恩智浦半导体4月23日发布了符合汽车行业Q101标准的LFPAK封装（紧凑型热增强无耗封装）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技术，面积比DPAK封装减小了46%，热性能与DPAK封装近似。

　　主要特点为：LFPAK封装利用铜片设计，典型厚度为1.1mm，远低于传统的SO8和DPAK封装（恩智浦未透露具体厚度值），减小了导通电阻和MOSFET的开关损耗。

　　其他特点包括：LFPAK系列产品有5个电压级别：30V、40V、 55V、75V 和 100V；耐受瞬时大电流；100%突波耐受测试；符合汽车AEC-Q101标准，最高工作温度为175°C；支持引线光学检查。

　　据恩智浦工程师的详细解释：LFPAK封装即Power SO-8封装，比传统的SO-8封装厚度更薄，导通阻抗更低，负荷电流更高。Power SO-8封装与传统SO8封装在引脚位置与分布上也相同，因此很多时候可以直接在原有的传统SO-8焊点上直接焊接，更好地发挥MOSFET的性能，并获 得更优的焊点设计。由于目前业界对Power SO-8封装还没有一个统一的标准定义，因此各家公司在封装设计上都会一些细微的差别。基于这一原因，恩智浦引入了统一的焊点设计，可以在不改变PCB布 图的情况下采用LFPAK封装，或者其他供应商的Power SO-8封装产品。

　　根据整车厂在汽车电子应用中保持燃油效率、电子稳定性和可靠性的需求，恩智浦推出了上述LFPAK功率SO-8 MOSFET系列产品。

　　目标应用为：发动机和变速系统控制器；防抱死制动系统；冷却泵；DC/DC转换器；电动助力转向（EPS）和电动液压助力转向（EHPS）系统；电池反向保护；当考虑空间敏感性时，用作通用汽车电子切换元件。（记者 恩平）