电容的介质层（通常10～20μm）。
根据电容公式
其中C为电容，ε为介电常数，S为极板面积，d为介质厚度，上述固态聚合物钽电容对比液态铝电解电容分别实现了ε的提高和d的减小，综合提升单位体积的电容量。
更小尺寸、更低高度
①高密度结构
固态聚合物钽电容使用导电聚合物作为电解质，相比液态电解质，其结构更紧凑，可填充到钽粉的细微孔隙中，减少空隙。此外，固态电解质无需预留膨胀空间，封装体积利用率更高，间接提升单位体积的容量，使得电容尺寸得以减小。
②小型化、低背化
将同电性的Sunlord固态聚合物钽电容与常规液态铝电解电容对比：
图片来自顺络内部
更高可靠性
①电解质稳定
固态导电聚合物电解质，不存在液态电解液干涸、泄漏或挥发的问题，长期使用不易因电解质劣化导致性能下降。
②使用温度范围广
固态聚合物钽电容可以在很宽的温度范围内工作，即使是恶劣环境中也能使用。
图片来自顺络内部
③耐压特性优
聚合物电解质导电均匀性好，即使在高电压或瞬态过载情况下，也能保持稳定的介电性能。
图片来自顺络内部
与传统Frame结构钽电容相比，Sunlord新型固体聚合物钽电容器TP系列具有如下优点：
高体积利用率
Sunlord新型钽电容通过结构设计实现体积利用率提升25%。在相同封装体积内，新结构增加了钽芯长度，提高钽粉装粉量。根据公式CV=比容*粉重，当比容一定时，粉重提升相当于C值（电容值）和V值（额定电压）提高，并且可以在相同电性下实现更小尺寸和更低高度。
图片来自顺络内部
全密封结构
传统结构Frame金属端子与塑封料的热膨胀系数(CTE)差异大，导致之间有缝隙，水汽容易渗入导致漏电流增大而失效。新结构采用PCB代替Frame，与塑封料的热膨胀系数接近且结合性好，防潮性更高。新型钽电容可通过额定电压下1000h+的双85实验（温度85℃，湿度85%）考核。
图片来自顺络内部
型号推荐
图片来自顺络内部
