1.中荷外交部长同意就半导体技术等多领域合作保持密切沟通
2.总投资7亿 苏州“高端半导体封测项目”正式开工
3.电子科技大学“栅控二维电子气数字编码超表面太赫兹高速调控技术”入选首届年度中国超材料十大进展
4.猜一猜这款3nm机型里藏有几颗艾为芯？
5.彻底颠覆芯片制造！揭秘ASML如何打造“天价光刻机”？
6.总投资50亿元！先导科技集成电路零部件基地项目落地上海临港
1.中荷外交部长同意就半导体技术等多领域合作保持密切沟通
据外交部官网消息，2025年5月22日，中共中央政治局委员、外交部长王毅在北京同荷兰外交大臣费尔德坎普举行会谈，双方同意通过现有渠道，就包括半导体技术在内的多领域合作保持密切沟通。
在会谈中，王毅强调，无论外部环境如何变化，中国将继续坚持高水平对外开放。中荷双边贸易额连续4年超过千亿美元，双方在农业、水利、绿色发展、高科技等领域合作成果丰硕，充分反映了中荷关系的韧性和活力。
王毅指出，中国已出台多项开放新举措，欢迎荷方抓住机遇，结合自身优势，积极挖掘清洁能源、绿色发展、人工智能、银发经济等领域合作潜力，同时希望荷方为中国企业在荷投资兴业提供公正、公平、非歧视营商环境。（校对/赵月）
2.总投资7亿 苏州“高端半导体封测项目”正式开工
据高端制造与国际贸易区发布消息，5月19日，耶普（苏州）塑技有限公司“高端半导体封测项目”正式取得施工许可证，项目全面进入建设阶段。
据悉，该项目位于苏州工业园区青丘街158号，占地25.08亩，原为复合材料生产厂房，2024年3月完成股权转让后转型集成电路领域，计划总投资7亿元。 项目将拆除原有旧厂房，新建1栋建筑面积近3.5万平方米的现代化厂区，重点突破半导体集成电路芯片背面金属化、封测等关键技术，全面达产后可新增封测产能11.36亿颗，预计实现年销售额6.7亿元。
此前耶普（苏州）塑技有限公司采购了步进光刻机、显影机、全自动研磨机、助焊剂清洗机、塑封机等生产设备以及空调、空压机、冷却塔和纯水制备设备等共计1195台（套），打造国内一流封测工厂，产品主要服务于国内一线的集成电路设计和芯片制造厂商。
3.电子科技大学“栅控二维电子气数字编码超表面太赫兹高速调控技术”入选首届年度中国超材料十大进展
5月15-18日，第四届全国超材料大会在深圳召开，大会组委会评选出首届年度中国超材料十大进展，电子科技大学航空航天学院与电子科学与工程学院张雅鑫教授和杨梓强教授带领的太赫兹调控与通信技术团队联合东南大学崔铁军院士团队、中国电科第十三研究所冯志红研究员团队研发的成果“栅控二维电子气数字编码超表面太赫兹高速调控技术”入选。
该成果提出利用HEMT异质结二维电子气浓度高、运动速度快的输运特性、动态超表面电磁谐振可控特性与栅控数字编码电路均匀可靠的特性三者相融合，构筑了全新的二维电子气-动态超表面-栅控编码电路三元融合设计的太赫兹波束调控结构。基于GaN-2DEG动态谐振模式切换机制，结合“阵列子群”架构与分数阶编码策略，实现电子输运-电磁响应-编码逻辑的深度协同，在亚纳秒级（5ns）完成了太赫兹波束状态切换。同时，基于栅控2DEG的有源相位动态梯度阵列的透/反双模可编程太赫兹波束调控新方法，研制出0.14THz、0.22THz、0.34THz系列频率的扫描范围±60°、扫描精度1°的高精度透A-反双模工作的太赫兹被动相控阵波束扫描器件，插入损耗从10dB降低至3dB。面向未来6G/B6G应用场景，研制出基于自主研制波束调控器件的太赫兹感通一体系统，首次在无人车高动态移动平台上同时实现了对目标的精确定位和10Gbps的大容量信息传输。
进展名称：栅控二维电子气数字编码超表面太赫兹高速调控技术
完成单位：电子科技大学、东南大学、天津大学、中国电科13所
完成人：张雅鑫、曾泓鑫、兰峰、丛宣、张浩驰、王兰、梁世雄、冯志红、杨梓强、崔铁军*（来源： 电子科技大学）
4.猜一猜这款3nm机型里藏有几颗艾为芯？
5月22日，小米科技发布新一代旗舰手机15S Pro备受瞩目。这款手机作为小米15周年献礼之作，其搭载自研“玄戒 O1采用第二代3nm工艺”旗舰处理器成为最大看点。这一消息意味着小米在核心技术领域跨出了具有里程碑意义的一步。历经多年技术沉淀与战略布局，小米以全球第四家、国产第二家掌握核心自研芯片的手机品牌之姿，在芯片研发领域实现了质的飞跃。
针对新平台对极致低功耗的追求，据悉“玄戒 O1 3nm” SoC 芯片采用1.2V IO 设计。但当前主流手机基带芯片、摄像头模组、音频 PA、马达驱动等外设 IC，大多仍采用1.8V 数字 IO 口。为实现主平台与外设之间的信号通信，需通过电平转换芯片对主平台输出的电平信号进行转换，使其适配外设的电平标准。这一环节的技术适配，将成为保障新平台与外围组件协同工作的关键环节。
图1 小米15S Pro
艾为在信号链产品线深耕多年，其中电平转换芯片布局已久，该系列产品丰富多样，涵盖2通道、4通道、6通道、8通道等多种规格。在性能方面，其Data Rate最高可达500Mbps，信号转换电平范围支持0.8V - 5.5V，还具备双向自动方向识别，方向可控功能，同时支持开漏open drain和推挽Push Pull 信号转换，能满足多种场景的信号转换需求。
艾为积极布局车规市场，电平转换系列目前已有3个车规型号。其中，有对应4通道高速和低速信号转换型号，还有6通道高速信号电平转换型号。在汽车市场中，艾为电平转换系列应用广泛，已深入TBOX、智能座舱等领域，为汽车智能化发展提供有力支持。
艾为量产level shift型号
表1 自适应方向电平转换选型表
表2 方向可控电平转换选型表
表3 专用电平转换选型表
表4 车规电平转换选型表
1.2V IO I²C应用电平转换
艾为提供适用于I²C电平转换的系列芯片，包含双通道、四通道、八通道规格，支持开漏和推挽设备接入，支持双向信号传输，且满足VCCA≤VCCB的电平适配条件。
图2 I²C信号电平转换典型应用框图
1.2V IO SPI应用电平转换
1.2V SPI等信号电平转换支持高速信号推挽应用，是一款自动识别方向的4通道，支持双向传输（即A→B，B→A）的电平转换。
内部集成one shot模块，能够提升传输速率至百Mbps以上，得益于这一点，其非常适合摄像头模组的MCLK，RESET，SYNC信号从1.2V转1.8V的应用，也适合于主平台下发的I2S指令给到数字PA的1.2V转1.8V的应用，以及通用的SPI，PWM信号的应用，并有丰富的量产经验。
图3 SPI应用电平转换典型应用框图
艾为针对芯片 1.2V IO 的战略布局
随着主芯片平台制程工艺的持续升级，1.2V及更低电压的IO接口需求日益凸显。作为国内模拟IC领域的领先厂商，艾为深度聚焦高性能数模混合信号、电源管理、信号链三大核心产品赛道，率先在多款器件中布局对1.2V IO电平的支持，以下为几款通用型产品的技术亮点：
AW95124FOR：24bit GPIO拓展（1.08V-3.6V）
AW39103FOR: SIM卡电平转换，支持1.2V IO，带EMI滤波器和ESD防护，CSP-9B封装0.35mmpitch
AW86938CSR：高压线性马达驱动，1.2V IO, 11v/8kB Sram，5W驱动能力，支持AAE闭环控制,csp小尺寸封装
AW36515EFCR：升压架构，单路2A，1.2V IO，I²C控制，256阶调光闪光灯驱动
艾为凭借在模拟芯片领域的技术积累与前瞻布局，通过优化器件架构与工艺设计，精准匹配新一代手机主芯片平台的低电压、低功耗需求，为终端厂商提供更高效、更可靠的芯片级解决方案。（来源： 艾为之家）
5.彻底颠覆芯片制造！揭秘ASML如何打造“天价光刻机”？
在荷兰一个巨型实验室里，严密的大门后，一台机器正在彻底改变微芯片的制造方式——这就是ASML耗时近十年研发出高数值孔径（High NA）光刻机。这台机器造价超过4亿美元，是世界上最先进、最昂贵的芯片制造机器。
CNBC于4月份前往荷兰参观了该实验室。在此之前，High NA从未被拍摄过，即使是ASML的内部团队也没有。
在实验室内，High NA认证团队负责人Assia Haddou近距离展示了High NA机器，她称这些机器“比双层巴士还要大”。
该机器由四个模块组成，分别在美国康涅狄格州、加利福尼亚州、德国和荷兰制造，然后在荷兰费尔德霍芬的实验室组装，并进行测试和批准，之后再次拆卸运出。Haddou表示，这需要七架部分装载的波音飞机747飞机，或者至少25辆卡车，才能将一套系统送到客户手中。
全球首个High NA机器的商业化应用于2024年在英特尔位于俄勒冈的芯片制造工厂完成。迄今为止，这种巨型机器只有五台被交付使用。
目前，只有少数几家能够负担得起这些机器的厂商，包括台积电、三星和英特尔，他们正在加快生产步伐，以生产数百万颗芯片。
High NA机器是ASML极紫外光刻机（EUV）的最新一代产品。ASML是EUV的独家制造商，EUV是全球唯一能够投射构成最先进微芯片的最小蓝图的光刻设备。英伟达、苹果和AMD等巨头的芯片设计离不开EUV。
ASML表示，其所有EUV客户最终都将采用High NA技术，其中包括美光、SK海力士和 Rapidus等其他先进芯片制造商。
全球科技研究与咨询公司Futurum集团的首席执行官 Daniel Newman表示：“ASML已经完全垄断了该市场。”
CNBC记者询问ASML总裁兼首席执行官傅恪礼（Christophe Fouquet），是什么阻止了ASML进一步提高其设备的价格”。他解释称，随着设备不断升级，芯片生产成本也随之降低。傅恪礼表示：“摩尔定律告诉我们，我们需要不断降低持有成本。人们普遍认为，若能降低成本，就能创造更多机会，因此我们必须参与这场竞赛。”
ASML的两家主要客户已经证实，High NA相比ASML之前的EUV机器，性能有了显著提升。在2月份的一次会议上，英特尔表示，迄今为止已使用High NA生产了约3万片晶圆，其可靠性大约是前代产品的两倍。在同一次会议上，三星表示，High NA可以将其生产周期缩短 60%，这意味着其芯片每秒可以完成更多操作。
“一项非常冒险的投资”
由于速度和性能的提升，High NA可以降低芯片价格，同时还能提高良率，这意味着每片晶圆上可用的芯片数量更多。
这是因为它能够以更高的分辨率投射芯片设计图形。High NA延续了与EUV机器相同的工艺流程，但采用了更高数值孔径的光学系统，使其能够以更少的工序，实现更小尺寸的芯片图形投影。
“High NA意味着两点。首先，也是最重要的，就是图形微缩能力的提升。这意味着每片晶圆上能容纳更多芯片单元，”ASML技术执行副总裁Jos Benschop说道，“其次，通过避免多次曝光，可以加快生产速度，并提高良率。”
Benschop于1997年加入ASML，当时该公司刚刚上市两年。Benschop推动了ASML全力投入EUV的决策，这项技术耗时20多年才得以开发。
“但是我们几乎未能成功推动这项技术，人们往往忽视了这一点，”Benschop说。“这是一项非常冒险的前瞻性投资，因为在项目启动之初，我们并无法确认这项技术最终是否可行。”
2018年，ASML证明了EUV的可行性，各大芯片制造商开始大批量订购。这个想法在二十年前似乎遥不可及，即制造大量微小的极紫外光，并将其穿过芯片设计越来越小的掩模版，投射到经过光刻胶处理过的硅晶圆上。
为了产生极紫外光，ASML会以每秒5万滴的速度从喷嘴中喷出熔融的锡液，每一滴锡液都用强大的激光喷射，产生比太阳更热的等离子体。这些微小的爆炸正是EUV光子发射的来源，其波长仅为13.5纳米。
极紫外光的宽度约为五条DNA链，非常小，以至于所有已知物质都可以吸收它，因此整个过程必须在真空中进行。极紫外光经过反射镜反射，再通过镜头对准目标，就像相机的工作原理一样。为了解决极紫外光被镜面吸收的问题，德国光学公司蔡司专为ASML制造了专用反射镜，这些镜面拥有世界上最平坦的表面。
ASML的早一代DUV光刻机使用的是波长为193纳米、精度相对较低的深紫外光。ASML仍在生产这些光刻机，与日本的尼康和佳能竞争DUV技术，但它是全球唯一一家在EUV光刻领域取得成功的公司。
ASML于2016年左右开始研发价值4亿美元的High NA机器，该机器的工作原理与深紫外（DUV）相同，使用相同的极紫外（EUV）光源。但有一个关键的区别。
High NA光刻机配备了更大的镜头开口，使其能够以更大的入射角捕捉更多光线。这意味着镜面可以接受来自更陡角度的光束，从而实现更高精度的图形转移。借助这一优势，HigNA设备能够在一次曝光中将极小尺寸的芯片设计图形精确转印至晶圆表面。相比之下，传统的低数值孔径光刻机则需要多次曝光和多个掩模版，才能完成同样的图形转移过程。
“随着次数的增加，工艺变得非常复杂，良率也会下降。”傅恪礼说道。
分辨率随着数值孔径（NA）的增加而提高，从而减少了对多个掩模版和曝光的需求，节省了时间和成本。然而，高数值孔径机器的成本也会上升。
“你需要使用的镜面越大，系统也就越大。”傅恪礼说道。
这些机器还会消耗大量电力。
“如果我们不逐步提高AI芯片的能效，那么模型的训练可能在2035年左右会消耗掉全球的能源。”傅恪礼说道。他表示，正因如此，ASML自2018年以来已将每片晶圆的曝光所需电力降低了60%以上。
中国市场、美国关税成不确定因素
ASML以其突破性的EUV光刻机而闻名，但其较早型号的DUV光刻机在2024年仍占其业务的60%。ASML去年售出了44台起价2.2亿美元的EUV光刻机。DUV光刻机价格低得多，价格从500万美元到9000万美元不等，但ASML在2024年售出了374台DUV光刻机。
中国是这些DUV光刻机的主要买家，占ASML 2024年第二季度业务的49%。傅恪礼表示，“中国市场销售额达到峰值的原因是ASML直到去年才能够交付大量积压订单。到2025年，中国市场的业务应该会恢复到20%至25%之间的历史正常水平”。
美国出口管制禁止ASML向中国出售EUV光刻机。这项禁令始于特朗普第一任政府时期。Futurum集团的Newman表示，中国自主研发EUV光刻机的可能性非常小，相反，他们会使用DUV光刻机来制造智能手机等设备。
在人工智能的竞争中，美国对先进技术流入中国的担忧加剧。这种繁荣也推动了芯片股的飙升，其中包括ASML的股价在7月份创下历史新高。
Benschop表示，“ASML尚且无法明确关税会对公司产生什么影响。ASML在全球拥有约800家供应商，关税对公司的影响非常复杂。”
制造一台High NA光刻机需要经过许多进出口环节，该设备的四个模块分别在美国、荷兰和德国制造，然后运往荷兰进行组装和测试，在那里再次拆卸，最后运往美国或亚洲等地的芯片厂。
多年来，亚洲一直占据ASML业务的80%以上。到2024年，美国市场份额约为17%，但增长迅速。ASML在全球拥有4.4万名员工，其中8500名员工在美国18个办事处工作。
2024年，ASML的大部分北美市场出货量都流向了英特尔，该公司正在美国俄亥俄州和亚利桑那州建设新的晶圆厂。英特尔近年来举步维艰，但傅恪礼表示，英特尔仍然是ASML的强大合作伙伴，并且对美国半导体的独立发展至关重要。
台积电在芯片节点发展方面遥遥领先于英特尔。台积电位于菲尼克斯北部的新晶圆厂目前已投入量产。作为美国本土最先进的芯片厂，那里对High NA机器的需求可能很快就会到来。
与此同时，ASML正在美国亚利桑那州建设其在美国的首个培训中心。傅恪礼透露，该中心将在未来几个月内投入使用，目标是每年培训1200名EUV和DUV人员。该产能不仅能满足美国的需求，还能用于在全球范围内培训更多人才。”
另外，ASML计划进一步提高其下一代机器Hyper NA的数值孔径。
傅恪礼表示，ASML已经为下一代机器设计了一些光学草图，并且它不一定是一个难以制造的产品。他预计，对Hyper NA的需求将在2032年至2035年之间出现。不过他不愿对价格进行预估。
目前，ASML专注于满足对High NA光刻机的需求，该公司计划今年至少再出货五台High NA光刻机，并在几年内将产能提升至20台。
参考链接：https://www.cnbc.com/2025/05/22/exclusive-look-at-high-na-asmls-new-400-million-chipmaking-colossus.html
本文作者：CNBC专栏作家KatieTarasov
6.总投资50亿元！先导科技集成电路零部件基地项目落地上海临港
上海临港发文称，5月22日上午，临港新片区管委会、临港集团、先导科技集团在广州共同签署项目投资协议，先导科技集成电路核心零部件及系统总部基地项目正式落地临港新片区。
据介绍，此次项目投资50亿元，用地108亩，在临港新片区建设集成电路核心零部件基地，包括质量流量控制器、半导体核心金属、真空系统、光刻系统及微纳加工、缺陷检测及在线检测等标准生产线。项目的落地不仅标志着先导科技集团从稀散金属龙头逐渐实现向半导体核心零部件平台化企业的转型，同时也对上海临港集成电路核心零部件产业发展有着重要意义。从初次接洽到5月22日签约，项目落地仅用了两个月时间，再次诠释了“临港速度”，同时也体现了临港新片区坚定发展硬核制造业的信心和决心。
资料显示，先导科技集团成立于1995年，是一家起源于稀散金属业务，领先的半导体高端材料、器件、模组和系统研发、生产、销售及回收服务的国家级高新技术企业集团，旗下拥有两家上市公司。2024年集团营收规模达400亿，员工超过1万人，网点遍布全球共17个国家。
