三星力争6月通过英伟达HBM3E质量测试

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三星于今年3月通过了GPU巨头英伟达的审核。消息人士称,三星HBM在测试中达到了英伟达的最低要求。

三星内部对其HBM在审核成功后能够通过潜在客户的质量测试寄予厚望。

温阳是三星的旗舰后端处理工厂,其DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器和其他芯片都在这里进行封装和测试。

在质量测试之前,客户会进行审核,检查芯片的电气和物理特性,以及其在散热和使用寿命方面的可靠性,以及对意外事件的反应。

英伟达目前正在其最新的AI加速器上使用12层HBM3E。SK海力士供应着这些芯片的大部分。

由于三星在HBM市场落后于SK海力士,其盈利也随之下滑。

2024年第二季度,三星芯片业务的营业利润为6.5万亿韩元,但第三季度降至3.9万亿韩元,第四季度降至2.9万亿韩元。

6月份的质量测试也标志着三星芯片业务负责人全永铉(Jun Young-hyun)执掌芯片业务一周年。他曾表示,目标是恢复三星在DRAM领域的竞争力。

全永铉同时也是存储业务的负责人,一直领导着三星的HBM开发。今年2月,三星带着改进的10nm 1b DRAM样品访问了英伟达。

三星计划在今年晚些时候推出HBM4,这是HBM3E的继任者。(校对/李梅)

责编: 李梅
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孙乐

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