【开设】台积电与东京大学开设联合实验室；TEL投资1040亿日元建设智能工厂，将提升至三倍产能；美光12层堆叠HBM4已送样主要客户

作者：爱集微 23小时前

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来源：爱集微 #集成电路动态#

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1.台积电与东京大学开设联合实验室；

2.TEL投资1040亿日元建设智能工厂，将提升至三倍产能；

3.美光12层堆叠HBM4已送样主要客户；

4.三星Exynos 2600原型芯片量产，计划将2nm GAA工艺良率提升至50%；

5.英伟达首款GPU出自法国，马克龙盼重振昔日芯片雄风；

6.英伟达供应商面临关键矿物短缺危机，库存仅可维持几周

1.台积电与东京大学开设联合实验室

6月12日，东京大学与台积电宣布启用TSMC-UTokyo Lab（台积电-东京大学实验室），共同推动先进半导体研究、教育、以及人才培育。

该实验室位于东京文京区的大学校园内，是台积电与中国台湾以外大学建立的首个联合实验室。东京大学在一份新闻稿中表示，该实验室将推动从材料到封装等芯片制造流程中“具有强大实际应用潜力的半导体技术”的研究。另一个目标是增加日本半导体研究人员的数量，新实验室可能为博士生提供实习和教育机会。该实验室将由该大学和台积电的两名实验室负责人负责，但将由该大学负责运营。

在当天的新闻发布会上，台积电执行副总经理暨联席首席运营官米玉杰表示，“该公司与该大学的合作已升级到战略层面，台积电-东京大学实验室建立在我们2019年以来的成功合作基础之上，进展到现在造就了双方密切的合作关係。台积电与东京大学在各自领域中皆为全球领导者，我们希望这间实验室能成为推动广泛且长期合作的枢纽中心，拓展半导体领域的知识疆界，并培育未来世代的人才。”

当记者问及该公司在美国进行大规模投资的同时是否仍致力于日本市场时，米玉杰表示，“我想我们绝对可以肯定这一点。”他说，由于东京大学是“最著名、最负盛名的研究机构之一，而且它靠近中国台湾，所以我们之间的交流、旅行、资源共享和成果共享都非常便捷。” 这位高管还补充道，由于公司在日本拥有广泛的业务，因此选择日本作为其首个海外联合实验室的所在地。

2.TEL投资1040亿日元建设智能工厂，将提升至三倍产能

日本半导体设备制造商Tokyo Electron Ltd.（TEL）于6月2日为其位于宫城县的先进生产基地举行奠基仪式。该基地最初被称为其主工厂的扩建，现已正式命名为“宫城生产创新中心”。该基地计划于2027年夏季竣工，是TEL应对全球日益增长的先进芯片制造设备需求战略的基石。该项目于2025年2月宣布，将由其子公司TEL宫城株式会社牵头，投资额达1040亿日元（7.28亿美元）。

TEL宫城工厂总裁兼代表董事Hiromitsu Kambara表示，新工厂的产能将在2028年达到现有水平的1.8倍，并计划在未来几年进一步提升至三倍。该中心将依托TEL的“智能生产”计划建设，优先在工程和物流领域采用先进的自动化技术，以提高生产力和效率。

该工厂还将与公司毗邻的研发中心——三号开发大楼紧密结合，后者已于2025年4月投入运营。两地将共同致力于尖端等离子刻蚀技术的开发和量产。

Hiromitsu Kambara强调了日本在全球半导体价值链中的关键作用，并预测随着下一代芯片技术的发展，日本的技术优势将不断增强。他表示，新工厂对于构建高产能、高质量生产线至关重要，能够在更短的交付周期内交付高附加值设备，这不仅巩固了TEL成为全球顶级芯片设备供应商的雄心，也提升了宫城县的产业竞争力。

新工厂的软件开发将由TEL的专门部门“数字设计广场”牵头。该部门正在部署材料信息学（MI）和工艺信息学（PI）等人工智能（AI）驱动的解决方案，以加速材料发现并优化工艺设计。这些工具旨在将设备开发和产能提升时间缩短至目前的三分之一。

此外，该公司计划利用嵌入机器的传感器数据，实现自我诊断功能，并通过机器人技术支持全自动生产。TEL已引入增强现实（AR）和虚拟现实（VR）系统，以提高其所有工厂的维护效率。

TEL宫城工厂将专门生产等离子刻蚀系统，这是半导体制造的关键技术。此举是TEL缩小与美国刻蚀设备市场领导者泛林集团（Lam Research）差距战略的一部分。行业需求依然强劲，包括三星电子、台积电和SK海力士在内的主要客户继续投入大量资本支出，以扩大晶圆制造能力，尤其是在AI服务器芯片领域。

然而，TEL警告称，来自中国客户的设备订单可能会放缓，尤其是来自新兴代工厂的订单。低成本开源AI模型（例如DeepSeek开发的模型）的出现也引发了市场担忧，这些模型可能会加剧价格竞争，并影响英伟达等公司的利润率。

尽管如此，TEL认为，AI工具的主权化将带来积极的长期影响，因为它们有望扩大市场规模并刺激对先进AI基础设施的需求。

3.美光12层堆叠HBM4已送样主要客户

6月12日，美光宣布已将其12层堆叠36GB HBM4送样给多家主要客户，全新HBM4是建构成熟的1β（1-beta）DRAM 制程，采用12层先进封装技术及功能强大的存储内建自我测试（MBIST）功能。

美光表示，随着生成式 AI 应用不断增长，有效管理推理能力的重要性与日俱增。美光HBM4存储具有2048位元界面，每个存储堆迭的传输速率超过 2.0 TB/s，性能较前一代产品提升逾60%。这样的扩展界面有助于实现高速通信和高吞吐量设计，进而提高大型语言模型和思路链推理系统的推论效能。简而言之，HBM4将使AI加速器具备更快的反应速度与更高效的推理能力。

美光科技资深副总裁暨云端存储事业部门总经理 Raj Narasimhan 表示：“美光HBM4具备卓越的效能、更高的频宽和业界首屈一指的能源效率，证明美光在存储技术和产品方面的领导地位。在HBM3E所创下的重大里程碑基础上，我们将继续通过HBM4及强大的AI存储和储存解决方案组合引领创新。我们的HBM4生产时程与客户下一代AI平台的准备进度紧密衔接，以确保无缝整合与适时扩大产量，满足市场需求。”

4.三星Exynos 2600原型芯片量产，计划将2nm GAA工艺良率提升至50%

三星Exynos 2600原型芯片已开始量产，采用三星2nm GAA工艺。此前报道称，三星2nm GAA工艺良率仅为30%，但如果付出足够的努力，这家韩国代工厂有望在尖端晶圆技术竞赛中击败台积电。此前消息称Exynos 2600于5月开始试产，但目前看来三星在此阶段遇到一些问题。最新消息称，这款即将推出的旗舰芯片SoC已进入量产阶段，公司各部门正在努力提高良率，以最大程度地降低不必要的成本飙升。

三星预计在Galaxy S26系列正式发布（可能为2026年2月）前2-3个月开始Exynos 2600的实际量产。三星大规模集成电路（LSI）和代工部门正在加紧努力，以提升Exynos 2600的性能和良率。5月起，三星目标是将2nm良率提高到50%，并且芯片性能不会受到任何影响。据称，良率将逐步提升，但为了实现量产，三星需要将良率提高到至少70%。

在2025年第一季度财报中，三星强调需要稳定其2nm GAA工艺良率，并计划在2025年下半年实现全面量产，以期为其下一代制程工艺赢得主要客户。甚至有传言称，三星已成功与高通就量产基于2nm GAA工艺的骁龙8 Elite Gen2达成谈判，但尚未得到证实。

Exynos 2600原型机量产阶段完成后，三星将转入风险生产。报道称，如果一切按计划进行，该公司将在Galaxy S26系列发布前2-3个月启动这款SoC的正式生产，Galaxy S26系列预计将于明年2月上市。由于台积电已于4月1日起接受2nm晶圆订单，三星确实有机会抢占一些利润丰厚的客户，但它需要付出更大的努力，否则将再次错失良机。

5.英伟达首款GPU出自法国，马克龙盼重振昔日芯片雄风

法国总统埃马纽埃尔·马克龙在当地时间本周三表示，希望法国能够生产世界上最先进的芯片，以将法国定位为欧洲关键的科技中心。

这一言论出现在欧洲科技公司和国家重新评估对外国技术企业在关键技术和基础设施方面依赖性的背景下。

在与马克龙和Mistral AI首席执行官阿瑟·门施一同参加小组讨论时，英伟达CEO黄仁勋透露，该公司的第一个图形处理单元(GPU)是由法国的SGS Thomson Microelectronics(现为意法半导体)制造的，这使得芯片制造成为讨论焦点。

尽管意法半导体目前并非半导体制造的领先者，主要为汽车等不需要最尖端工艺的行业生产芯片，马克龙仍表达了法国制造2纳米到10纳米范围半导体的雄心。

马克龙表示："如果我们想要巩固我们的产业，我们现在必须获得更多合适规模的芯片。"纳米数字越小，芯片中可容纳的晶体管越多，从而产生更强大的半导体。例如，苹果最新的iPhone芯片基于3纳米技术。

目前能够大规模制造这种水平芯片的公司很少，三星和英伟达供应商台积电(TSMC)处于领先地位。

马克龙还推广了泰雷兹、Radiall和中国台湾富士康之间的合作，这些公司正在探索在法国建立半导体组装和测试设施。

马克龙在法国最大科技活动之一VivaTech上表示："我想说服他们在法国进行制造。"同一天，英伟达的黄仁勋宣布了一系列在欧洲建设更多人工智能基础设施的协议。

黄仁勋宣布的一个关键合作是英伟达与法国AI模型公司Mistral合作建立所谓的"AI云"。马克龙将英伟达和Mistral的合作视为法国AI建设的延伸，称这是"游戏规则的改变者"。

6. 英伟达供应商面临关键矿物短缺危机，库存仅可维持几周

为英伟达、亚马逊和谷歌建设人工智能数据中心的科技公司正指望中美贸易谈判取得突破，因为它们的关键矿物和相关材料库存已严重不足。