据相关媒体报道，欧莱新材近日成功向新客户供应集成电路用高纯铜靶材，并完成首批产品出货。该高纯铜靶材纯度达4N（99.99%）以上，晶粒度控制在100μm以下，具有电阻率低、抗电迁移性优及稳定性高等特点，是半导体制造中晶圆金属化环节的核心材料，用于形成集成电路的导电层和互连结构。
此次出货的高纯铜靶材属于欧莱新材重点布局的半导体领域产品。公司近年来持续加大对集成电路靶材的研发投入，包括在合肥组建薄膜技术中心、扩充研发团队及购置专业设备，旨在突破高端半导体材料国产化技术瓶颈。高纯铜靶材的规模化生产，进一步体现了公司在溅射靶材领域的技术积累，尤其是在晶粒尺寸控制、直线度精度（≤0.1mm/m）等关键指标上的领先水平。
欧莱新材的产业链布局亦同步推进。除集成电路靶材外，公司积极拓展上游高纯铜基材料业务，如高纯微晶磷铜球、高纯无氧铜杆等产品已亮相国际电子展会；同时，韶关乳源“高纯无氧铜生产基地”及合肥“高端溅射靶材生产基地”两大项目正加速建设，以强化原材料自主可控能力。
相关分析指出，此次高纯铜靶材的成功出货，标志着公司在半导体材料领域取得新进展。随着国产替代进程加速，欧莱新材有望在集成电路、新能源电池等高端应用市场深化客户合作。
（校对/黄仁贵）
