英伟达已选择美国芯片制造商美光科技作为其下一代内存解决方案SOCAMM的首家供应商，此举或将重塑全球内存行业的竞争格局。
SOCAMM是小型压缩附加内存模块（SCM）的缩写，是一种用于数据中心人工智能（AI）服务器的新型高性能、低功耗内存。该技术备受业界关注，一些人将其称为“第二代HBM”（高带宽存储器），因为它在实现AI加速方面发挥着关键作用。
据知情人士透露，英伟达委托内存制造商三星电子和美光等开发SOCAMM原型。美光科技是首家获得英伟达量产批准的公司，凭借其在低功耗DRAM性能方面的优势，超越了规模更大的竞争对手。
三星等韩国内存供应商已开发出SOCAMM芯片，但尚未获得英伟达的认证。
与垂直堆叠并与图形处理器（GPU）紧密集成的HBM不同，SOCAMM支持中央处理器（CPU），并在优化AI工作负载方面发挥着关键的支撑作用。
首批由英伟达设计、基于堆叠式LPDDR5X芯片的SOCAMM模块将应用于英伟达即将推出的AI加速器平台Rubin，该平台计划于2026年发布。
SOCAMM采用引线键合和铜互连技术，每个模块连接16个DRAM芯片——这与HBM的硅通孔技术形成鲜明对比。这种基于铜的结构增强了散热性能，对于AI系统的性能和可靠性至关重要。
美光公司声称，其最新的LPDDR5X芯片比竞争对手的能效高出20%，这是英伟达做出这一决定的关键因素。每台AI服务器将搭载四个SOCAMM模块，总共256个DRAM芯片，这进一步凸显了热效率的重要性。
分析师指出，美光公司较晚采用极紫外（EUV）光刻技术是意料之外的优势。他们表示，与三星等利用EUV提高良率和密度不同，美光公司专注于架构创新，从而实现了卓越的热管理能力。
SOCAMM芯片的量产标志着美光公司更广泛的复苏，此前该公司在先进DRAM市场一直落后于韩国竞争对手。
分析师表示，SOCAMM的可扩展性意味着它可能出现在更广泛的英伟达产品中，包括其即将推出的个人超级计算机项目DIGITS。
美光在低发热量内存方面的增强能力也有望提升其在竞争激烈的HBM领域的地位。随着内存制造商纷纷布局HBM4（需要堆叠12层甚至16层DRAM），热管理已成为日益关键的差异化因素。
美光科技今年已承诺投入140亿美元资本支出，包括在新加坡、日本、中国台湾和纽约州新建HBM晶圆厂。
一位业内高管表示：“如此积极的投资表明，美光科技可能已经与大型超大规模厂商签订长期供应合同。”（校对/赵月）
