以色列，米格达勒埃梅克，2025年6月3日——高价值模拟半导体解决方案代工厂商 Tower Semiconductor（纳斯达克股票代码：TSEM）今日宣布即将出席于2025年6月16日至21日在美国加利福尼亚州旧金山举行的国际微波研讨会（IMS 2025）。届时，Tower将重点展示其卓越的射频（RF）及高功率放大器（HPA）技术平台，以及在射频开关技术领域的最新进展。作为大会技术议程的重要组成部分，Tower Semiconductor将与pSemi联合发布题为《采用PCM射频开关与集成CMOS驱动器的0-110 GHz SPDT 开关》的白皮书，该论文已入围IMS 2025最佳产业论文奖评选。
本论文重点介绍了一项宽带单刀双掷（SPDT）开关技术，该技术采用Tower Semiconductor基于RFSOI CMOS工艺单片集成的相变材料（PCM）射频开关。其关键特性包括：超宽带性能（支持直流至110 GHz全频段，插入损耗低于2 dB）；集成CMOS驱动器的数字控制，可兼容MIPI RFFE接口（PDK已提供）；实测功率承载达30 dBm；线性度较现有的RFSOI CMOS SPDT开关提升15-20 dB。此项技术融合了超低损耗宽带性能、高功率承载及全CMOS/数字集成特性，大幅简化了终端用户的系统设计，为5G、未来6G、卫星通信、波束成形及毫米波应用提供了优秀的电路解决方案。
演讲议程
《采用PCM射频开关与集成CMOS驱动器的0-110 GHz SPDT 开关》
Nabil El-Hinnawy博士,
首席研发工程师, Tower Semiconductor
本演讲是Th1B分论坛：创新射频开关、可变电容和调制器技术（完整议程详情请扫描下方二维码）的一部分。
时间：
2025年6月19日，上午8点20分
地点：
205会议室
届时欢迎大家前往
#655 Tower Semiconductor展台
与我们的工程师现场交流。
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