比利时微电子研究中心（imec）12月宣布，与日本三井化学签署战略合作协议，将共同推进EUV碳纳米管光掩膜薄膜（pellicle）技术商业化。根据协议，三井化学将把imec基于碳纳米管（CNT）颗粒的技术与三井化学的薄膜相关技术整合，目标是在2025~2026年期间将这种新产品引入高功率EUV系统。

根据imec官方介绍，光掩模防尘薄膜（pellicle）用于保护光掩膜的清洁，需要高透光率以及长寿命。碳纳米管微粒（CNT）能够提高超薄膜在EUV（极紫外）曝光过程中的性能，其具有极高的EUV透光率（≥94%）、极低的EUV反射率和最小的光学影响，这些都是先进半导体制造中实现高产能的关键特性。此外，碳纳米管颗粒还能够承受超过1kW的EUV功率，从而满足未来新一代光刻机的需求。这一技术引起了业界强烈兴趣，因此双方将共同开发工业级碳纳米管粒子，以满足市场需求。

防尘薄膜pellicle原理，来自三井化学

imec高级副总裁Steven Scheer表示，该机构长期以来一直支持半导体生态系统推进光刻技术路线图，2015年以来，imec便与供应链合作，为先进的EUV光刻技术开发基于碳纳米管（CNT）的创新薄膜设计。他表示，“我们相信，对于碳纳米管薄膜的计量、表征、特性和性能的深入理解，将加速三井化学产品开发。我们希望共同将碳纳米管粒子投入生产，用于未来几代EUV光刻技术。”

根据光刻行业路线图，2025~2026年ASML下一代0.33NA（数值孔径）EUV光刻系统将支持功率级别为600W或更高的光源，届时全新的光掩膜防尘薄膜也将商品化，可用于量产2nm及以下制程工艺的芯片。

（校对/赵月）