6月6日，日本NAND闪存制造商铠侠宣布了一项雄心勃勃的中长期业务规划，计划在未来5年内将其NAND闪存产能提升至当前水平的两倍，以满足人工智能数据中心日益增长的存储需求。
根据铠侠的扩产计划，公司将通过扩大在日本四日市和北上工厂的产线投资，到2029财年实现NAND闪存产能较2024财年翻番。这一举措旨在应对全球AI基础设施建设带来的存储需求激增，尤其是大模型训练、边缘计算及高性能计算等应用场景对高速、高密度存储方案的更高要求。
除了产能扩张，铠侠还计划于2026年下半年开始量产下一代存储技术产品。虽然公司尚未披露具体技术细节，但业内普遍认为这可能涉及更高堆叠层数的3D NAND或其他先进架构，旨在提升性能并降低成本。
铠侠此次扩产决策正值全球存储市场逐步回暖之际。此前，NAND市场曾因供需失衡而经历价格下跌与减产调整。如今，在AI应用带动下，市场需求明显回升，促使头部厂商重启扩产节奏。世界半导体贸易统计组织(WSTS)预测，2025年全球存储器市场规模有望同比增长16.2%，其中NAND闪存将成为主要增长动力之一。
然而，分析人士也指出了潜在风险：若未来几年AI发展不及预期或终端市场需求放缓，可能再次引发产能过剩风险。如何在扩张与市场变化之间保持平衡，将是包括铠侠在内的存储企业面临的重要课题。
