在半导体制造的精密世界里，薄膜沉积是决定芯片性能、良率与成本的核心环节，而原子层沉积（ALD）技术更是被视作突破先进制程与三维结构的 “钥匙”。作为国内ALD设备龙头，微导纳米用十年时间完成了从光伏技术沉淀到半导体装备规模化落地的跨越，2025年半导体设备业务收入达8.81亿元，同比激增169.12%，正式迈入收获期。
站在成立十周年、登陆科创板三周年的双重节点，微导纳米副董事长、首席技术官黎微明在接受专访时系统复盘了公司“以光伏养芯、以技术立命”的成长路径，畅谈了逻辑、存储、先进封装的布局逻辑，更直言国产装备要以创新与稳定叩开全球市场大门。
生而为“芯”，以光伏养技术的战略蛰伏
2015年12月，微导纳米在无锡成立，名字里便刻着“微纳制造”的底层基因。黎微明坦言，公司从诞生之初就锚定一个目标：要做中国人自己的半导体高端装备。但彼时国内半导体产业链尚在萌芽，海外巨头已筑起极高的产业壁垒与技术护城河，若直接切入晶圆制造赛道，无异于缘木求鱼。
“2015年的时候，先进制程所需尖端设备几乎没有机会，我们依势调整了方向，换一条路走。”黎微明回忆，微导选择了一条极具前瞻性的曲线路径——“以光伏养技术，以技术备半导体”，即先在光伏领域落地ALD技术，完成产业化验证、培养产业链、积累工艺经验和打磨团队，对先进技术和产品的追求，让我们一直不曾放弃。
这段“蛰伏”并非跨界，而是技术的深度练兵。微导在行业创新推出了批量式ALD技术，最终成为光伏行业标配的高效电池制造核心装备技术之一。这项技术改写了光伏产业格局：一是助力PERC技术实现平价上网，大幅降低度电成本；二是推动行业技术路线从PERC迈向TOPCon，成为TOPCon电池设备专用领域的行业领跑者。“我们很自豪，凭借核心技术，助力推动中国光伏在全球的竞争力占据‘龙头’位置，微导的设备功不可没。”黎微明语气坚定。
2020年，微导迎来半导体业务的关键转折点——拿下第一笔半导体正式订单；2021年，成为国内首家将量产型High‑k ALD设备导入集成电路前道生产线的国产厂商，实现国产ALD设备“零的突破”。2023年应用于存储芯片制造量产线的高端PECVD设备通过验证，填补国内关键工艺空白。2026年客户端累计流片量突破700万片，短短几年，微导跑出了国产半导体集成电路专用装备的“极限速度”。在黎微明看来，这并非跨界转型，而是长期技术积累的水到渠成。“我们生而为‘芯’，光伏是技术练兵场，半导体是初心与归宿。”随着国内半导体国产化进程加速，微导凭借多年沉淀，精准抓住时代机遇，迈入发展快车道。
ALD为核、CVD协同，构建全面沉积能力
半导体装备行业的核心竞争力，最终落脚于技术实力。目前微导已经形成了ALD+CVD梯次发展、未来覆盖PVD的全面薄膜沉积技术体系，实现从单一设备供应商向解决方案服务商转型。黎微明强调：“我们不只是卖设备，而是从材料、工艺到设备，为客户提供一站式微纳制造解决方案。”
ALD是微导的核心技术壁垒。凭借自限性反应特性，ALD可实现单原子层逐层沉积，具备三维共形性、大面积均匀性、亚纳米级厚度控制、无针孔致密成膜等优势，是先进制程、3D NAND与先进封装的刚需技术。黎微明介绍，当年ALD被视作国产半导体装备“三座大山”之一，如今微导已成功攻克，并形成完整产品矩阵：
面向逻辑与存储芯片的iTomic HiK系列，可满足High-k栅氧层、MIM电容介质层工艺需求；iTomic MeT系列专攻栅极金属、扩散阻挡层，配备预处理腔提升膜层质量；iTomic MW批量式系列一次可处理25片12英寸晶圆，iTomic SPX系列空间型ALD适配存储芯片高产能与高深宽比结构；iTomicPE系列则兼顾低温工艺与量产效率，拓展先进封装应用场景。
在高深宽比技术上，微导也已实现关键突破。黎微明举例，上海中心大厦深宽比约10:1，而存储芯片结构可达200:1以上，且需纵向填充与横向包覆，公司ALD设备在成膜连续性与均匀性上已超越部分海外厂商。
2022年，微导切入CVD赛道，快速形成iTronix系列产品，覆盖PECVD、LPCVD等技术路线，可沉积SiO₂、SiN、SiGe等多种薄膜，对标国际头部厂商，在气路控制、多区加热与射频技术上实现自主创新，提升薄膜均匀性与产能效率。黎微明透露，PVD技术预计2026年落地，未来将形成ALD、CVD、PVD协同，叠加另一研发中的前沿技术形成“四驾马车”布局。
与行业多数企业不同，微导坚持材料—工艺—设备全链条自研。公司内部设有特殊的元素周期表墙，标注已开发与在研的薄膜材料，覆盖二十余种氧化物、氮化物与金属体系。同时微导与国内外供应商、高校及科研机构联合开发前驱体等关键材料，自主定制配套工艺，在复杂场景中实现一台设备替代国外两台设备的集成优势，构筑难以复制的底层壁垒。
“我们的产品不是模仿而来，如今已走进技术无人区，简单复制已无意义。”黎微明表示，全链条自研能力，是微导快速获得头部客户认可的核心原因。
聚焦存储、逻辑、先进封装，抢占国产替代高地
微导的半导体设备业务已经覆盖逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示等领域，精准卡位国产替代核心需求，以差异化精准定制技术方案实现深度渗透。
黎微明介绍，存储是当前公司最大增长引擎。2025年，公司多数新增订单来自存储芯片厂商。随着3D NAND堆叠层数向200层迈进，对薄膜沉积的均匀性、一致性、稳定性提出极致要求。微导批量式ALD、HiK系列及CVD设备完美适配高产能、低成本、高深宽比需求，在国内头部存储厂实现规模化量产，与客户共同突破量产瓶颈，市场份额持续提升。
逻辑芯片赛道技术壁垒最高，对颗粒控制、良率、制程精度要求严苛。微导HiK ALD设备关键指标已达国际先进水平，部分性能甚至超越海外标准机型。黎微明坦言，公司设备性能已满足客户当前工艺水平，目前需持续补齐量产时间验证周期，支撑先进技术迭代。
先进封装是公司未来核心增长极。随着制程逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径，HBM、Hybrid Bonding等技术带动低温沉积需求爆发。黎微明判断，全球先进封装技术尚未定型，即便头部路线仍有优化空间，国产设备有望实现技术及产业超越。他透露，公司正深度结合行业需求，在先进封装领域布局新材料、新工艺的底层创新。“哪怕是针对海外已经成熟的先进封装技术，我们也有自己的优化与升级思路。这一赛道会成为公司半导体业务未来最核心的增长引擎。”
微导针对性开发低温PECVD设备，采用专属温控技术实现50–450℃低温沉积，适配先进封装关键工艺，解决晶圆翘曲、材料热损伤等难题。作为国内少数具备先进封装低温沉积设备能力的企业，微导相关产品已通过客户端验证，市场空间广阔。
拒绝内卷、技术出海，迈向全球一流装备商
面对半导体设备行业出现的低价竞争与低端扩张现象，黎微明直言，国产装备不能将低价作为核心竞争力，这是行业资源的浪费，也会拖慢长期发展节奏。在他看来，国产设备的真正优势，在于技术硬实力、快速响应的服务能力、深度精准定制化能力以及本土产业链协同优势。
“客户购买设备，购买的是稳定性与良率保障。”黎微明表示，国际头部厂商拥有二十年量产验证周期，微导最早的半导体设备量产仅三年多，时间是当前最大挑战，也是必须补齐的关键。2025年，公司完成11亿元融资，半数用于产能扩建，半数投入研发，推进智能化工厂建设，2026年逐步释放产能，全面提升设备稳定性、可靠性与一致性。
在深耕国内市场的同时，微导稳步推进全球化布局。目前公司部分设备机型已实现出口欧洲，获得国际成熟市场认可。黎微明强调，出海不靠低价竞争，而是以技术性能对标国际巨头需求，以量产稳定性参与全球竞争。区域布局上，先切入友好市场，长期目标进入全球核心半导体产业链，融入顶尖产业体系。
“只要产品性能过硬、具备大规模量产验证经验，就能突破贸易与技术壁垒。”黎微明强调，“我们走的从来不是简单复刻海外成熟技术的路径，而是深度结合客户量产需求做定制化的性能优化与底层创新，这也是我们敢于进军国际市场、直面海外巨头竞争的核心底气。”
展望未来，微导将以技术深耕、场景扩张、全球突破为核心方向。持续做强ALD、CVD技术，推进PVD落地，布局选择性沉积、选择性刻蚀等前沿技术；完善产品矩阵，强化先进封装布局，适配AI算力芯片需求；联合材料厂、晶圆厂与科研机构，共建自主可控产业链，推动行业理性发展。
“微导纳米的十年，是技术沉淀的十年，也是坚守初心的十年。”黎微明表示，公司将继续以技术创新为核心锚点，夯实半导体装备国产化的核心能力，向产业链中更多关键环节的核心技术发起攻坚，同时以技术创新推动产品出海，努力成为全球领先的微纳制造设备供应商。
