2025年2月16日至20日，IEEE国际固态电路会议（简称ISSCC）在美国加利福尼亚旧金山举行。华南理工大学广东省毫米波与太赫兹重点实验室在此次会议上发表了题为“A Differential Series-Resonance CMOS VCO with Pole-Convergence Technique Achieving 202.1dBc/Hz FoMTA at 10MHz Offset”的研究论文，这是华南理工大学微电子学院首次在ISSCC发表论文。
成果简介
该论文介绍了一种超低相位噪声的差分串联谐振振荡器芯片。现阶段产生低相位噪声的振荡器主流方案是多核振荡器架构，当需要产生极低相位噪声时，多核振荡器的方案存在片上面积大、核间失配大以及供电网络复杂的问题。另外一种能够产生低相位噪声方案则是串联谐振振荡器技术，但现存的方案占据片上面积仍然较大、调谐范围仍然较窄，并且适用于纯CMOS工艺实现的差分串联谐振结构尚未出现。针对上述问题，论文提出了一种基于纯CMOS工艺实现的差分串联谐振振荡器结构，该振荡器在9.122GHz处输出信号的相位噪声为-152.89dBc/Hz@10MHz，品质优值FoMTA为202.13dBc/Hz@10MHz，核心面积仅为0.192mm2，能够覆盖7.762~9.122GHz的频率范围。所提出的振荡器结构在调谐范围、核心面积以及品质优值上具有优势，是首个在纯CMOS工艺上实现的差分串联谐振振荡器结构。
该工作由薛泉教授、秦培副教授课题组完成，微电子学院博士研究生郭晋华为论文的第一作者，薛泉教授、秦培副教授为论文共同通讯作者。博士研究生郭晋华在会议的Frequency Synthesizers and Series-Resonance VCOs Session做论文报告。此研究项目得到了国家自然科学基金、广东省自然科学基金的支持。
图1：薛泉教授
图2 博士生郭晋华与副教授秦培在会议现场
图3：博士生郭晋华做现场汇报
会议简介
国际固态电路会议（ISSCC）是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别学术会议，自1953年以来已举办72年，每年2月均在美国旧金山召开；每年有200余项芯片实测成果入选，是学术界和国际芯片巨头公司，例如：英特尔、三星、台积电、AMD、IBM、高通、博通、ADI、TI、联发科等展示最新顶尖芯片成果的平台；历史上入选ISSCC的成果代表着当年度全球领先水平，展现出芯片技术和产业的发展趋势，大量“芯片领域里程碑式发明”均在ISSCC首次披露。
