位于美国加利福尼亚州旧金山的Inversion Semiconductor是一家于2024年成立的初创公司，计划利用粒子加速技术为下一代光刻技术开发更明亮、可调节的光源。
该公司宣称，其技术可使芯片制造速度提升高达15倍，并能实现比现有系统更精细的微结构特征。
Inversion和Lace Lithography一样，作为初创公司，都希望取代光刻市场的老牌领导者ASML，或者至少成为其替代选择。当然，这两家初创公司都认为，目前使用13.5nm波长极紫外（EUV）光源进行光刻胶闪光曝光的技术在进一步发展方面存在挑战。
Inversion公司的光刻技术基于一种称为激光尾场加速（LWFA）的现象，来创建紧凑的高功率光源。据Inversion的支持者——Y Combinator和风险投资公司介绍，该公司预计LWFA技术可将用于产生高能光的传统粒子加速器体积缩小1000倍，从千米级缩小至桌面大小（约1米左右）。
LWFA通过强激光脉冲与等离子体的相互作用，在极短距离内将电子加速至极高能量。这一过程的物理原理类似于冲浪者借助船尾浪涌前行——电子在等离子体波上"冲浪"的同时持续获得能量提升。
Inversion公司认为，通过LWFA可在短距离内将电子加速至多个GeV的能量级。这些高能电子随后通过自由电子激光器，利用磁性结构使电子以精确波长发射相干光。
该公司计划利用其先进光源，像传统极紫外光刻（EUVL）一样投射图案，但其光源波长可调节至13.5nm或更低，下一代目标为6.7nm。此外，Inversion声称，在相同数值孔径下，该技术可使晶体管密度翻倍，同时实现三倍于现有设备的产能。此外，其光源亮度足以同时为多个晶圆台提供照明——这意味着单个光源配合四台或八台光刻机可进一步提升制造效率。
Inversion公司由该公司首席执行官Rohan Karthik和首席技术官Daniel Vega创立。两人先通过“创业先锋”Entrepreneur First计划崭露头角，后获得Y Combinator创业孵化器的支持。Rohan Karthik曾在英国利兹大学和伦敦帝国理工学院接受教育，而Daniel Vega则在加利福尼亚州尔湾市开始学业，曾在伦敦大学学院学习一年，并在欧洲粒子加速研究中心——欧洲核子研究组织（CERN）从事研究工作。
这两位创业者已在旧金山Y Combinator大楼的地下室建立了激光实验室，并计划与劳伦斯伯克利国家实验室合作测试加速器原型。（校对/赵月）
