在智能化浪潮席卷全球的当下，电子设备正经历着功能集成度与能源效率的双重革命。随着移动及可穿戴设备加速向微型化、轻量化演进，叠加AI技术对算力与能效的严苛要求，市场对电子元器件的空间占用率与功耗控制能力提出了近乎极限的挑战, 微型化，高性能电子元器件的需求也与日俱增。传统霍尔传感器因封装尺寸和能耗水平，难以满足新兴终端对微型化设计与长效续航的极致需求。
作为国内数模龙头企业，艾为电子在移动设备和消费电子领域17年来铸就的“电路设计技术”与“工艺和封装技术”成功开发出新一代“Hyper-Hall”系列霍尔传感器，面对行业对“更小、更省电、更可靠”的终极诉求，艾为“Hyper-Hall”系列以0.8×0.8mm超小霍尔封装尺寸与0.8μA超低功耗，重新划定赛道规则，为AR 智能眼镜、折叠屏手机、智能戒指、医疗CGM 等产品提供“空间与续航双自由”的底层支撑，推动消费者进入“无感化”体验时代 。
图1 封装面积对比
图2 功耗对比
“Hyper-Hall”系列首款家族成员采用小型FCDFN封装尺寸（0.8mm×0.8mm）。与普通的WBDFN封装尺寸（1.1mm×1.4mm）产品相比，产品贴片面积缩小到原来的40%(1.54mm²缩小至0.64mm²)，为高密度PCB布局优化更多空间，助力客户实现更紧凑的电路设计和更大的电池空间。此外“Hyper-Hall”系列通过超低功耗架构突破，产品工作功耗低于0.8uA，与传统产品相比功耗降低到原来的20%（4μA降低至0.8μA），实现高效率工作，有助于应用产品超长续航。
图3 全极单输出应用图
图4 单极双输出应用图
"Hyper-Hall"系列核心特征
工作电压范围：
AW8651X-FDR系列：1.6~5.5V （量产）
AW8650X-FDR系列: 1.1~3.6V (Q3发布)
超低功耗
AW8651X-FDR 系列：0.8uA
AW8650X-FDR 系列：0.1uA
检测 磁场阈值范围：
Bop=18~100Gs
Brp=11~90Gs
输出类型：
推挽输出
开漏输出
封装类型：
FCDFN0.8*0.8*0.5(L*W*H)
图5 应用示例
艾为将持续深耕微型化封装、超低功耗及高可靠性磁品类产品的设计研发领域。通过技术创新与工艺优化，为消费电子、工业互联等应用场景提供更具竞争力的解决方案，切实助力终端产品实现节能降耗与小型化升级，持续为行业发展注入创新动能。
