据最新消息，三星电子已经制定了在第7代10nm级DRAM内存工艺1d nm后导入VCT垂直通道晶体管技术的路线图。有望在未来2到3年内，相关产品将面世。在这个过程中，三星电子曾经在1d nm后的下一代DRAM工艺中，考虑过1e nm和VCT DRAM两种选择，最终选择了后者。
在选择新的DRAM工艺方向上，三星电子进行了深入的研究和对比。在1e nm和VCT DRAM两种选择中，三星电子最终选择了VCT DRAM技术。这是因为，相比1e nm，VCT DRAM技术在性能和效率上更具优势。为了加快VCT DRAM技术的研发进度，三星电子甚至将1e nm的先行研究组织合并到1d nm团队中，以推进1d nm的开发。
据了解，VCT DRAM技术是一种新型的DRAM技术，它采用垂直通道晶体管结构，可以实现更高的存储密度和更低的功耗，是未来DRAM内存技术的发展方向。
